SIC
close

PrograMmIrueEmыegeneratorы (16006)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Руэйнги Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) МООНТАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta Wshod Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодадж Файнкхия Programmirueemый typ ТОК - Постка (МАКС) Baзowый rerзonator ЧSTOTNARYAVENSPARINOSTHSTH RaSproStraneneeperpupusknoй pososobnosti opektra Ток - Посткака (отклшит) (макс) ДОСТУПНА ЧStoTnavanyavanyavangynyavanyshstath (obщ -я
501JBL-ADAG Silicon Labs 501jbl-adag -
RFQ
 ECAD 2618 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501jbl LVCMOS 3,3 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 30
504ACA-ABAG Silicon Labs 504ACA-ABAG -
RFQ
 ECAD 7797 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI504 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 504ACA LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 20 aSteй naйцaх
SG-9101CA-C20PGCAA EPSON SG-9101CA-C20PGCAA 5,1000
RFQ
 ECAD 8823 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Активна -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 2,00%, 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
SG-9101CG-D30SHBBB EPSON SG-9101CG-D30SHBBB 5,1000
RFQ
 ECAD 1540 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Активна -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - -3,00%, vniз 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
504PCA-ABAG Silicon Labs 504pca-abag -
RFQ
 ECAD 3562 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI504 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 504PCA LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 20 aSteй naйцaх
SG-9101CE-C10SHACB EPSON SG-9101CE-C10SHACB 7.7100
RFQ
 ECAD 4767 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Активна -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 1,00%, 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
590MB-CDG Skyworks Solutions Inc. 590MB-CDG 33 7600
RFQ
 ECAD 7312 0,00000000 Skyworks Solutions Inc. SI590 Полески Активна -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,071 "(1,80 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 590 мБ Lvpecl 3,3 В. СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 125 май Кришалл ± 25plm - 215 мг ~ 524,999 МА ± 50 млр
591BA-BDG Skyworks Solutions Inc. 591BA-BDG 27.0000
RFQ
 ECAD 6486 0,00000000 Skyworks Solutions Inc. SI591 Полески Активна -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,071 "(1,80 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 591BA LVDS 3,3 В. СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 100 май Кришалл ± 50 млр - 75 май 10 мг ~ 810 мгест ± 100 млр
DSC6101MI1A-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC6101MI1A-PROGRAMMIRUEEMый -
RFQ
 ECAD 1614 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,079 "L x 0,063" W (2,00 мм х 1,60 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 3ma (typ) Мемс - - 1 мг ~ 100 мгн ± 50 млр
510RAB-AAAG Skyworks Solutions Inc. 510rab-aaag 21.8700
RFQ
 ECAD 3490 0,00000000 Skyworks Solutions Inc. SI510 Полески Активна -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,071 "(1,80 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 510rab CMOS, DVOйNOй (FPAHE) 1,8 В. СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 26 май Кришалл ± 50 млр - 18 май 100 kgц ~ 124,999 M - ± 100 млр
SG-9101CG-D30PHCBA EPSON SG-9101CG-D30PHCBA 5,1000
RFQ
 ECAD 3135 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Активна -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - -3,00%, vniз 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
SG-9101CA-D05PGBBB EPSON SG-9101CA-D05PGBBB 5,1000
RFQ
 ECAD 9902 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Активна -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - -0,50%, vniз 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
501BAJ-ABAG Silicon Labs 501baj-abag -
RFQ
 ECAD 9846 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501BAJ LVCMOS 3,3 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 50 млр
502DBB-ACAF Silicon Labs 502dbb-acaf -
RFQ
 ECAD 1697 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI502 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 502DBB LVCMOS 1,8 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 30
501LBG-ADAG Silicon Labs 501LBG-ADAG -
RFQ
 ECAD 2471 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501LBG LVCMOS 1,8 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 30
DSC6112CE2A-000.0000T Microchip Technology DSC6112CE2A-000.0000T -
RFQ
 ECAD 5842 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Lenta и катахка (tr) Управо -20 ° C ~ 70 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Poddershivath Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 3ma (typ) Мемс - - 12 Мка 1 мг ~ 100 мгн ± 25plm
590DD-CDG Skyworks Solutions Inc. 590DD-CDG 33 7600
RFQ
 ECAD 1074 0,00000000 Skyworks Solutions Inc. SI590 Полески Активна -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,071 "(1,80 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 590dd CML 3,3 В. СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 110 май Кришалл ± 7ppm - 215 мг ~ 524,999 МА ± 20 aSteй naйцaх
503AAA-ACAG Silicon Labs 503AAA-acag -
RFQ
 ECAD 7441 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI503 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 503AAA LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 50 млр
511RAA-ABAG Skyworks Solutions Inc. 511raa-abag 19.5600
RFQ
 ECAD 2786 0,00000000 Skyworks Solutions Inc. SI511 Полески Активна -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,050 "(1,28 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 511raa CMOS, DVOйNOй (FPAHE) 1,8 В. СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 26 май Кришалл ± 50 млр - 18 май 100 kgц ~ 124,999 M - ± 100 млр
510JBB-BAAG Skyworks Solutions Inc. 510jbb-baag 21.8700
RFQ
 ECAD 5267 0,00000000 Skyworks Solutions Inc. SI510 Полески Активна -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,071 "(1,80 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 510JBB LVDS 1,8 В. СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 23ma Кришалл ± 25plm - 18 май 125 мг ~ 169,999 м. ± 50 млр
SG-9101CE-D10SGABC EPSON SG-9101CE-D10SGABC 7.7100
RFQ
 ECAD 6496 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Активна -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - -1,00%, vniз 3,7 млн 670 кг ~ 20 мгн -
591SA-DDG Skyworks Solutions Inc. 591SA-DDG 43.1700
RFQ
 ECAD 9875 0,00000000 Skyworks Solutions Inc. SI591 Полески Активна -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,071 "(1,80 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 591SA LVDS 2,5 В. СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 100 май Кришалл ± 50 млр - 75 май 10 мг ~ 810 мгест ± 100 млр
DSC6111HI2A-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC6111HI2A-PROGRAMMIRUEEMый -
RFQ
 ECAD 3314 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,063 "L x 0,047" W (1,60 мм х 1,20 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный 3ma (typ) Мемс - - 12 Мка 1 мг ~ 100 мгн ± 25plm
SG-9101CA-D30PHDCA EPSON SG-9101CA-D30PHDCA 5,1000
RFQ
 ECAD 2376 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Активна -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - -3,00%, vniз 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
SG-9101CA-C07SGDBC EPSON SG-9101CA-C07SGDBC 5,1000
RFQ
 ECAD 2005 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Активна -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 0,75%, 3,7 млн 670 кг ~ 20 мгн -
SG-9101CG-D05PHBBB EPSON SG-9101CG-D05PHBBB 5,1000
RFQ
 ECAD 3528 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Активна -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - -0,50%, vniз 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
501PAF-ADAG Silicon Labs 501PAF-ADAG -
RFQ
 ECAD 6394 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501paf LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 50 млр
SG-9101CA-C07PGDCA EPSON SG-9101CA-C07PGDCA 5,1000
RFQ
 ECAD 5146 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Активна -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 0,75%, 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
503KCB-ADAF Silicon Labs 503KCB-Adaf -
RFQ
 ECAD 5577 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI503 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 503KCB LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 20 aSteй naйцaх
503HCB-ABAF Silicon Labs 503HCB-ABAF -
RFQ
 ECAD 4527 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI503 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 503HCB LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 20 aSteй naйцaх
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть