Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Rraboч -yemperatura | Rerйtingi | Raзmer / yзmerenee | Веса - Синяя (МАКСИМУМ) | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | ТИП | Baзowый nomer prodikta | Wshod | Napraheneee - posta | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Доусейн Статуса | Eccn | Htsus | Станодар | Файнкхия | Programmirueemый typ | ТОК - Постка (МАКС) | Baзowый rerзonator | ЧSTOTNARYAVENSPARINOSTHSTH | RaSproStraneneeperpupusknoй pososobnosti opektra | Ток - Посткака (отклшит) (макс) | ДОСТУПНА | ЧStoTnavanyavanyavangynyavanyshstath (obщ -я |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SG-9101CA-C07PGBCC | 5,1000 | ![]() | 4751 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | ± 0,75%, | 3,7 млн | 670 кг ~ 20 мгн | - | ||
![]() | SG-9101CG-D15SGBCC | 5,1000 | ![]() | 7226 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,031 "(0,80 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | Poddershivath | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | -1,50%, vniз | 3,7 млн | 670 кг ~ 20 мгн | - | ||
![]() | SG-9101CA-D30SHAAB | 5,1000 | ![]() | 5180 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | Poddershivath | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | -3,00%, vniз | 3,7 млн | 670 кг ~ 170 мг | - | ||
![]() | 591GD-ADG | 25.2800 | ![]() | 7746 | 0,00000000 | Skyworks Solutions Inc. | SI591 | Полески | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,071 "(1,80 мм) | Пефер | 6-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 591gd | CMOS | 2,5 В. | СКАХАТА | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 90 май | Кришалл | ± 7ppm | - | 75 май | 10 мг ~ 810 мгест | ± 20 aSteй naйцaх | ||||
![]() | 504pba-bbag | - | ![]() | 8294 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI504 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 504PBA | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | - | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 30 млр | |||
![]() | SG-9101CB-C02SHBBA | 8.2800 | ![]() | 1085 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | Poddershivath | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | ± 0,25% | 3,7 млн | 670 кг ~ 170 мг | - | ||
![]() | SG-9101CA-D40SHDBA | 5,1000 | ![]() | 3461 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | Poddershivath | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | -4,00%, vniз | 3,7 млн | 670 кг ~ 170 мг | - | ||
![]() | SG-9101CB-C05SHDAC | 8.2800 | ![]() | 4581 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | Poddershivath | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | ± 0,50%, | 3,7 млн | 670 кг ~ 20 мгн | - | ||
![]() | SGR-8002DC-SHC | 4.4600 | ![]() | 2021 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8002 | Трубка | Актифен | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,539 "L x 0,260" W (13,70 мм x 6,60 мм) | 0,209 "(5,30 мм) | Чereз dыru | 8-Dip, 4 provoDa (polowinaramera) | Xo (Стандарт) | CMOS | 5в | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | Poddershivath | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 45 май | Кришалл | ± 100 млр | - | 50 мк | 1 мг ~ 125 мгест | - | |||
![]() | SG-9101CE-C02SHACC | 7.7100 | ![]() | 8395 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,047 "(1,20 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | Poddershivath | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | ± 0,25% | 3,7 млн | 670 кг ~ 20 мгн | - | ||
CPPC7-LT06P | 2.7100 | ![]() | 2705 | 0,00000000 | Cardinal Components Inc. | Fipo ™ CPP | Трубка | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,075 "(1,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 3,3 В. | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | Poddershivath | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 25 май | Кришалл | ± 100 млр | - | 1 мг ~ 100 мгн | - | |||||
![]() | 591PA-BDG | 25.6600 | ![]() | 3753 | 0,00000000 | Skyworks Solutions Inc. | SI591 | Полески | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,071 "(1,80 мм) | Пефер | 6-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 591pa | CMOS | 3,3 В. | СКАХАТА | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 90 май | Кришалл | ± 50 млр | - | 75 май | 10 мг ~ 810 мгест | ± 100 млр | ||||
![]() | 501dbd-acaf | - | ![]() | 4800 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI501 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 501DBD | LVCMOS | 1,8 В. | - | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,5 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 30 млр | |||
![]() | 501ncd-adaf | - | ![]() | 4827 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI501 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 501ncd | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | - | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 20 aSteй naйцaх | |||
![]() | SG-9101CE-D40SHDBB | 7.7100 | ![]() | 6240 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,047 "(1,20 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | Poddershivath | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | -4,00%, vniз | 3,7 млн | 670 кг ~ 170 мг | - | ||
![]() | SG-9101CA-D20SHCBA | 5,1000 | ![]() | 3188 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | Poddershivath | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | -2,00%, vniз | 3,7 млн | 670 кг ~ 170 мг | - | ||
![]() | 501ECM-ABAG | - | ![]() | 6252 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI501 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 501ECM | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | - | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,5 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 20 aSteй naйцaх | |||
![]() | 501LAD-ADAF | - | ![]() | 6761 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI501 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 501LAD | LVCMOS | 1,8 В. | - | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 50 млр | |||
![]() | 501lck-adaf | - | ![]() | 8193 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI501 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 501lck | LVCMOS | 1,8 В. | - | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 20 aSteй naйцaх | |||
![]() | SG-9101CA-C10PGBCC | 5,1000 | ![]() | 1467 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | ± 1,00%, | 3,7 млн | 670 кг ~ 20 мгн | - | ||
![]() | SG-9101CE-D40PHACA | 7.7100 | ![]() | 5922 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,047 "(1,20 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | -4,00%, vniз | 3,7 млн | 670 кг ~ 170 мг | - | ||
![]() | CPPLT1-LT0pp | - | ![]() | 4274 | 0,00000000 | Cardinal Components Inc. | Fipo ™ CPPL | Трубка | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,819 "L x 0,520" W (20,80 мм x 13,20 мм) | 0,200 "(5,08 мм) | Чereз dыru | 14-Dip, 4 SVINцA (Polnoraзmernaip, MmeTALLIGHAN | Xo (Стандарт) | В | 3,3 В. | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | Ear99 | 8542.39.0001 | 25 | Poddershivath | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 25 май | Кришалл | ± 50 млр | - | 50 мк | 1 мг ~ 100 мгн | - | ||||
![]() | SG-9101CA-C10PHBBA | 5,1000 | ![]() | 1824 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | ± 1,00%, | 3,7 млн | 670 кг ~ 170 мг | - | ||
![]() | VG7050ECN-SM20T002-DJGHPZ3 | - | ![]() | 7647 | 0,00000000 | Эpsoan | VG7050ECN | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,067 "(1,70 мм) | Пефер | 10-SMD, neTLIDERSTVA | Vcxo | Lvpecl | 2,5 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Poddershivath | Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) | 90 май | Кришалл | - | - | 40 май | 50 мг ~ 800 мгц | ± 50 млр | |||
![]() | 502mce-abag | - | ![]() | 5242 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI502 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 502mce | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | - | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 20 aSteй naйцaх | |||
![]() | 591HC-CDG | 33 7600 | ![]() | 4524 | 0,00000000 | Skyworks Solutions Inc. | SI591 | Полески | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,071 "(1,80 мм) | Пефер | 6-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 591HC | CML | 2,5 В. | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 110 май | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | 75 май | 10 мг ~ 810 мгест | ± 30 млр | |||
![]() | SG-9101CB-C05shabb | 8.2800 | ![]() | 4495 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | Poddershivath | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | ± 0,50%, | 3,7 млн | 670 кг ~ 170 мг | - | ||
![]() | SG-9101CB-D30SGDCB | 8.2800 | ![]() | 5638 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | Poddershivath | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | -3,00%, vniз | 3,7 млн | 670 кг ~ 170 мг | - | ||
![]() | SG-9101CE-D10PHCCB | 7.7100 | ![]() | 6553 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,047 "(1,20 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | -1,00%, vniз | 3,7 млн | 670 кг ~ 170 мг | - | ||
![]() | 500DCAA-ACF | - | ![]() | 1052 | 0,00000000 | Skyworks Solutions Inc. | SI500D | Трубка | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 6-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 500DCA | LVDS | 3,3 В. | - | Rohs3 | 2 (1 годы) | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 16,5 мая | Кремни | ± 10PPM | - | 10,7 Ма | 900 kgц ~ 200 мгр | ± 150 млр |
Средний объем RFQ
Стандартный продукт
Мировые производители
На складе