SIC
close
Ибрагейн NoMerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Руэйнги Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta Wshod Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Файнкхия Programmirueemый typ ТОК - Постка (МАКС) Baзowый rerзonator ЧSTOTNARYAVENSPARINOSTHSTH RaSproStraneneeperpupusknoй pososobnosti opektra Ток - Посткака (отклшит) (макс) ДОСТУПНА ЧStoTnavanyavanyavangynyavanyshstath (obщ -я
SG-9101CE-D10PGDAC EPSON SG-9101CE-D10PGDAC 7.7100
RFQ
ECAD 9695 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - -1,00%, vniз 3,7 млн 670 кг ~ 20 мгн -
DSC8101CM2-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC8101CM2-PROGRAMMIRUEEMый 16.0100
RFQ
ECAD 9185 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8101 Трубка Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 2,25 -3,6 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 576-4692-programmirueemый Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный 35 май Мемс - - 95 мка 10 мг ~ 170 мгест ± 25plm
SG-9101CA-C15PHDBC EPSON SG-9101CA-C15PHDBC 5,1000
RFQ
ECAD 5443 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 1,50%, 3,7 млн 670 кг ~ 20 мгн -
SG-9101CB-C10SHAAA EPSON SG-9101CB-C10SHAAA 8.2800
RFQ
ECAD 8094 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 1,00%, 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
SG-9101CB-C02SGBAA EPSON SG-9101CB-C02SGBAA 8.2800
RFQ
ECAD 3181 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 0,25% 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
SG-9101CB-D15SGBCC EPSON SG-9101CB-D15SGBCC 8.2800
RFQ
ECAD 3350 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - -1,50%, vniз 3,7 млн 670 кг ~ 20 мгн -
511ACB-CBAG Skyworks Solutions Inc. 511ACB-Cbag 19.5600
RFQ
ECAD 2602 0,00000000 Skyworks Solutions Inc. SI511 Полески Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,050 "(1,28 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 511ACB Lvpecl 3,3 В. СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 43 май Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - 18 май 170 мг ~ 250 лет ± 30 млр
502PAA-ABAF Silicon Labs 502PAA-ABAF -
RFQ
ECAD 7703 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI502 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 502PAA LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 50 млр
SG-9101CA-C07SHABB EPSON SG-9101CA-C07SHABB 5,1000
RFQ
ECAD 2014 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 0,75%, 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
501PBH-ABAG Silicon Labs 501pbh-abag -
RFQ
ECAD 7106 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501PBH LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 30 млр
SG-9101CB-C15SGDAA EPSON SG-9101CB-C15SGDAA 8.2800
RFQ
ECAD 7291 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 1,50%, 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
SG-9101CB-D40SGDAA EPSON SG-9101CB-D40SGDAA 8.2800
RFQ
ECAD 5923 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - -4,00%, vniз 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
SG-9101CB-D30PHAAA EPSON SG-9101CB-D30PHAAA 8.2800
RFQ
ECAD 3819 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - -3,00%, vniз 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
SG-9101CB-D40PGCCA EPSON SG-9101CB-D40PGCCA 8.2800
RFQ
ECAD 5258 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - -4,00%, vniз 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
CPPC7-HZ56T Cardinal Components Inc. CPPC7-HZ56T 2.7100
RFQ
ECAD 8379 0,00000000 Cardinal Components Inc. Fipo ™ CPP Полески Актифен -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,075 "(1,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS СКАХАТА ROHS COMPRINT DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 45 май Кришалл ± 100 млр - 50 май 1 мг ~ 133 мгест -
VG7050EAN SM18T005-CJGHPFB EPSON VG7050EAN SM18T005-CJGHPFB 20.6283
RFQ
ECAD 2967 0,00000000 Эpsoan VG7050EAN МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,067 "(1,70 мм) Пефер 8-SMD, neTliDresTwa Vcxo Lvpecl 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 90 май Кришалл - - 70 май 50 мг ~ 800 мгц ± 50 млр
SG-9101CA-C07SGDAA EPSON SG-9101CA-C07SGDAA 5,1000
RFQ
ECAD 9658 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 0,75%, 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
590QC-BDG Skyworks Solutions Inc. 590qc-bdg 27.0000
RFQ
ECAD 2373 0,00000000 Skyworks Solutions Inc. SI590 Полески Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,071 "(1,80 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 590QC CML 3,3 В. СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 110 май Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - 75 май 125 мг ~ 214,999 М. ± 30 млр
501FAJ-ACAG Silicon Labs 501faj-acag -
RFQ
ECAD 7790 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501faj LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 50 млр
SG-9101CA-C10SHDCC EPSON SG-9101CA-C10SHDCC 5,1000
RFQ
ECAD 8300 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 1,00%, 3,7 млн 670 кг ~ 20 мгн -
SG-9101CB-D05PHCAA EPSON SG-9101CB-D05PHCAA 8.2800
RFQ
ECAD 2359 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - -0,50%, vniз 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
591WB-DDG Skyworks Solutions Inc. 591WB-DDG 43.1700
RFQ
ECAD 2299 0,00000000 Skyworks Solutions Inc. SI591 Полески Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,071 "(1,80 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 591WB CML 1,8 В. СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 110 май Кришалл ± 25plm - 75 май 10 мг ~ 810 мгест ± 50 млр
501FCE-ADAF Silicon Labs 501fce-adaf -
RFQ
ECAD 6715 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501fce LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 20 aSteй naйцaх
511PAB-BBAG Skyworks Solutions Inc. 511pab-bbag 19.5600
RFQ
ECAD 6356 0,00000000 Skyworks Solutions Inc. SI511 Полески Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,050 "(1,28 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 511pab CMOS, DVOйNOй (FPAHE) 2,5 В. СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 26 май Кришалл ± 50 млр - 18 май 125 мг ~ 169,999 м. ± 100 млр
501LAL-ADAF Silicon Labs 501LAL-ADAF -
RFQ
ECAD 4896 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501lal LVCMOS 1,8 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 50 млр
501NBA-ABAF Silicon Labs 501nba-abaf -
RFQ
ECAD 2374 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501NBA LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 30 млр
SG-9101CE-D20PGBAC EPSON SG-9101CE-D20PGBAC 7.7100
RFQ
ECAD 1308 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - -2,00%, vniз 3,7 млн 670 кг ~ 20 мгн -
SG-9101CB-C02PHBBB EPSON SG-9101CB-C02PHBBB 8.2800
RFQ
ECAD 9498 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 0,25% 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
ASSFLP1-D04 Abracon LLC ASSFLP1-D04 4.9300
RFQ
ECAD 9219 0,00000000 Abracon LLC Assflp МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) Assflp CMOS 2,5 В. СКАХАТА ROHS COMPRINT Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный 30 май Кришалл - -1,00%, vniз 8 мгха ~ 160 мгест ± 50 млр
504PBA-ADAF Silicon Labs 504pba-adaf -
RFQ
ECAD 9943 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI504 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 504PBA LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 30 млр
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе