SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Прилонья МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta Emcostath @ чastoTA ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Eccn Htsus Станодадж ОДНОАНАПРАВНАННА КАНАЛА Napraheneeee - obraTnoe protivosto -joanaonie (typ) На На Ток - Пиковоиапульс (10/1000 мкл) МООГАН А.И.Линии -эlektroperredaчi Дюнапразланн Канала
DF2B18FU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B18FU, H3F 0,3400
RFQ
ECAD 29 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен - - Пефер SC-76, SOD-323 Zener DF2B18 9pf @ 1mhz USC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000 12 16.2V 33 В 2.5a (8/20 мкс) 80 Вт Не 1
DF2B29FU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B29FU, H3F 0,3400
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен - - Пефер SC-76, SOD-323 Zener DF2B29 9pf @ 1mhz USC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000 24 26 47 В 3а (8/20 мкс) 140 Вт Не 1
DF2S30CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S30CT, L3F 0,1900
RFQ
ECAD 9 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен - О том, как Пефер SOD-882 Zener DF2S30 7,2pf pri 1 mmgц CST2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 10000 1 23V 28 - - - Не
DF2S5.6FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5.6FS, L3M 0,1700
RFQ
ECAD 239 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен - О том, как Пефер SOD-923 Zener DF2S5.6 40pf @ 1mhz SOD-923 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 10000 1 3,5 В (МАКС) 5,3 В. - - - Не
DF5A3.6CJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A3.6CJE, LM 0,3100
RFQ
ECAD 7 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен - О том, как Пефер SOT-553 Zener DF5A3.6 52pf @ 1mhz Эs СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 4000 4 1,8 В. 3,4 В. - - - Не
DF5A3.6JE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A3.6JE, LM -
RFQ
ECAD 7472 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен - О том, как Пефер SOT-553 Zener DF5A3.6 110pf @ 1MHz Эs СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 4000 4 1V 3,4 В. - - - Не
DF2B6.8FS(TPL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage Df2b6.8fs (tpl3, t) -
RFQ
ECAD 2628 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо - О том, как Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. Zener DF2B 15pf @ 1 mmgц кв СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 10000 5в (макс) 5,8 В. 8,5 В (тип) 1А (8/20 мкс) - Не 1
DF2S6.8FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8fs, L3M 0,1700
RFQ
ECAD 657 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен - О том, как Пефер SOD-923 Zener DF2S6.8 25pf @ 1mgц SOD-923 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 10000 1 5в (макс) 6,4 В. 9в (тип) - - Не
DF3A6.8LSU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8LSU, LF -
RFQ
ECAD 7165 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 DF3A6.8 USM - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000
DF2S6M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6M4SL, L3F 0,2900
RFQ
ECAD 72 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) О том, как Пефер 2-SMD, neTLIDERSTVA Zener DF2S6 0,35pf fpri 1 mmgц SL2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 10000 1 5,5 - 5,6 В. 15 2A 30 st Не
DF2B7ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7ASL, L3F 0,1800
RFQ
ECAD 95 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) О том, как Пефер 0201 (0603 МЕТРИКА) Zener DF2B7 8,5pf pri 1 mmgц SL2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 10000 5,5 В. 5,8 В. 20 4а (8/20 мкс) 80 Вт Не 1
DF2S6.8UCT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Df2s6.8uct (tpl3) -
RFQ
ECAD 6434 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен - О том, как Пефер SOD-882 Zener DF2S6.8 1,6pf pri 1 mmgц CST2 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 10000 1 19в (M -MAKS) 22 - - - Не
DF3A6.2FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.2FUTE85LF 0,3400
RFQ
ECAD 11 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен - О том, как Пефер SC-70, SOT-323 Zener DF3A6.2 55pf @ 1 mmgц USM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000 2 5,8 В. - - - Не
DF5A5.6FTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6FTE85LF 0,4100
RFQ
ECAD 17 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен - О том, как Пефер SC-74A, SOT-753 Zener DF5A5.6 65pf @ 1 mmgц SMV СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000 4 2,5 В. 5,3 В. - - - Не
DF2S8.2CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S8.2CT, L3F 0,2000
RFQ
ECAD 10 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен - О том, как Пефер SOD-882 Zener DF2S8.2 20pf @ 1 mmgц CST2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 10000 1 6,5 В. 7,7 В. - - - Не
DF3A6.2CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Df3a6.2ct (tpl3) 0,3300
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен - О том, как Пефер SC-101, SOT-883 Zener DF3A6.2 55pf @ 1 mmgц CST3 - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 10000 2 5,8 В. - - - Не
DF3A6.2LFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.2LFU (TE85L, ф -
RFQ
ECAD 3073 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен - О том, как Пефер SC-70, SOT-323 Zener DF3A6.2 6,5pf pri 1 mmgц USM СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000 2 5,9 В. - - - Не
DF3D6.8MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage DF3D6,8MFV (TL3, T) -
RFQ
ECAD 7389 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо - О том, как Пефер SOT-723 Rulevoe ypravoleneee ( DF3D 0,5pf pri 1 mmgц Вер СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 8000 2 5в (макс) 15в (теп) 1А (8/20 мкс) - В дар
DF6F6.8MCTC(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage Df6f6.8mctc (te85l) 0,6600
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Веса Актифен - О том, как Пефер 6-xfdfn oTkrыTAIN ANPLOUSCA Rulevoe ypravoleneee ( DF6F 0,6pf pri 1 mmgц CST6C - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 5000 5в (макс) 24 2.5a (8/20 мкс) - В дар 4
DF2B7ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7ACT, L3F 0,2000
RFQ
ECAD 8 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SOD-882 Zener DF2B7 8,5pf pri 1 mmgц CST2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 10000 5,5 - 5,8 В. 20 4а (8/20 мкс) 80 Вт Не 1
DF2S5M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5M4SL, L3F 0,3000
RFQ
ECAD 98 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 2-SMD, neTLIDERSTVA Zener DF2S5 0,35pf fpri 1 mmgц SL2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 10000 1 3,6 В (MMAKS) 3,7 В. 15 2а (8/20 мкс) 30 st Не
DF2S23P2CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S23P2CTC, L3F 0,4200
RFQ
ECAD 40 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) О том, как Пефер 2-SMD, neTLIDERSTVA Zener DF2S23 160pf @ 1MHz CST2C СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 10000 1 21в (M -MAKS) 21,5. 35,7 В. 14a (8/20 мкс) 500 Вт Не
DF2S23P2FU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S23P2FU, H3F 0,4900
RFQ
ECAD 9 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) О том, как Пефер SC-76, SOD-323 Zener DF2S23 160pf @ 1MHz USC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000 1 21в (M -MAKS) 21,5. 27,3 В (тип) 14a (8/20 мкс) 500 Вт Не
DF2B26M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B26M4SL, L3F 0,3200
RFQ
ECAD 84 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) О том, как Пефер 2-SMD, neTLIDERSTVA Zener DF2B26 0,2pf pri 1 mmgц SL2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0070 10000 24 В (M -MAKS) 21В 31,5 В (тип) 500 май (8/20 мкс) 19w Не 1
DF3A6.8FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8FU, LF 0,3000
RFQ
ECAD 13 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 125 ° C (TJ) О том, как Пефер SC-70, SOT-323 Zener DF3A6.8 45pf @ 1 mmgц USM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000 2 - 6,4 В. - - - Не
DF5A3.3JE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A3.3JE, LM -
RFQ
ECAD 5258 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) О том, как Пефер SOT-553 Zener DF5A 115pf @ 1 mmgц Эs - Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 4000 4 - 3,1 В. - - - Не
DF5G5M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5G5M4N, LF 0,3800
RFQ
ECAD 7561 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) О том, как Пефер 5-xfdfn Zener DF5G5M4 0,2pf pri 1 mmgц 5-DFN (1,3x0,8) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 5000 5 3,6 В (MMAKS) 4 15 2а (8/20 мкс) 30 st Не
DF5G6M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5G6M4N, LF 0,3800
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) О том, как Пефер 5-xfdfn Zener DF5G6M4 0,2pf pri 1 mmgц 5-DFN (1,3x0,8) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 5000 5 5,5 - 5,6 В. 15 2а (8/20 мкс) 30 st Не
DF6A6.8FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF6A6.8fu, LF 0,3100
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) О том, как Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 Zener DF6A6.8 45pf @ 1 mmgц US6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000 4 - 6,4 В. - - - Не
CUZ5V6,H3F Toshiba Semiconductor and Storage Cuz5v6, H3f 0,3500
RFQ
ECAD 13 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Cuz Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) О том, как Пефер SC-76, SOD-323 Zener 125pf @ 1MHz USC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000 1 5,6 В. 5,3 В. 9в (тип) 12а (8/20 мкс) 155 Вт Не
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе