- RFQ
- Категория
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- Японский
- корейский
- арабский
- Ирландский
- Греческий
- турецкий
- Итальянский
- Датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Лак
- Баск
- Каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаос
- албанский
- Амхарский
- Армянский
- Азербайджани
- Белорус
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- Себуано
- Чичева
- Корсикан
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинец
- Финский
- фризский
- Галиц
- Грузинец
- Гуджарати
- Гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- Яванский
- Каннада
- Казах
- Кхмер
- Курдский
- Кыргиз
- латинский
- Латвиан
- литовский
- Люксембу ..
- македонский
- Малагасийский
- малайский
- Малаялам
- Мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- Бирманский
- Непальский
- норвежский
- Пушту
- Персидский
- Пенджаби
- сербский
- Сезото
- Сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомалийский
- Самоан
- Шотландцы гэльские
- Шона
- Синдхи
- Сунданец
- суахили
- Таджик
- Тамильский
- телугу
- Тайский
- Украинский
- Урду
- Узбек
- вьетнамский
- валлийский
- Xhosa
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Kinyarwanda
- Татар
- Ария
- туркменский
- Уйгур
PrograMmIrueEmыegeneratorы (16006)
| Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Rraboч -yemperatura | Руэйнги | Raзmer / yзmerenee | Веса - Синяя (МАКСИМУМ) | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | ТИП | Baзowый nomer prodikta | Wshod | Napraheneee - posta | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Доусейн Статуса | Дрогин ИНЕНА | Eccn | Htsus | Станодадж | Файнкхия | Programmirueemый typ | ТОК - Постка (МАКС) | Baзowый rerзonator | ЧSTOTNARYAVENSPARINOSTHSTH | RaSproStraneneeperpupusknoй pososobnosti opektra | Ток - Посткака (отклшит) (макс) | ДОСТУПНА | ЧStoTnavanyavanyavangynyavanyshstath (obщ -я |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DSC6001HI1A-000.0000T | - |  | 7865 | 0,00000000 | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | DSC60XX | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | AEC-Q100 | 0,063 "L x 0,047" W (1,60 мм х 1,20 мм) | 0,035 "(0,89 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,71 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) | 1,3 мана (теп) | Мемс | - | - | 12 Мка | 1 мг ~ 80 мгест | ± 50 млр | |||
 | SG-8101CA-TBGPB | 4.3200 | | 5336 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | SG-8101CA-PWT3: Blank | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,8 мая | Кришалл | - | - | 3,5 мая | 670 кг ~ 170 мг | ± 15 | ||
 | CY25701LXC051T | 2.8800 | | 14 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | МАССА | Управо | - | 2156-CY25701LXC051T | 105 | |||||||||||||||||||||||||
 | 501caj-acaf | - | | 4883 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI501 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 501caj | LVCMOS | 2,5 В. | - | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,5 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 50 млр | ||||
 | CPPC7-HT56P | 2.7100 | | 6003 | 0,00000000 | Cardinal Components Inc. | Fipo ™ CPP | Трубка | Актифен | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,075 "(1,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 5в | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | Poddershivath | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 45 май | Кришалл | ± 100 млр | - | 1 мг ~ 133 мгест | - | |||||
 | SG-9101CA-C20SGACA | 5,1000 | | 3556 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | Poddershivath | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | ± 2,00%, | 3,7 млн | 670 кг ~ 170 мг | - | |||
 | SG-9101CB-C02PGBBA | 8.2800 | | 1651 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | ± 0,25% | 3,7 млн | 670 кг ~ 170 мг | - | |||
| 502if-abag | - | | 7672 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI502 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 502 -й | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | - | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,5 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 50 млр | ||||
 | 500DTBE-ACH | - | | 8288 | 0,00000000 | Skyworks Solutions Inc. | SI500D | Трубка | Управо | 0 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 6-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 500DTB | HCSL | 1,8 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 29,3 май | Кремни | ± 20 aSteй naйцaх | - | 10,7 Ма | 900 kgц ~ 200 мгр | ± 250 млр | |||
 | DSC6102ME2A-000.0000T | 0,9300 | | 1 | 0,00000000 | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | DSC61XX | Lenta и катахка (tr) | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | AEC-Q100 | 0,079 "L x 0,063" W (2,00 мм х 1,60 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,71 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) | 3ma (typ) | Мемс | - | - | 1 мг ~ 100 мгн | ± 25plm | ||||
 | SG-9101CG-D30SGCBA | 5,1000 | | 1311 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,031 "(0,80 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | Poddershivath | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | -3,00%, vniз | 3,7 млн | 670 кг ~ 170 мг | - | |||
 | 511mba-aaag | 21.8700 | | 9991 | 0,00000000 | Skyworks Solutions Inc. | SI511 | Полески | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,071 "(1,80 мм) | Пефер | 6-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 511mba | CMOS, DVOйNOй (FPAHE) | 3,3 В. | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 26 май | Кришалл | ± 25plm | - | 18 май | 100 kgц ~ 124,999 M - | ± 30 | ||||
| SG-9101CG-D20PGBCC | 5,1000 | | 5558 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,031 "(0,80 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | -2,00%, vniз | 3,7 млн | 670 кг ~ 20 мгн | - | |||
| SG-9101CG-C10PHBBC | 5,1000 | | 6366 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,031 "(0,80 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | ± 1,00%, | 3,7 млн | 670 кг ~ 20 мгн | - | |||
| SG-9101CB-C20PHCCB | 8.2800 | | 8136 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | ± 2,00%, | 3,7 млн | 670 кг ~ 170 мг | - | |||
| SG-9101CA-C10PGAAC | 5,1000 | | 9168 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | ± 1,00%, | 3,7 млн | 670 кг ~ 20 мгн | - | |||
| SG-9101CA-D05PHABC | 5,1000 | | 2772 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | -0,50%, vniз | 3,7 млн | 670 кг ~ 20 мгн | - | |||
| SG-9101CA-D05PHACC | 5,1000 | | 5373 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | -0,50%, vniз | 3,7 млн | 670 кг ~ 20 мгн | - | |||
| SG-9101CB-D20PGDAC | 8.2800 | | 1498 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | -2,00%, vniз | 3,7 млн | 670 кг ~ 20 мгн | - | |||
| 501mah-adag | - | | 2492 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI501 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 501mah | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | - | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 50 млр | ||||
| 503kaa-adag | - | | 7352 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI503 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 503KAA | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | - | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 50 млр | ||||
| 501nbe-adaf | - | | 7006 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI501 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 501nbe | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | - | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 30 | ||||
| SG-8003BA-PDL | - | | 2394 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8003 | Трубка | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,083 "L x 0,067" W (2,10 мм х 1,70 мм) | 0,030 "(0,76 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 2,5 В. | СКАХАТА | 2 (1 годы) | Продан | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 15 май | Кришалл | ± 50 млр | - | 8 май | 1 мг ~ 166 мгест | - | ||||
| SG-9101CG-C07PHABB | 5,1000 | | 3641 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,031 "(0,80 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | ± 0,75%, | 3,7 млн | 670 кг ~ 170 мг | - | |||
| SG-9101CA-C05PHDCC | 5,1000 | | 9896 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | ± 0,50%, | 3,7 млн | 670 кг ~ 20 мгн | - | |||
 | ASSVP1-D03 | 5.0500 | | 2493 | 0,00000000 | Abracon LLC | ASSVP | МАССА | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | ASSVP | CMOS | 2,5 В. | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | Neprigodnnый | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 30 май | Кришалл | - | -0,75%, vniз | 10 мг ~ 160 мгц | ± 50 млр | |||
| 503ncb-adag | - | | 6834 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI503 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 503NCB | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | - | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 20 aSteй naйцaх | ||||
| SG-9101CB-D40SHDCA | 8.2800 | | 7652 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | Poddershivath | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | -4,00%, vniз | 3,7 млн | 670 кг ~ 170 мг | - | |||
| 502AAB-ADAF | - | | 4611 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI502 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 502aab | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | - | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,5 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 50 млр | ||||
| SG-9101CB-C05SHCCA | 8.2800 | | 3083 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | Poddershivath | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | ± 0,50%, | 3,7 млн | 670 кг ~ 170 мг | - |
2000+
Средний объем RFQ
30 000 000
Стандартный продукт
2800+
Мировые производители
15 000 м2
На складе
Список желаний (0 пунктов)