SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Руэйнги Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta Wshod Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Файнкхия Programmirueemый typ ТОК - Постка (МАКС) Baзowый rerзonator ЧSTOTNARYAVERSAPARYNOSTHSTH RaSproStraneneeperpupusknoй pososobnosti opektra Ток - Посткака (отклшит) (макс) ДОСТУПНА ЧStoTnavanyavanyavangynyavanyshstath (obщ -я
DSC8101CM2 Microchip Technology DSC8101CM2 5.9700
RFQ
ECAD 315 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8101 Трубка Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC8101 CMOS 2,25 -3,6 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 576-4692 Ear99 8542.39.0001 110 Poddershivath Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 35 май Мемс - - 10 мг ~ 170 мгест ± 25plm
DSC8102BI5 Microchip Technology DSC8102BI5 18.8100
RFQ
ECAD 14 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8102 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC8102 Lvpecl 2,25 -3,6 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 576-4696 Ear99 8542.39.0001 72 Poddershivath Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 58 май Мемс - - 10 мг ~ 460 мгест ± 10PPM
DSC8103AI5 Microchip Technology DSC8103AI5 6.5125
RFQ
ECAD 2009 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8103 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC8103 LVDS 2,25 -3,6 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 576-4701 Ear99 8542.39.0001 50 Poddershivath Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 32 май Мемс - - 10 мг ~ 460 мгест ± 10PPM
DSC8104AI5 Microchip Technology DSC8104AI5 7.0500
RFQ
ECAD 17 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8104 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC8104 HCSL 2,25 -3,6 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 576-4706 Ear99 8542.39.0001 50 Poddershivath Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 42 май Мемс - - 10 мг ~ 460 мгест ± 10PPM
DSC8121DI2 Microchip Technology DSC8121DI2 3.3600
RFQ
ECAD 420 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8121 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC8121 CMOS 2,25 -3,6 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 576-4722 Ear99 8542.39.0001 140 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 35 май Мемс - - 10 мг ~ 170 мгест ± 25plm
DSC8122CI2 Microchip Technology DSC8122CI2 11.5300
RFQ
ECAD 7538 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8122 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC8122 Lvpecl 2,25 -3,6 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 576-4726 Ear99 8542.39.0001 110 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 58 май Мемс - - 10 мг ~ 460 мгест ± 25plm
DSC8122DI2 Microchip Technology DSC8122DI2 9.9900
RFQ
ECAD 230 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8122 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC8122 Lvpecl 2,25 -3,6 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 576-4727 Ear99 8542.39.0001 140 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 58 май Мемс - - 10 мг ~ 460 мгест ± 25plm
DSC8123BI5 Microchip Technology DSC8123BI5 10.4600
RFQ
ECAD 7430 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8123 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-VDFN Xo (Стандарт) DSC8123 LVDS 2,25 -3,6 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 576-4730 Ear99 8542.39.0001 72 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 32 май Мемс - - 10 мг ~ 460 мгест ± 10PPM
DSC8124BI2T Microchip Technology DSC8124BI2T -
RFQ
ECAD 3973 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8124 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-VDFN Xo (Стандарт) DSC8124 HCSL 2,25 -3,6 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 42 май Мемс ± 25plm - 10 мг ~ 460 мгест -
DSC8001BI2T Microchip Technology DSC8001BI2T 2.2800
RFQ
ECAD 9156 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC8001 CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 12.2ma Мемс ± 25plm - 15 Мка 1 мг ~ 150 мгест -
DSC8001CI5T Microchip Technology DSC8001CI5T -
RFQ
ECAD 7931 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC8001 CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Poddershivath Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 12.2ma Мемс ± 10PPM - 15 Мка 1 мг ~ 150 мгест -
DSC8001CL2T Microchip Technology DSC8001CL2T -
RFQ
ECAD 7663 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC8001 CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Poddershivath Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 12.2ma Мемс ± 25plm - 15 Мка 1 мг ~ 150 мгест -
DSC8001DI2T Microchip Technology DSC8001DI2T 1.8800
RFQ
ECAD 5849 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC8001 CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Poddershivath Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 12.2ma Мемс ± 25plm - 15 Мка 1 мг ~ 150 мгест -
DSC8001DL5T Microchip Technology DSC8001DL5T -
RFQ
ECAD 7840 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC8001 CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Poddershivath Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 12.2ma Мемс ± 10PPM - 15 Мка 1 мг ~ 150 мгест -
DSC8002DI2T Microchip Technology DSC8002DI2T -
RFQ
ECAD 2906 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8002 Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Poddershivath Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 10 май Мемс ± 25plm - 1 мка 1 мг ~ 150 мгест -
DSC8102AI2T Microchip Technology DSC8102AI2T -
RFQ
ECAD 1344 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8102 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC8102 Lvpecl 2,25 -3,6 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Poddershivath Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 58 май Мемс ± 25plm - 95 мка 10 мг ~ 460 мгест -
DSC8121AL2T Microchip Technology DSC8121AL2T -
RFQ
ECAD 3854 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8121 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-VDFN Xo (Стандарт) DSC8121 CMOS 2,25 -3,6 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 35 май Мемс ± 25plm - 22 май 10 мг ~ 170 мгест -
DSC8121BI2T Microchip Technology DSC8121BI2T -
RFQ
ECAD 8599 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8121 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC8121 CMOS 2,25 -3,6 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 35 май Мемс ± 25plm - 22 май 10 мг ~ 100 мгн -
DSC8123CI5T Microchip Technology DSC8123CI5T -
RFQ
ECAD 7738 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8123 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC8123 LVDS 2,25 -3,6 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 32 май Мемс ± 10PPM - 22 май 10 мг ~ 460 мгест -
DSC8104CI2-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC8104CI2-PROGRAMMIRUEEMый 13.3300
RFQ
ECAD 4372 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8104 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) HCSL 2,25 -3,6 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 576-4709-programmirueemый Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный 42 май Мемс - - 95 мка 10 мг ~ 460 мгест ± 25plm
DSC8102CI2-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC8102CI2-PROGRAMMIRUEEMый 26.0900
RFQ
ECAD 8301 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8102 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) Lvpecl 2,25 -3,6 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 576-4697-programmirueemый Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный 58 май Мемс - - 95 мка 10 мг ~ 460 мгест ± 25plm
DSC8103CI5-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC8103CI5-PROGRAMMIRUEEMый 31.3700
RFQ
ECAD 4164 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8103 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) LVDS 2,25 -3,6 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 576-4705-programmirueemый Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный 32 май Мемс - - 95 мка 10 мг ~ 460 мгест ± 10PPM
DSC8002CC1-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC8002CC1-PROGRAMMIRUEEMый -
RFQ
ECAD 8478 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8002 Трубка Управо 0 ° C ~ 70 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 576-4674 Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный 10 май Мемс - - 1 мка 1 мг ~ 150 мгест ± 50 млр
DSC8001CI2-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC8001CI2-PROGRAMMIRUEEMый 9.2000
RFQ
ECAD 2004 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8001 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 576-4662-programmirueemый Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный 12.2ma Мемс - - 15 Мка 1 мг ~ 150 мгест ± 25plm
DSC8001DI2-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC8001DI2-PROGRAMMIRUEEMый 9.6800
RFQ
ECAD 3656 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8001 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 576-4667-programmirueemый Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный 12.2ma Мемс - - 15 Мка 1 мг ~ 150 мгест ± 25plm
DSC8001CL5-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC8001CL5-PROGRAMMIRUEEMый 10.2600
RFQ
ECAD 3086 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8001 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 576-4665-programmirueemый Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный 12.2ma Мемс - - 15 Мка 1 мг ~ 150 мгест ± 10PPM
DSC8121DI2-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC8121DI2-PROGRAMMIRUEEMый 11.2600
RFQ
ECAD 9969 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8121 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 2,25 -3,6 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 576-4722-programmirueemый Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 35 май Мемс - - 22 май 10 мг ~ 170 мгест ± 25plm
DSC8104BI2-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC8104BI2-PROGRAMMIRUEEMый 12.8500
RFQ
ECAD 6812 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8104 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-VDFN Xo (Стандарт) HCSL 2,25 -3,6 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 576-4707-programmirueemый Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный 42 май Мемс - - 95 мка 10 мг ~ 460 мгест ± 25plm
DSC8123BI2-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC8123BI2-PROGRAMMIRUEEMый 25.2300
RFQ
ECAD 8742 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8123 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-VDFN Xo (Стандарт) LVDS 2,25 -3,6 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 576-4729-programmirueemый Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 32 май Мемс - - 22 май 10 мг ~ 460 мгест ± 25plm
DSC8122AI2-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC8122AI2-PROGRAMMIRUEEMый 24.2700
RFQ
ECAD 3436 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8122 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) Lvpecl 2,25 -3,6 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 576-4724-programmirueemый Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 58 май Мемс - - 22 май 10 мг ~ 460 мгест ± 25plm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе