SIC
close

Зaщita цepi (236)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Прилонья МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta Emcostath @ чastoTA ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Eccn Htsus Станодадж ОДНОАНАПРАВНАННА КАНАЛА Napraheneeee - obraTnoe protivosto -joanaonie (typ) На На Ток - Пиковоиапульс (10/1000 мкл) МООГАН А.И.Линии -эlektroperredaчi Дюнапразланн Канала
DF2S7MSL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S7MSL, L3F 0,2800
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен - О том, как Пефер 2-SMD, neTLIDERSTVA Zener DF2S7 0,5pf pri 1 mmgц SL2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 10000 1 5в (макс) 6в 20 3а (8/20 мкс) 60 Не
DF3D29FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3D29FU, LF 0,3900
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен - - Пефер SC-70, SOT-323 Zener DF3D29 9pf @ 1mhz USM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000 2 24 26 47 В 3а (8/20 мкс) 140 Вт Не
DF3D6.8MS,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3D6,8 MS, LF 0,2700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен - О том, как Пефер SC-75, SOT-416 Rulevoe ypravoleneee ( DF3D6.8 0,5pf pri 1 mmgц SSM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000 2 5в (макс) 6в 11 В (Тип) 1А (8/20 мкс) - В дар
DF6F6.8MTU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF6F6.8mtu, Lf 0,1067
RFQ
 ECAD 4119 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен - О том, как Пефер 6-SMD, Плоскильлид Rulevoe ypravoleneee ( DF6F6.8 0,6pf pri 1 mmgц UF6 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000 4 5в (макс) 6в 24 2.5a (8/20 мкс) - В дар
DF2B6.8ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6.8act, L3f 0,0288
RFQ
 ECAD 6484 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен - О том, как Пефер SOD-882 Zener DF2B6.8 9pf @ 1mhz CST2 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 10000 5в (макс) 5,8 В. 7в (тип) 1А (8/20 мкс) - Не 1
DF2B7M2SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7M2SL, L3F 0,3300
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен - О том, как Пефер 2-SMD, neTLIDERSTVA Zener DF2B7 0,2pf pri 1 mmgц SL2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 10000 5в (макс) 6в 20 2а (8/20 мкс) 40 Не 1
DF6D6UFE,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF6D6UFE, L3F 0,4900
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) О том, как Пефер SOT-563, SOT-666 Zener DF6D6 1,5pf pri 1 mmgц ES6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 8000 5,5 - 5,7 В. 20 1,5а (8/20 мкс) 30 st Не 2
DF2S14P2CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S14P2CTC, L3F 0,4100
RFQ
 ECAD 43 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) О том, как Пефер 2-SMD, neTLIDERSTVA Zener DF2S14 270pf @ 1 mmgц CST2C СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 10000 1 12,6 В. 12,9 В. - 50 часов - Не
DF6D5M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF6D5M4N, LF -
RFQ
 ECAD 3836 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) О том, как Пефер 6-ufdfn Zener DF6D5M4 0,2pf pri 1 mmgц 6-dfn (125x1) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000 3,6 В (MMAKS) 4 15 2а (8/20 мкс) 30 st Не 2
DF6D6M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF6D6M4N, LF -
RFQ
 ECAD 8348 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) О том, как Пефер 6-ufdfn Zener DF6D6M4 0,2pf pri 1 mmgц 6-dfn (125x1) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000 5,5 - 5,6 В. 15 2а (8/20 мкс) 30 st Не 2
DF2S6P1CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6P1CT, L3F 0,3800
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) О том, как Пефер SOD-882 Zener DF2S 90pf @ 1mhz CST2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 10000 1 - 5,6 В. 16 10a (8/20 мкс) 160 Вт Не
DF3A5.6FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A5.6FV, L3F 0,2300
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) О том, как Пефер SOT-723 Zener DF3A5.6 65pf @ 1 mmgц Вер СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 8000 2 - 5,3 В. - - - Не
DF3A6.2LFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.2LFV, L3F 0,2400
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) О том, как Пефер SOT-723 Zener DF3A6.2 6,5pf pri 1 mmgц Вер СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 8000 2 - 5,9 В. - - - Не
DF3A6.8FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8FV, L3F 0,2300
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) О том, как Пефер SOT-723 Zener DF3A6.8 45pf @ 1 mmgц Вер СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 8000 2 - 6,4 В. - - - Не
DF5A6.8CJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8CJE, LM 0,2800
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) О том, как Пефер SOT-553 Zener DF5A6.8 23pf @ 1MHz Эs СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 4000 4 - 6,4 В. - - - Не
DF2S14P2FU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S14P2FU, H3F 0,4400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) О том, как Пефер SC-76, SOD-323 Zener DF2S14 270pf @ 1 mmgц USC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000 1 12,6 В (MMAKS) 12,9 В. 32V 50А (8/20 мкс) 1600 Вт (1,6 кст Не
DF2B7BSL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7BSL, L3F 0,2000
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) О том, как Пефер 2-SMD, neTLIDERSTVA Zener DF2B7 12pf @ 1MHz SL2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 10000 5,5 - 5,6 В. 16 7.3a (8/20 мкс) 115 Вт Не 1
DF2B6M4ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6M4ASL, L3F 0,3600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) О том, как Пефер 2-SMD, neTLIDERSTVA Zener DF2B6 0,15 пт прри 1 мгест SL2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 10000 5,5 - 5,6 В. 15 2а (8/20 мкс) 30 st Не 1
DF2B6M5SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6M5SL, L3F 0,3700
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) О том, как Пефер 2-SMD, neTLIDERSTVA Zener DF2B6 0,3pf pri 1 mmgц SL2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 10000 5в (макс) 5,5 В. 26,5 В (тип) 2.5a (8/20 мкс) 37 Вт Не 1
DF2S6P2FU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6P2FU, H3F 0,4900
RFQ
 ECAD 2806 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) О том, как Пефер SC-76, SOD-323 Zener DF2S6 600pf @ 1mhz USC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000 1 5,5 - 5,6 В. 23,7 В. 80a (8/20 мкс) 1900 г. (1,9К) Не
DF2B5SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B5SL, L3F 0,2400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) О том, как Пефер 2-SMD, neTLIDERSTVA Zener DF2B5 7,2pf pri 1 mmgц SL2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 10000 3,3 В (MMAKS) 3,6 В. 11,5 В (Тип) 5,5а (8/20 мкс) 77 Вт Не 1
DF5A5.6FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6FUTE85LF 0,3800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен - О том, как Пефер 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Zener DF5A5.6 65pf @ 1 mmgц USV СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000 4 2,5 В. 5,3 В. - - - Не
DF5A6.8FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8FUTE85LF 0,3700
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен - О том, как Пефер 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Zener DF5A6.8 45pf @ 1 mmgц USV СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000 4 5в 6,4 В. - - - Не
DF5A6.8LFUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8LFUTE85LF 0,4100
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен - О том, как Пефер 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Zener DF5A6.8 6pf @ 1 mmgц 5-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000 4 5в 6,5 В. - - - Не
DF2S12FU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S12FU, H3F 0,1800
RFQ
 ECAD 37 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен - О том, как Пефер SC-76, SOD-323 Zener DF2S12 15pf @ 1 mmgц USC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000 1 9в 11.4V - - - Не
DF3A5.6CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A5.6CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 1096 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен - О том, как Пефер SC-101, SOT-883 Zener DF3A5.6 65pf @ 1 mmgц CST3 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 10000 2 2,5 В. 5,3 В. - - - Не
DF3A6.2F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Df3a6.2f (te85l, f) -
RFQ
 ECAD 3780 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен - О том, как Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 Zener DF3A6.2 55pf @ 1 mmgц S-Mini СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000 2 3В 5,8 В. - - - Не
DF5A5.6CJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6CJE, LM 0,3400
RFQ
 ECAD 42 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен - О том, как Пефер SOT-553 Zener DF5A5.6 29pf @ 1mhz Эs СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 4000 4 3,5 В. 5,3 В. - - - Не
DF5A6.8LF,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8LF, LF 0,3500
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен - О том, как Пефер SC-74A, SOT-753 Zener DF5A6.8 6pf @ 1 mmgц SMV СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000 4 5в 6,5 В. - - - Не
DF5A6.8LJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8LJE, LM 0,3400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен - О том, как Пефер SOT-553 Zener DF5A6.8 6pf @ 1 mmgц Эs СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 4000 4 5в 6,5 В. - - - Не
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть