SIC
close

PrograMmIrueEmыegeneratorы (16006)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Руэйнги Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta Wshod Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодар Файнкхия Programmirueemый typ ТОК - Постка (МАКС) Baзowый rerзonator ЧSTOTNARYAVENSPARINOSTHSTH RaSproStraneneeperpupusknoй pososobnosti opektra Ток - Посткака (отклшит) (макс) ДОСТУПНА ЧStoTnavanyavanyavangynyavanyshstath (obщ -я
511FAB-ABAG Skyworks Solutions Inc. 511fab-abag 19.5600
RFQ
 ECAD 6294 0,00000000 Skyworks Solutions Inc. SI511 Полески Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,050 "(1,28 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 511fab LVDS 2,5 В. СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 23ma Кришалл ± 50 млр - 18 май 100 kgц ~ 124,999 M - ± 100 млр
SG-9101CB-C02PGCCB EPSON SG-9101CB-C02PGCCB 8.2800
RFQ
 ECAD 6340 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 0,25% 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
SG-9101CA-D05PGACA EPSON SG-9101CA-D05PGACA 5,1000
RFQ
 ECAD 4705 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - -0,50%, vniз 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
502LBC-ACAF Silicon Labs 502LBC-ACAF -
RFQ
 ECAD 6191 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI502 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 502LBC LVCMOS 1,8 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 30 млр
SG-9101CG-C20SGAAC EPSON SG-9101CG-C20SGAAC 5,1000
RFQ
 ECAD 2014 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 2,00%, 3,7 млн 670 кг ~ 20 мгн -
SG-9101CG-C20SGBBA EPSON SG-9101CG-C20SGBBA 5,1000
RFQ
 ECAD 9286 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 2,00%, 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
SG-9101CE-C15SGCAA EPSON SG-9101CE-C15SGCAA 6.2200
RFQ
 ECAD 9692 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 1,50%, 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
SG-9101CE-C20PGABC EPSON SG-9101CE-C20PGABC 7.7100
RFQ
 ECAD 5709 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 2,00%, 3,7 млн 670 кг ~ 20 мгн -
503CBB-ACAG Silicon Labs 503CBB-ACAG -
RFQ
 ECAD 7009 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI503 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 503CBB LVCMOS 2,5 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 30 млр
501CAA-ABAF Silicon Labs 501CAA-ABAF -
RFQ
 ECAD 7653 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501CAA LVCMOS 2,5 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 50 млр
502GBF-ADAG Silicon Labs 502GBF-ADAG -
RFQ
 ECAD 5334 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI502 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 502GBF LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 30 млр
SG-9101CG-C07SHACB EPSON SG-9101CG-C07SHACB 5,1000
RFQ
 ECAD 8575 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 0,75%, 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
SG-9101CE-C20SGBCB EPSON SG-9101CE-C20SGBCB 7.7100
RFQ
 ECAD 7054 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 2,00%, 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
510GBB-CBAG Skyworks Solutions Inc. 510GBB-Cbag 13.1400
RFQ
 ECAD 3886 0,00000000 Skyworks Solutions Inc. SI510 Полески Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,050 "(1,28 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 510 гббб CMOS 2,5 В. СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 26 май Кришалл ± 25plm - 18 май 170 мг ~ 212,5 М. ± 50 млр
SG-9101CG-C10SHDBA EPSON SG-9101CG-C10SHDBA 5,1000
RFQ
 ECAD 3710 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 1,00%, 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
501BBC-ADAF Silicon Labs 501bbc-adaf -
RFQ
 ECAD 7924 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501BBC LVCMOS 3,3 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 30 млр
SG-9101CB-C15PHAAC EPSON SG-9101CB-C15PHAAC 8.2800
RFQ
 ECAD 8457 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 1,50%, 3,7 млн 670 кг ~ 20 мгн -
SG-9101CG-D20PGDAA EPSON SG-9101CG-D20PGDAA 5,1000
RFQ
 ECAD 3228 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - -2,00%, vniз 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
SG-9101CA-D05SGAAC EPSON SG-9101CA-D05SGAAC 5,1000
RFQ
 ECAD 8944 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - -0,50%, vniз 3,7 млн 670 кг ~ 20 мгн -
501EAD-ACAG Silicon Labs 501EAD-ACAG -
RFQ
 ECAD 6349 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501ADE LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 50 млр
502BBF-ADAF Silicon Labs 502bbf-adaf -
RFQ
 ECAD 1413 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI502 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 502BBF LVCMOS 3,3 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 30 млр
501LCH-ABAG Silicon Labs 501lch-abag -
RFQ
 ECAD 6702 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501lch LVCMOS 1,8 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 20 aSteй naйцaх
501BBD-ABAG Silicon Labs 501bbd-abag -
RFQ
 ECAD 5126 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501bbd LVCMOS 3,3 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 30 млр
SG-9101CG-C10SHBAB EPSON SG-9101CG-C10SHBAB 5,1000
RFQ
 ECAD 7391 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 1,00%, 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
501LAK-ADAG Silicon Labs 501lak-adag -
RFQ
 ECAD 9542 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501lak LVCMOS 1,8 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 50 млр
502HCF-ADAG Silicon Labs 502HCF-ADAG -
RFQ
 ECAD 3602 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI502 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 502HCF LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 20 aSteй naйцaх
502KBC-ADAF Silicon Labs 502KBC-ADAF -
RFQ
 ECAD 5847 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI502 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 502KBC LVCMOS 2,5 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 30 млр
DSC6013ME1A-000.0000T Microchip Technology DSC6013ME1A-000.0000T 1.2200
RFQ
 ECAD 985 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XX Lenta и катахка (tr) Управо -20 ° C ~ 70 ° C. AEC-Q100 0,079 "L x 0,063" W (2,00 мм х 1,60 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Poddershivath Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 1,3 мана (теп) Мемс - - 12 Мка 1 мг ~ 80 мгест ± 50 млр
501MBK-ADAF Silicon Labs 501mbk-adaf -
RFQ
 ECAD 1665 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501MBK LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 30 млр
501KCG-ABAG Silicon Labs 501KCG-ABAG -
RFQ
 ECAD 7133 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501 км LVCMOS 2,5 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 20 aSteй naйцaх
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть