- RFQ
- Категория
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- Японский
- корейский
- арабский
- Ирландский
- Греческий
- турецкий
- Итальянский
- Датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Лак
- Баск
- Каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаос
- албанский
- Амхарский
- Армянский
- Азербайджани
- Белорус
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- Себуано
- Чичева
- Корсикан
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинец
- Финский
- фризский
- Галиц
- Грузинец
- Гуджарати
- Гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- Яванский
- Каннада
- Казах
- Кхмер
- Курдский
- Кыргиз
- латинский
- Латвиан
- литовский
- Люксембу ..
- македонский
- Малагасийский
- малайский
- Малаялам
- Мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- Бирманский
- Непальский
- норвежский
- Пушту
- Персидский
- Пенджаби
- сербский
- Сезото
- Сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомалийский
- Самоан
- Шотландцы гэльские
- Шона
- Синди
- Сунданец
- суахили
- Таджик
- Тамильский
- телугу
- Тайский
- Украинский
- Урду
- Узбек
- вьетнамский
- валлийский
- Xhosa
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Kinyarwanda
- Татар
- Ария
- туркменский
- Уйгур
PrograMmIrueEmыegeneratorы (16006)
| Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Rraboч -yemperatura | Руэйнги | Raзmer / yзmerenee | Веса - Синяя (МАКСИМУМ) | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | ТИП | Baзowый nomer prodikta | Вес | Napraheneee - posta | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Доусейн Статуса | Дрогин ИНЕНА | Eccn | Htsus | Станодар | Файнкхия | Programmirueemый typ | ТОК - Постка (МАКС) | Baзowый rerзonator | ЧSTOTNARYAVENSPARINOSTHSTH | RaSproStraneneeperpupusknoй pososobnosti opektra | Ток - Посткака (отклшит) (макс) | ДОСТУПНА | ЧStoTnavanyavanyavangynyavanyshstath (obщ -я |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 502HBC-ADAG | - |  | 8053 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI502 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 502HBC | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | - | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 30 млр | ||||
 | SG-9101CA-C02SGBCC | 5,1000 | | 7254 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | Poddershivath | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | ± 0,25% | 3,7 млн | 670 кг ~ 20 мгн | - | |||
 | ASSFLP-C04 | 4.9300 | | 2209 | 0,00000000 | Abracon LLC | Assflp | МАССА | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | Assflp | CMOS | 3,3 В. | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | Neprigodnnый | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | Poddershivath | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 40 май | Кришалл | - | ± 0,50%, | 8 мгха ~ 160 мгест | ± 50 млр | |||
 | SG-9101CB-C20SHACB | 8.2800 | | 5213 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | Poddershivath | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | ± 2,00%, | 3,7 млн | 670 кг ~ 170 мг | - | |||
 | SG-9101CE-D20SHCBC | 7.7100 | | 2657 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,047 "(1,20 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | Poddershivath | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | -2,00%, vniз | 3,7 млн | 670 кг ~ 20 мгн | - | |||
| 501EAD-ADAF | - | | 3045 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI501 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 501ADE | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | - | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,5 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 50 млр | ||||
| SG-9101CB-D40PGAAAB | 8.2800 | | 9519 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | -4,00%, vniз | 3,7 млн | 670 кг ~ 170 мг | - | |||
| SG-9101CA-D30SGABC | 5,1000 | | 2655 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | Poddershivath | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | -3,00%, vniз | 3,7 млн | 670 кг ~ 20 мгн | - | |||
| SG-9101CB-C05SHBBB | 8.2800 | | 7329 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | Poddershivath | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | ± 0,50%, | 3,7 млн | 670 кг ~ 170 мг | - | |||
 | 590ec-bdg | - | | 6649 | 0,00000000 | Skyworks Solutions Inc. | SI590 | Полески | Пркрэно | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,071 "(1,80 мм) | Пефер | 6-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 590EC | Lvpecl | 2,5 В. | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 125 май | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | 75 май | 125 мг ~ 214,999 М. | ± 30 млр | ||||
 | SG-9101CG-D10SHBBB | 5,1000 | | 9211 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,031 "(0,80 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | Poddershivath | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | -1,00%, vniз | 3,7 млн | 670 кг ~ 170 мг | - | |||
 | 511bcb-cbag | 19.5600 | | 2390 | 0,00000000 | Skyworks Solutions Inc. | SI511 | Полески | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,050 "(1,28 мм) | Пефер | 6-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 511bcb | LVDS | 3,3 В. | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 23ma | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | 18 май | 170 мг ~ 250 лет | ± 30 млр | ||||
| SG-9101CA-C20SGCCC | 5,1000 | | 9990 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | Poddershivath | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | ± 2,00%, | 3,7 млн | 670 кг ~ 20 мгн | - | |||
| SG-9101CE-D40SGCAA | 7.7100 | | 9122 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,047 "(1,20 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | Poddershivath | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | -4,00%, vniз | 3,7 млн | 670 кг ~ 170 мг | - | |||
| SG-9101CA-C07PGABC | 5,1000 | | 6027 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | ± 0,75%, | 3,7 млн | 670 кг ~ 20 мгн | - | |||
| SG-9101CA-D30PGDBB | 5,1000 | | 5611 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | -3,00%, vniз | 3,7 млн | 670 кг ~ 170 мг | - | |||
| 502PAF-ABAF | - | | 9585 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI502 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 502PAF | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | - | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 50 млр | ||||
 | DSC8002CC1 | 1.6400 | | 839 | 0,00000000 | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | DSC8002 | Трубка | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 576-4674 | Ear99 | 8542.39.0001 | 110 | Poddershivath | Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) | 10 май | Мемс | - | - | 1 мка | 1 мг ~ 150 мгест | ± 50 млр | ||
| SG-9101CB-D30PGACC | 8.2800 | | 3549 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | -3,00%, vniз | 3,7 млн | 670 кг ~ 20 мгн | - | |||
| 501dcc-acaf | - | | 3070 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI501 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 501DCC | LVCMOS | 1,8 В. | - | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,5 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 20 aSteй naйцaх | ||||
 | 510gcb-abag | 16.5400 | | 9535 | 0,00000000 | Skyworks Solutions Inc. | SI510 | Полески | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,050 "(1,28 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 510GCB | CMOS | 2,5 В. | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 26 май | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | 18 май | 100 kgц ~ 124,999 M - | ± 30 млр | ||||
| SG-9101CE-C02PGABB | 7.7100 | | 1615 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,047 "(1,20 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | ± 0,25% | 3,7 млн | 670 кг ~ 170 мг | - | |||
| 502GBF-ABAF | - | | 8452 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI502 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 502GBF | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | - | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,5 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 30 млр | ||||
| SG-9101CG-C07SHACC | 5,1000 | | 6065 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,031 "(0,80 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | Poddershivath | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | ± 0,75%, | 3,7 млн | 670 кг ~ 20 мгн | - | |||
| SG-9101CG-D30SHCBC | 5,1000 | | 1250 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,031 "(0,80 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | Poddershivath | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | -3,00%, vniз | 3,7 млн | 670 кг ~ 20 мгн | - | |||
 | SG-8101CB-TBGPC | 4.5200 | | 9959 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,8 мая | Кришалл | - | - | 3,5 мая | 670 кг ~ 20 мгн | ± 15 | |||
| 501LBE-ADAG | - | | 6961 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI501 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 501LBE | LVCMOS | 1,8 В. | - | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 30 млр | ||||
| SG-9101CE-D15SGAAC | 7.7100 | | 4246 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,047 "(1,20 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | Poddershivath | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | -1,50%, vniз | 3,7 млн | 670 кг ~ 20 мгн | - | |||
| 502 мкб-абаба | - | | 3381 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI502 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 502 мБ | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | - | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 30 млр | ||||
| 502lcd-adaf | - | | 8787 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI502 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 502lcd | LVCMOS | 1,8 В. | - | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 20 aSteй naйцaх |
2000+
Среднесуточный объем RFQ
30 000 000
Стандартный продукт
2800+
Мировые производители
15 000 м2
На складе
Список желаний (0 пунктов)