SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Руэйнги Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta Wshod Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодар Файнкхия Programmirueemый typ ТОК - Постка (МАКС) Baзowый rerзonator ЧSTOTNARYAVENSPARINOSTHSTH RaSproStraneneeperpupusknoй pososobnosti opektra Ток - Посткака (отклшит) (макс) ДОСТУПНА ЧStoTnavanyavanyavangynyavanyshstath (obщ -я
590HD-DDG Skyworks Solutions Inc. 590HD-DDG 43.1700
RFQ
ECAD 7570 0,00000000 Skyworks Solutions Inc. SI590 Полески Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,071 "(1,80 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 590HD CML 2,5 В. СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 110 май Кришалл ± 7ppm - 525 мг ~ 810 мгест ± 20 aSteй naйцaх
501PAF-ADAF Silicon Labs 501PAF-ADAF -
RFQ
ECAD 4546 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501paf LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 50 млр
SG-9101CE-C05SHACA EPSON SG-9101CE-C05SHACA 7.7100
RFQ
ECAD 6575 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 0,50%, 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
502DBD-ADAF Silicon Labs 502dbd-adaf -
RFQ
ECAD 2706 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI502 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 502dbd LVCMOS 1,8 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 30 млр
591KB-ADG Skyworks Solutions Inc. 591KB-ADG 24.6000
RFQ
ECAD 3083 0,00000000 Skyworks Solutions Inc. SI591 Полески Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,071 "(1,80 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 591 кб CML 1,8 В. СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 110 май Кришалл ± 25plm - 75 май 10 мг ~ 810 мгест ± 50 млр
SG-9101CG-C10PHABB EPSON SG-9101CG-C10PHABB 5,1000
RFQ
ECAD 8838 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 1,00%, 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
SG-9101CG-C05SHACB EPSON SG-9101CG-C05SHACB 5,1000
RFQ
ECAD 5058 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 0,50%, 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
SG-9101CB-C20PHBCB EPSON SG-9101CB-C20PHBCB 8.2800
RFQ
ECAD 2845 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 2,00%, 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
504PBA-BCAG Silicon Labs 504PBA-BCAG -
RFQ
ECAD 9342 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI504 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 504PBA LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 30 млр
SG-9101CE-C05SHBBB EPSON SG-9101CE-C05SHBBB 7.7100
RFQ
ECAD 7525 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 0,50%, 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
SG-9101CE-D05PGAAA EPSON SG-9101CE-D05PGAAA 7.7100
RFQ
ECAD 8107 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - -0,50%, vniз 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
CPPC1-LT06P Cardinal Components Inc. CPPC1-LT06P -
RFQ
ECAD 2589 0,00000000 Cardinal Components Inc. Fipo ™ CPP Трубка Управо 0 ° C ~ 70 ° C. - 0,819 "L x 0,520" W (20,80 мм x 13,20 мм) 0,200 "(5,08 мм) Чereз dыru 14-Dip, 4 SVINцA (Polnoraзmernaip, MmeTALLIGHAN Xo (Стандарт) CMOS 3,3 В. СКАХАТА ROHS COMPRINT Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный 25 май Кришалл ± 100 млр - 50 май 1 мг ~ 100 мгн -
SGR-8002JF-PHC EPSON SGR-8002JF-PHC -
RFQ
ECAD 3720 0,00000000 Эpsoan SG-8002 Трубка Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,280 "L x 0,181" W (7,10 мм x 4,60 мм) 0,059 "(1,50 мм) Пефер 4-soj, 5,08 мм Xo (Стандарт) CMOS СКАХАТА 2 (1 годы) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 45 май Кришалл ± 100 млр - 30 май 1 мг ~ 125 мгест -
SG-9101CE-C07SGCAA EPSON SG-9101CE-C07SGCAA 7.7100
RFQ
ECAD 9374 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 0,75%, 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
501BCE-ADAG Silicon Labs 501bce-adag -
RFQ
ECAD 8715 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501bce LVCMOS 3,3 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 20 aSteй naйцaх
SG-9101CG-C20PGDBA EPSON SG-9101CG-C20PGDBA 5,1000
RFQ
ECAD 4314 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 2,00%, 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
501GBD-ADAG Silicon Labs 501gbd-adag -
RFQ
ECAD 2838 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501gbd LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 30 млр
SG-9101CB-D10SHCBA EPSON SG-9101CB-D10SHCBA 8.2800
RFQ
ECAD 2554 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - -1,00%, vniз 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
CPPLC7-LZ0PP Cardinal Components Inc. CPPLC7-LZ0PP 3.1300
RFQ
ECAD 6964 0,00000000 Cardinal Components Inc. Fipo ™ CPPL Полески Актифен 0 ° C ~ 70 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,075 "(1,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 3,3 В. СКАХАТА ROHS COMPRINT DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный 25 май Кришалл ± 50 млр - 50 мк 1 мг ~ 100 мгн -
ASSFLP1-R-C04 Abracon LLC ASSFLP1-R-C04 4.9300
RFQ
ECAD 3111 0,00000000 Abracon LLC Assflp МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) Assflp CMOS 2,5 В. СКАХАТА ROHS COMPRINT Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный 30 май Кришалл - ± 0,50%, 8 мгха ~ 160 мгест ± 25plm
SG-9101CG-D15PHCAA EPSON SG-9101CG-D15PHCAA 5,1000
RFQ
ECAD 3455 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - -1,50%, vniз 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
SG-9101CG-C15SHCBB EPSON SG-9101CG-C15SHCBB 5,1000
RFQ
ECAD 3120 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 1,50%, 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
510JBA-CBAG Skyworks Solutions Inc. 510jba-cbag 19.5600
RFQ
ECAD 6416 0,00000000 Skyworks Solutions Inc. SI510 Полески Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,050 "(1,28 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 510JBA LVDS 1,8 В. СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 23ma Кришалл ± 25plm - 18 май 170 мг ~ 250 лет ± 50 млр
501JBM-ADAF Silicon Labs 501jbm-adaf -
RFQ
ECAD 7933 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501JBM LVCMOS 3,3 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 30 млр
502FCF-ADAF Silicon Labs 502fcf-adaf -
RFQ
ECAD 1029 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI502 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 502FCF LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 20 aSteй naйцaх
DSC6003CI1A-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC6003CI1A-PROGRAMMIRUEEMый -
RFQ
ECAD 9379 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XX МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 1,3 мана (теп) Мемс - - 1 мг ~ 80 мгест ± 50 млр
SG-9101CG-D15SHCBB EPSON SG-9101CG-D15SHCBB 5,1000
RFQ
ECAD 6829 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - -1,50%, vniз 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
SG-9101CG-D15PHDAC EPSON SG-9101CG-D15PHDAC 5,1000
RFQ
ECAD 9441 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - -1,50%, vniз 3,7 млн 670 кг ~ 20 мгн -
CPPLT5-LT0PP Cardinal Components Inc. CPPLT5-LT0pp 6.9800
RFQ
ECAD 2767 0,00000000 Cardinal Components Inc. Fipo ™ CPPL Трубка Актифен 0 ° C ~ 70 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) В 3,3 В. СКАХАТА ROHS COMPRINT DOSTISH Ear99 8542.39.0001 90 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный 25 май Кришалл ± 50 млр - 50 мк 1 мг ~ 100 мгн -
504MCA-ABAG Silicon Labs 504mca-abag -
RFQ
ECAD 5580 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI504 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 504MCA LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 20 aSteй naйцaх
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе