SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Руэйнги Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta Wshod Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Файнкхия Programmirueemый typ ТОК - Постка (МАКС) Baзowый rerзonator ЧSTOTNARYAVERSAPARYNOSTHSTH RaSproStraneneeperpupusknoй pososobnosti opektra Ток - Посткака (отклшит) (макс) ДОСТУПНА ЧStoTnavanyavanyavangynyavanyshstath (obщ -я
DSC6003HE2A-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC6003HE2A-PROGRAMMIRUEEMый -
RFQ
ECAD 7761 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XX МАССА Управо -20 ° C ~ 70 ° C. AEC-Q100 0,063 "L x 0,047" W (1,60 мм х 1,20 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 1,3 мана (теп) Мемс - - 1 мг ~ 80 мгест ± 25plm
DSC8103BI2-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC8103BI2-PROGRAMMIRUEEMый 46.8100
RFQ
ECAD 2626 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8103 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-VDFN Xo (Стандарт) LVDS 2,25 -3,6 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 576-4702-programmirueemый Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный 32 май Мемс - - 95 мка 10 мг ~ 460 мгест ± 25plm
DSC8003DL2 Microchip Technology DSC8003DL2 -
RFQ
ECAD 9959 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8003 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC8003 CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 140 Poddershivath Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 15 май Мемс ± 25plm - 1 мг ~ 150 мгест -
DSC6101JA3B-PROG Microchip Technology DSC6101JA3B-PROG 1.0680
RFQ
ECAD 1758 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XXB Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-VLGA Xo (Стандарт) DSC6101 CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 140 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 3ma (typ) Мемс - - 3,5 kgц ~ 100 мкгц ± 20 aSteй naйцaх
DSC6112JE2A-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC6112JE2A-PROGRAMMIRUEEMый -
RFQ
ECAD 6858 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX МАССА Управо -20 ° C ~ 70 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный 3ma (typ) Мемс - - 12 Мка 1 мг ~ 100 мгн ± 25plm
DSC6001JE2A-000.0000T Microchip Technology DSC6001JE2A-000.0000T -
RFQ
ECAD 6192 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XX Lenta и катахка (tr) Управо -20 ° C ~ 70 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 1,3 мана (теп) Мемс - - 12 Мка 1 мг ~ 80 мгест ± 25plm
DSC6101CE2A-000.0000T Microchip Technology DSC6101CE2A-000.0000T -
RFQ
ECAD 3972 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Lenta и катахка (tr) Управо -20 ° C ~ 70 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 3ma (typ) Мемс - - 1 мг ~ 100 мгн ± 25plm
DSC6102JE1A-000.0000T Microchip Technology DSC6102JE1A-000.0000T -
RFQ
ECAD 5407 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Lenta и катахка (tr) Управо -20 ° C ~ 70 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 3ma (typ) Мемс - - 1 мг ~ 100 мгн ± 50 млр
DSC8101DI5T Microchip Technology DSC8101DI5T -
RFQ
ECAD 4648 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC8101 CMOS 2,25 -3,6 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Poddershivath Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 35 май Мемс ± 10PPM - -
DSC8001CL5 Microchip Technology DSC8001CL5 2.8200
RFQ
ECAD 189 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8001 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC8001 CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 576-4665 Ear99 8542.39.0001 110 Poddershivath Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 12.2ma Мемс - - 15 Мка 1 мг ~ 150 мгест ± 10PPM
DSC6003JI2A-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC6003JI2A-PROGRAMMIRUEEMый -
RFQ
ECAD 1712 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XX МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 1,3 мана (теп) Мемс - - 1 мг ~ 80 мгест ± 25plm
DSC6011HE1A-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC6011HE1A-PROGRAMMIRUEEMый -
RFQ
ECAD 1658 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XX МАССА Управо -20 ° C ~ 70 ° C. AEC-Q100 0,063 "L x 0,047" W (1,60 мм х 1,20 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный 1,3 мана (теп) Мемс - - 12 Мка 1 мг ~ 80 мгест ± 50 млр
DSC8102BI5-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC8102BI5-PROGRAMMIRUEEMый -
RFQ
ECAD 5614 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8102 Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-VDFN Xo (Стандарт) Lvpecl 2,25 -3,6 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 576-4696-programmirueemый Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный 58 май Мемс - - 95 мка 10 мг ~ 460 мгест ± 10PPM
DSC6111HE2A-000.0000T Microchip Technology DSC6111HE2A-000.0000T 1.0400
RFQ
ECAD 900 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Lenta и катахка (tr) Управо -20 ° C ~ 70 ° C. AEC-Q100 0,063 "L x 0,047" W (1,60 мм х 1,20 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Poddershivath Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 3ma (typ) Мемс - - 12 Мка 1 мг ~ 100 мгн ± 25plm
DSC6013JE1A-000.0000T Microchip Technology DSC6013JE1A-000.0000T -
RFQ
ECAD 6840 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XX Lenta и катахка (tr) Управо -20 ° C ~ 70 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Poddershivath Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 1,3 мана (теп) Мемс - - 12 Мка 1 мг ~ 80 мгест ± 50 млр
DSC6111HI1A-000.0000T Microchip Technology DSC6111HI1A-000.0000T 1.0200
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,063 "L x 0,047" W (1,60 мм х 1,20 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Poddershivath Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 3ma (typ) Мемс - - 12 Мка 1 мг ~ 100 мгн ± 50 млр
DSC6112HE1A-000.0000T Microchip Technology DSC6112HE1A-000.0000T 0,9900
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Lenta и катахка (tr) Управо -20 ° C ~ 70 ° C. AEC-Q100 0,063 "L x 0,047" W (1,60 мм х 1,20 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Poddershivath Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 3ma (typ) Мемс - - 12 Мка 1 мг ~ 100 мгн ± 50 млр
DSC8123AI5T Microchip Technology DSC8123AI5T -
RFQ
ECAD 1368 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8123 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC8123 LVDS 2,25 -3,6 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 32 май Мемс ± 10PPM - 22 май 10 мг ~ 460 мгест -
DSC8121BM5 Microchip Technology DSC8121BM5 -
RFQ
ECAD 2500 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8121 Трубка Управо -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 2,25 -3,6 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 72 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 35 май Мемс ± 10PPM - 22 май 10 мг ~ 100 мгн -
DSC6111JI1A-000.0000T Microchip Technology DSC6111JI1A-000.0000T -
RFQ
ECAD 8462 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Poddershivath Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 3ma (typ) Мемс - - 12 Мка 1 мг ~ 100 мгн ± 50 млр
DSC8001BI2 Microchip Technology DSC8001BI2 2.2800
RFQ
ECAD 4 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8001 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC8001 CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 576-4658 Ear99 8542.39.0001 72 Poddershivath Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 12.2ma Мемс - - 15 Мка 1 мг ~ 150 мгест ± 25plm
DSC8001BI2-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC8001BI2-PROGRAMMIRUEEMый 9.2500
RFQ
ECAD 8663 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8001 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 576-4658-programmirueemый Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный 12.2ma Мемс - - 15 Мка 1 мг ~ 150 мгест ± 25plm
DSC8121CM2 Microchip Technology DSC8121CM2 3.4300
RFQ
ECAD 4888 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8121 Трубка Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC8121 CMOS 2,25 -3,6 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 576-4721 Ear99 8542.39.0001 110 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 35 май Мемс - - 10 мг ~ 170 мгест ± 25plm
DSC6003MA3B-PROG Microchip Technology DSC6003MA3B-Prog 1.1640
RFQ
ECAD 4403 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XXB Симка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. AEC-Q100 0,079 "L x 0,063" W (2,00 мм х 1,60 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-VFLGA Xo (Стандарт) DSC6003 CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 100 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 1,3 мана (теп) Мемс - - 2 К. ± 20 aSteй naйцaх
DSC6001CE2A-000.0000T Microchip Technology DSC6001CE2A-000.0000T -
RFQ
ECAD 8658 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XX Lenta и катахка (tr) Управо -20 ° C ~ 70 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 1,3 мана (теп) Мемс - - 12 Мка 1 мг ~ 80 мгест ± 25plm
DSC6013MI1A-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC6013MI1A-PROGRAMMIRUEEMый -
RFQ
ECAD 4065 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XX МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,079 "L x 0,063" W (2,00 мм х 1,60 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный 1,3 мана (теп) Мемс - - 12 Мка 1 мг ~ 80 мгест ± 50 млр
DSC8004AL2-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC8004AL2-PROGRAMMIRUEEMый -
RFQ
ECAD 7588 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8004 Трубка Управо -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 576-4678-programmirueemый Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный 16,6 май Мемс - - 15 Мка 1 мг ~ 150 мгест ± 25plm
DSC6111JE2A-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC611111JE2A-PROGRAMMIRUEEMый -
RFQ
ECAD 1604 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX МАССА Управо -20 ° C ~ 70 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный 3ma (typ) Мемс - - 12 Мка 1 мг ~ 100 мгн ± 25plm
DSC8002CI1T Microchip Technology DSC8002CI1T -
RFQ
ECAD 2088 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8002 Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.39.0001 1000 Poddershivath Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 10 май Мемс ± 50 млр - 1 мг ~ 150 мгест -
DSC8102CI5-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC8102CI5-PROGRAMMIRUEEMый 31.3700
RFQ
ECAD 5148 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8102 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) Lvpecl 2,25 -3,6 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 576-4698-programmirueemый Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный 58 май Мемс - - 95 мка 10 мг ~ 460 мгест ± 10PPM
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе