- RFQ
- Категория
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- Японский
- корейский
- арабский
- Ирландский
- Греческий
- турецкий
- Итальянский
- Датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Лак
- Баск
- Каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаос
- албанский
- Амхарский
- Армянский
- Азербайджани
- Белорус
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- Себуано
- Чичева
- Корсикан
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинец
- Финский
- фризский
- Галиц
- Грузинец
- Гуджарати
- Гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- Яванский
- Каннада
- Казах
- Кхмер
- Курдский
- Кыргиз
- латинский
- Латвиан
- литовский
- Люксембу ..
- македонский
- Малагасийский
- малайский
- Малаялам
- Мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- Бирманский
- Непальский
- норвежский
- Пушту
- Персидский
- Пенджаби
- сербский
- Сезото
- Сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомалийский
- Самоан
- Шотландцы гэльские
- Шона
- Синдхи
- Сунданец
- суахили
- Таджик
- Тамильский
- телугу
- Тайский
- Украинский
- Урду
- Узбек
- вьетнамский
- валлийский
- Xhosa
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Kinyarwanda
- Татар
- Ария
- туркменский
- Уйгур
PrograMmIrueEmыegeNerAtOrы (5550)
| Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Rraboч -yemperatura | Руэйнги | Raзmer / yзmerenee | Веса - Синяя (МАКСИМУМ) | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | ТИП | Baзowый nomer prodikta | Wshod | Napraheneee - posta | Вернояж | Eccn | Htsus | Станодадж | Файнкхия | Programmirueemый typ | ТОК - Постка (МАКС) | Baзowый rerзonator | ЧSTOTNARYAVENSPARINOSTHSTH | RaSproStraneneeperpupusknoй pososobnosti opektra | Ток - Посткака (отклшит) (макс) | ДОСТУПНА | ЧStoTnavanyavanyavangynyavanyshstath (obщ -я |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 501JCA-Adag | - |  | 2250 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI501 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 501JCA | LVCMOS | 3,3 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 20 aSteй naйцaх | |
| 501NAL-ADAG | - | | 7804 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI501 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 501nal | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 50 млр | |
| 501LAD-ADAG | - | | 5351 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI501 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 501LAD | LVCMOS | 1,8 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 50 млр | |
| 502jaa-abag | - | | 7463 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI502 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 502JAA | LVCMOS | 3,3 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 50 млр | |
| 501kab-abag | - | | 7535 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI501 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 501KAB | LVCMOS | 2,5 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 50 млр | |
| 501nbg-abag | - | | 3567 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI501 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 501NBG | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 30 млр | |
| 501KCC-ABAF | - | | 3526 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI501 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 501KCC | LVCMOS | 2,5 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 20 aSteй naйцaх | |
| 501EBL-ABAF | - | | 6790 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI501 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 501EBL | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,5 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 30 млр | |
| 502MBC-ADAF | - | | 4281 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI502 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 502MBC | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 30 млр | |
| 501eaj-acag | - | | 3999 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI501 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 501EAJ | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,5 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 50 млр | |
| 502CAF-ADAF | - | | 5166 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI502 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 502CAF | LVCMOS | 2,5 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,5 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 50 млр | |
| 502cab-abag | - | | 6355 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI502 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 502cab | LVCMOS | 2,5 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,5 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 50 млр | |
| 501kcl-acag | - | | 1364 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI501 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 501kcl | LVCMOS | 2,5 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 20 aSteй naйцaх | |
| 502LBD-Adaf | - | | 5732 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI502 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 502 Фунт | LVCMOS | 1,8 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 30 млр | |
| 501HBG-ABAG | - | | 8997 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI501 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 501HBG | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 30 млр | |
| 504lba-acaf | - | | 9260 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI504 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 504LBA | LVCMOS | 1,8 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 30 млр | |
| 504caa-bbag | - | | 8886 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI504 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 504CAA | LVCMOS | 2,5 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,5 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 50 млр | |
| 503AAA-ABAG | - | | 3575 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI503 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 503AAA | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,5 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 50 млр | |
| 503fab-abag | - | | 7853 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI503 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 503fab | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,5 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 50 млр | |
| 501CCD-ABAF | - | | 1223 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI501 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 501CCD | LVCMOS | 2,5 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,5 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 20 aSteй naйцaх | |
| 501HAC-ACAF | - | | 1344 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI501 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 501HAC | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 50 млр | |
| 502ncd-adag | - | | 8344 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI502 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 502ncd | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 20 aSteй naйцaх | |
| 502jab-adaf | - | | 3201 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI502 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 502jab | LVCMOS | 3,3 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 50 млр | |
| 502jce-abag | - | | 6729 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI502 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 502JCE | LVCMOS | 3,3 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 20 aSteй naйцaх | |
| 501CAA-ADAG | - | | 8318 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI501 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 501CAA | LVCMOS | 2,5 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,5 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 50 млр | |
| 504haa-adag | - | | 3884 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI504 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 504HAA | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 50 млр | |
| 501nbl-abaf | - | | 2840 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI501 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 501nbl | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 30 млр | |
| 501lbj-adag | - | | 7552 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI501 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 501LBJ | LVCMOS | 1,8 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 30 млр | |
| 501fbj-acaf | - | | 1533 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI501 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 501FBJ | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,5 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 30 млр | |
| 501EAM-ADAF | - | | 2465 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI501 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 501 | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,5 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 50 млр |
2000+
Средний объем RFQ
30 000 000
Стандартный продукт
2800+
Мировые производители
15 000 м2
На складе
Список желаний (0 пунктов)