SIC
close

PrograMmIrueEmыegeneratorы (16006)

Ибрагейн NoMerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Руэйнги Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta Wshod Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Файнкхия Programmirueemый typ ТОК - Постка (МАКС) Baзowый rerзonator ЧSTOTNARYAVENSPARINOSTHSTH RaSproStraneneeperpupusknoй pososobnosti opektra Ток - Посткака (отклшит) (макс) ДОСТУПНА ЧStoTnavanyavanyavangynyavanyshstath (obщ -я
SG-9101CA-C10SHDBB EPSON SG-9101CA-C10SHDBB 5,1000
RFQ
 ECAD 5638 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 1,00%, 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
SG-9101CG-D10PHDAB EPSON SG-9101CG-D10PHDAB 5,1000
RFQ
 ECAD 9244 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - -1,00%, vniз 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
SG-9101CA-C07SHCBA EPSON SG-9101CA-C07SHCBA 5,1000
RFQ
 ECAD 1102 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 0,75%, 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
501LBH-ABAF Silicon Labs 501LBH-ABAF -
RFQ
 ECAD 6358 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501LBH LVCMOS 1,8 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 30 млр
502GCA-ACAF Silicon Labs 502GCA-ACAF -
RFQ
 ECAD 6352 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI502 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 502GCA LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 20 aSteй naйцaх
502NCE-ACAF Silicon Labs 502nce-acaf -
RFQ
 ECAD 9494 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI502 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 502nce LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 20 aSteй naйцaх
SG-9101CA-C05PHCAB EPSON SG-9101CA-C05PHCAB 5,1000
RFQ
 ECAD 3022 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 0,50%, 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
CPPT7-LZ5RP Cardinal Components Inc. CPPT7-LZ5RP 3.1300
RFQ
 ECAD 5775 0,00000000 Cardinal Components Inc. Fipo ™ CPP Полески Актифен -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,075 "(1,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) В 3,3 В. СКАХАТА ROHS COMPRINT DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный 25 май Кришалл ± 25plm - 1 мг ~ 100 мгн -
501AAE-ABAF Silicon Labs 501aae-abaf -
RFQ
 ECAD 1720 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501AAE LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 50 млр
502JAA-ACAG Silicon Labs 502jaa-acag -
RFQ
 ECAD 5120 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI502 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 502JAA LVCMOS 3,3 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 50 млр
DSC6111HI2A-000.0000T Microchip Technology DSC6111HI2A-000.0000T 1.1100
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,063 "L x 0,047" W (1,60 мм х 1,20 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Poddershivath Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 3ma (typ) Мемс - - 12 Мка 1 мг ~ 100 мгн ± 25plm
501EBC-ABAG Silicon Labs 501EBC-ABAG -
RFQ
 ECAD 3417 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501EBC LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 30 млр
501LAB-ABAF Silicon Labs 501LAB-ABAF -
RFQ
 ECAD 3664 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501lab LVCMOS 1,8 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 50 млр
501KCM-ACAF Silicon Labs 501 КМ-Акаф -
RFQ
 ECAD 7867 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501 км LVCMOS 2,5 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 20 aSteй naйцaх
SG-9101CG-C15SHBBB EPSON SG-9101CG-C15SHBBB 5,1000
RFQ
 ECAD 9779 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 1,50%, 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
DSC8101AM2-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC8101AM2-PROGRAMMIRUEEMый -
RFQ
 ECAD 1154 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8101 Трубка Управо -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 2,25 -3,6 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 576-4683-programmirueemый Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный 35 май Мемс - - 95 мка 10 мг ~ 170 мгест ± 25plm
503FAB-ABAG Silicon Labs 503fab-abag -
RFQ
 ECAD 7853 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI503 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 503fab LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 50 млр
501MCK-ADAG Silicon Labs 501mck-adag -
RFQ
 ECAD 3551 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501mck LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 20 aSteй naйцaх
504HCA-ACAF Silicon Labs 504HCA-ACAF -
RFQ
 ECAD 1721 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI504 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 504HCA LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 20 aSteй naйцaх
511FCA-CAAG Skyworks Solutions Inc. 511fca-caag 15.4900
RFQ
 ECAD 6405 0,00000000 Skyworks Solutions Inc. SI511 Полески Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,071 "(1,80 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 511FCA LVDS 2,5 В. СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 23ma Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - 18 май 170 мг ~ 250 лет ± 30 млр
SG-9101CA-C20PGCAB EPSON SG-9101CA-C20PGCAB 5,1000
RFQ
 ECAD 5179 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 2,00%, 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
504KBA-BCAG Silicon Labs 504KBA-BCAG -
RFQ
 ECAD 2511 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI504 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 504KBA LVCMOS 2,5 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 30 млр
SG-9101CE-D10PHABA EPSON SG-9101CE-D10PHABA 7.7100
RFQ
 ECAD 6512 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - -1,00%, vniз 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
SG-9101CB-D40SGBBB EPSON SG-9101CB-D40SGBBB 8.2800
RFQ
 ECAD 9204 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - -4,00%, vniз 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
501MCM-ACAF Silicon Labs 501MCM-ACAF -
RFQ
 ECAD 5635 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501 мкм LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 20 aSteй naйцaх
510LBB-CBAG Skyworks Solutions Inc. 510lbb-cbag 19.5600
RFQ
 ECAD 1919 0,00000000 Skyworks Solutions Inc. SI510 Полески Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,050 "(1,28 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 510lbb HCSL 1,8 В. СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 44 май Кришалл ± 25plm - 18 май 170 мг ~ 250 лет ± 50 млр
510BAB-AAAG Skyworks Solutions Inc. 510BAB-AAAG 21.8700
RFQ
 ECAD 9063 0,00000000 Skyworks Solutions Inc. SI510 Полески Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,071 "(1,80 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 510bab LVDS 3,3 В. СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 23ma Кришалл ± 50 млр - 18 май 100 kgц ~ 124,999 M - ± 100 млр
503EBB-ACAF Silicon Labs 503EBB-ACAF -
RFQ
 ECAD 3398 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI503 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 503EBB LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 30 млр
DSC1100NL3-PROG Microchip Technology DSC1100NL3-Prog 1.9920
RFQ
 ECAD 8132 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1100 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-VDFN Xo (Стандарт) DSC1100 - - - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 150-dsc1100nl3-prog Ear99 8542.39.0001 50 - Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) - Мемс ± 20 aSteй naйцaх - -
DSC1000CL3-PROG Microchip Technology DSC1000CL3-PROG 1.2800
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC100 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-VDFN Xo (Стандарт) DSC1000 CMOS - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 150-DSC1000CL3-PROG Ear99 8542.39.0001 110 - Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) - Мемс - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть