SIC
close

PIN -KONPIGURIRUEREMый/VыBIRAEMый osshylloTrы (8035)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Raзmer / yзmerenee PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta Wshod Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодадж Файнкхия ТОК - Постка (МАКС) Вес Baзowый rerзonator ЧSTOTNARYAVENSPARINOSTHSTH Ток - Посткака (отклшит) (макс) ЧastoTA - Вес 1 ЧastoTA - vыхod 2 ЧastoTA - Вес 3 ASTOTA - В.О. 4 4
DSC6122CI2A-00AST Microchip Technology DSC6122CI2A-00AST 0,8800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 4-VDFN Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 - 3ma (typ) 0,035 "(0,90 мм) Мемс ± 25plm 20 млн, 25 мг - - -
DSC6122CI2A-00ATT Microchip Technology DSC6122CI2A-00ATT 0,8800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 4-VDFN Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 - 3ma (typ) 0,035 "(0,90 мм) Мемс ± 25plm 25 марта, 50 мгр - - -
DSC6122CI2A-00B3T Microchip Technology DSC6122CI2A-00B3T 0,8800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 4-VDFN Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 - 3ma (typ) 0,035 "(0,90 мм) Мемс ± 25plm 6 1298 мг, 6 1679 мг. - - -
DSC6023HI2A-00A5T Microchip Technology DSC6023HI2A-00A5T 1.1700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XX Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. 0,063 "L x 0,047" W (1,60 мм х 1,20 мм) 4-VFLGA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 - 1,3 мана (теп) 0,035 "(0,89 мм) Мемс ± 25plm 25 марта, 50 мгр - - -
DSC6023HI2A-00A7T Microchip Technology DSC6023HI2A-00A7T 1.1700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XX Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. 0,063 "L x 0,047" W (1,60 мм х 1,20 мм) 4-VFLGA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 - 1,3 мана (теп) 0,035 "(0,89 мм) Мемс ± 25plm 74,1758 мг, 74,25 мг. - - -
DSC6023HI2A-00A9T Microchip Technology DSC6023HI2A-00A9T 1.1700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XX Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. 0,063 "L x 0,047" W (1,60 мм х 1,20 мм) 4-VFLGA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 - 1,3 мана (теп) 0,035 "(0,89 мм) Мемс ± 25plm 26 Mmgц, 27 Mmgц - - -
DSC6023HI2A-00ACT Microchip Technology DSC6023HI2A-00ACT 1.1700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XX Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. 0,063 "L x 0,047" W (1,60 мм х 1,20 мм) 4-VFLGA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 - 1,3 мана (теп) 0,035 "(0,89 мм) Мемс ± 25plm 24 года, 48 млн. - - -
DSC6121HI2A-00AGT Microchip Technology DSC6121HI2A-00AGT 1.1700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. 0,063 "L x 0,047" W (1,60 мм х 1,20 мм) 4-VFLGA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 - 3ma (typ) 0,035 "(0,89 мм) Мемс ± 25plm 25 марта, 50 мгр - - -
DSC6121HI2A-00AJT Microchip Technology DSC6121HI2A-00AJT 1.1700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. 0,063 "L x 0,047" W (1,60 мм х 1,20 мм) 4-VFLGA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 - 3ma (typ) 0,035 "(0,89 мм) Мемс ± 25plm 74,1758 мг, 74,25 мг. - - -
DSC6121HI2A-00AQT Microchip Technology DSC6121HI2A-00AQT 1.1700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. 0,063 "L x 0,047" W (1,60 мм х 1,20 мм) 4-VFLGA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 - 3ma (typ) 0,035 "(0,89 мм) Мемс ± 25plm 12 марта, 24 млн. - - -
DSC6021CI2A-009T Microchip Technology DSC6021CI2A-009T 0,8800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XX Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 4-VDFN Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 110 - 1,3 мана (теп) 0,035 "(0,90 мм) Мемс ± 25plm 25 марта, 50 мгр - - -
DSC6021CI2A-009W Microchip Technology DSC6021CI2A-009W 0,8800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XX Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 4-VDFN Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 110 - 1,3 мана (теп) 0,035 "(0,90 мм) Мемс ± 25plm 25 мгх, 27 млн. - - -
DSC6021CI2A-00A2 Microchip Technology DSC6021CI2A-00A2 0,8800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XX Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 4-VDFN Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 110 - 1,3 мана (теп) 0,035 "(0,90 мм) Мемс ± 25plm 24 года, 48 млн. - - -
DSC6021CI2A-00A3 Microchip Technology DSC6021CI2A-00A3 0,8800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XX Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 4-VDFN Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 110 - 1,3 мана (теп) 0,035 "(0,90 мм) Мемс ± 25plm 6 1298 мг, 6 1679 мг. - - -
DSC6122CI2A-00AU Microchip Technology DSC6122CI2A-00AU 0,8800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 4-VDFN Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 110 - 3ma (typ) 0,035 "(0,90 мм) Мемс ± 25plm 50 мгр, 100 мгр - - -
DSC6122CI2A-00AV Microchip Technology DSC6122CI2A-00AV 0,8800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 4-VDFN Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 110 - 3ma (typ) 0,035 "(0,90 мм) Мемс ± 25plm 74,1758 мг, 74,25 мг. - - -
DSC6122CI2A-00AW Microchip Technology DSC6122CI2A-00AW 0,8800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 4-VDFN Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 110 - 3ma (typ) 0,035 "(0,90 мм) Мемс ± 25plm 25 мгх, 27 млн. - - -
DSC6122CI2A-00B1 Microchip Technology DSC6122CI2A-00B1 0,8800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 4-VDFN Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 110 - 3ma (typ) 0,035 "(0,90 мм) Мемс ± 25plm 12 марта, 24 млн. - - -
596AG000346DGR Skyworks Solutions Inc. 596AG000346DGR 11.9988
RFQ
 ECAD 6680 0,00000000 Skyworks Solutions Inc. SI596 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 6-SMD, neTLIDERSTVA Vcxo 596ag Lvpecl 3,3 В. СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 250 - 135ma 0,071 "(1,80 мм) Кришалл ± 50 млр 10 мг 10 мг - -
596CD000109DG Skyworks Solutions Inc. 596CD000109DG 8.8602
RFQ
 ECAD 6144 0,00000000 Skyworks Solutions Inc. SI596 Полески Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 6-SMD, neTLIDERSTVA Vcxo 596cd CMOS 3,3 В. СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 50 - 100 май 0,071 "(1,80 мм) Кришалл ± 20 а 74,175824 мг 74,25 мг - -
596CD000109DGR Skyworks Solutions Inc. 596cd000109dgr 8.5547
RFQ
 ECAD 8191 0,00000000 Skyworks Solutions Inc. SI596 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 6-SMD, neTLIDERSTVA Vcxo 596cd CMOS 3,3 В. СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 250 - 100 май 0,071 "(1,80 мм) Кришалл ± 20 а 74,175824 мг 74,25 мг - -
596FE000132DGR Skyworks Solutions Inc. 596FE000132DGR 11.9988
RFQ
 ECAD 8945 0,00000000 Skyworks Solutions Inc. SI596 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 6-SMD, neTLIDERSTVA Vcxo 596fe LVDS 2,5 В. СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 250 - 110 май 0,071 "(1,80 мм) Кришалл ± 20 а 148,35 мг 148,5 мг - -
597AF000629DG Skyworks Solutions Inc. 597AF000629DG 20.9702
RFQ
 ECAD 9151 0,00000000 Skyworks Solutions Inc. SI597 Полески Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 8-SMD, neTliDresTwa Vcxo 597af Lvpecl 3,3 В. СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 50 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 135ma 0,071 "(1,80 мм) Кришалл ± 50 млр 75 май 300 мг, 350 мг, 400 мг, 450 мгр. - - -
597CG002372DG Skyworks Solutions Inc. 597cg002372dg 8.5966
RFQ
 ECAD 8640 0,00000000 Skyworks Solutions Inc. SI597 Полески Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 8-SMD, neTliDresTwa Vcxo 597 Куб CMOS 3,3 В. СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 50 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 100 май 0,071 "(1,80 мм) Кришалл ± 50 млр 75 май 74,175824 мг., 74,25 мг. - - -
597CH000713DGR Skyworks Solutions Inc. 597CH000713DGR 13.0896
RFQ
 ECAD 7914 0,00000000 Skyworks Solutions Inc. SI597 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 8-SMD, neTliDresTwa Vcxo 597ch CMOS 3,3 В. СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 250 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 100 май 0,071 "(1,80 мм) Кришалл ± 20 а 75 май 144,39 м. - - -
597FG002373DG Skyworks Solutions Inc. 597FG002373DG 11.2978
RFQ
 ECAD 2758 0,00000000 Skyworks Solutions Inc. SI597 Полески Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 8-SMD, neTliDresTwa Vcxo 597fg LVDS 2,5 В. СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 50 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 110 май 0,071 "(1,80 мм) Кришалл ± 50 млр 75 май 148,35165 мг. - - -
597GA000584DG Skyworks Solutions Inc. 597GA000584DG 12.0332
RFQ
 ECAD 5342 0,00000000 Skyworks Solutions Inc. SI597 Полески Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 8-SMD, neTliDresTwa Vcxo 597GA CMOS 2,5 В. СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 50 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 100 май 0,071 "(1,80 мм) Кришалл ± 20 а 75 май 30 мг, 35 мг, 40 мг, 45 мг. - - -
597GA000585DG Skyworks Solutions Inc. 597GA000585DG 12.0332
RFQ
 ECAD 5714 0,00000000 Skyworks Solutions Inc. SI597 Полески Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 8-SMD, neTliDresTwa Vcxo 597GA CMOS 2,5 В. СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 50 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 100 май 0,071 "(1,80 мм) Кришалл ± 20 а 75 май 50 мгр, 60 мг, 70 мг, 80 мгр. - - -
597MF000442DG Skyworks Solutions Inc. 597mf000442dg 24.7752
RFQ
 ECAD 7581 0,00000000 Skyworks Solutions Inc. SI597 Полески Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 8-SMD, neTliDresTwa Vcxo 597mf Lvpecl 3,3 В. СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 50 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 135ma 0,071 "(1,80 мм) Кришалл ± 50 млр 75 май 622,08 мг., 672,162712 Mmgц, 696 421484 мг. - - -
597MF000442DGR Skyworks Solutions Inc. 597mf000442dgr 23.9645
RFQ
 ECAD 1423 0,00000000 Skyworks Solutions Inc. SI597 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 8-SMD, neTliDresTwa Vcxo 597mf Lvpecl 3,3 В. СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 250 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 135ma 0,071 "(1,80 мм) Кришалл ± 50 млр 75 май 622,08 мг., 672,162712 Mmgц, 696 421484 мг. - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть