SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Руэйнги Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta Wshod Napraheneee - posta Вернояж Eccn Htsus Станодадж Файнкхия Programmirueemый typ ТОК - Постка (МАКС) Baзowый rerзonator ЧSTOTNARYAVENSPARINOSTHSTH RaSproStraneneeperpupusknoй pososobnosti opektra Ток - Посткака (отклшит) (макс) ДОСТУПНА ЧStoTnavanyavanyavangynyavanyshstath (obщ -я
503GBA-ACAF Silicon Labs 503GBA-ACAF -
RFQ
ECAD 9322 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI503 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 503GBA LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 30 млр
503FBA-ABAG Silicon Labs 503FBA-ABAG -
RFQ
ECAD 1136 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI503 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 503FBA LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 30 млр
501FBK-ABAG Silicon Labs 501FBK-ABAG -
RFQ
ECAD 4698 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501FBK LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 30 млр
502KBF-ABAG Silicon Labs 502KBF-ABAG -
RFQ
ECAD 3471 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI502 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 502KBF LVCMOS 2,5 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 30 млр
501ECK-ADAG Silicon Labs 501eck-adag -
RFQ
ECAD 9506 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501 -й LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 20 aSteй naйцaх
501MCA-ACAF Silicon Labs 501mca-acaf -
RFQ
ECAD 7075 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501mca LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 20 aSteй naйцaх
502BAB-ABAF Silicon Labs 502BAB-ABAF -
RFQ
ECAD 4275 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI502 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 502bab LVCMOS 3,3 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 50 млр
501MCK-ABAG Silicon Labs 501mck-abag -
RFQ
ECAD 7188 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501mck LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 20 aSteй naйцaх
501KCD-ADAG Silicon Labs 501KCD-Adag -
RFQ
ECAD 6381 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501 кмд LVCMOS 2,5 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 20 aSteй naйцaх
501NCA-ADAF Silicon Labs 501nca-adaf -
RFQ
ECAD 2146 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501nca LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 20 aSteй naйцaх
502MAF-ABAG Silicon Labs 502maf-abag -
RFQ
ECAD 6872 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI502 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 502maf LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 50 млр
504DBA-ABAF Silicon Labs 504DBA-ABAF -
RFQ
ECAD 4049 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI504 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 504DBA LVCMOS 1,8 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 30 млр
503HAB-ACAF Silicon Labs 503hab-acaf -
RFQ
ECAD 6710 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI503 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 503hab LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 50 млр
502BAD-ACAG Silicon Labs 502bad-acag -
RFQ
ECAD 3048 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI502 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 502bad LVCMOS 3,3 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 50 млр
502EAD-ACAF Silicon Labs 502ead-acaf -
RFQ
ECAD 9253 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI502 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 502aad LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 50 млр
504CCA-BDAG Silicon Labs 504CCA-BDAG -
RFQ
ECAD 7953 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI504 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 504CCA LVCMOS 2,5 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 20 aSteй naйцaх
502JCF-ABAF Silicon Labs 502JCF-ABAF -
RFQ
ECAD 3789 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI502 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 502JCF LVCMOS 3,3 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 20 aSteй naйцaх
501LCF-ADAG Silicon Labs 501lcf-adag -
RFQ
ECAD 2969 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501LCF LVCMOS 1,8 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 20 aSteй naйцaх
503MAB-ABAF Silicon Labs 503mab-abaf -
RFQ
ECAD 3340 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI503 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 503mab LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 50 млр
501ACF-ABAF Silicon Labs 501ACF-ABAF -
RFQ
ECAD 6148 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501ACF LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 20 aSteй naйцaх
502JAD-ADAG Silicon Labs 502jad-adag -
RFQ
ECAD 8875 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI502 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 502Jad LVCMOS 3,3 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 50 млр
502MBA-ACAG Silicon Labs 502mba-acag -
RFQ
ECAD 5501 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI502 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 502MBA LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 30 млр
502GAF-ACAF Silicon Labs 502gaf-acaf -
RFQ
ECAD 1247 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI502 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 502GAF LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 50 млр
501LCJ-ACAF Silicon Labs 501lcj-acaf -
RFQ
ECAD 6000 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501LCJ LVCMOS 1,8 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 20 aSteй naйцaх
501NCA-ABAG Silicon Labs 501nca-abag -
RFQ
ECAD 3882 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501nca LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 20 aSteй naйцaх
501ECJ-ABAG Silicon Labs 501ECJ-ABAG -
RFQ
ECAD 7452 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501ECJ LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 20 aSteй naйцaх
501JAH-ACAG Silicon Labs 501jah-acag -
RFQ
ECAD 7041 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501JAH LVCMOS 3,3 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 50 млр
503KCB-ADAG Silicon Labs 503KCB-ADAG -
RFQ
ECAD 6410 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI503 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 503KCB LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 20 aSteй naйцaх
501MAG-ADAF Silicon Labs 501mag-adaf -
RFQ
ECAD 7030 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501mag LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 50 млр
501LBE-ACAF Silicon Labs 501lbe-acaf -
RFQ
ECAD 6942 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501LBE LVCMOS 1,8 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 30 млр
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе