- RFQ
- Категория
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- Японский
- корейский
- арабский
- Ирландский
- Греческий
- турецкий
- Итальянский
- Датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Лак
- Баск
- Каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаос
- албанский
- Амхарский
- Армянский
- Азербайджани
- Белорус
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- Себуано
- Чичева
- Корсикан
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинец
- Финский
- фризский
- Галиц
- Грузинец
- Гуджарати
- Гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- Яванский
- Каннада
- Казах
- Кхмер
- Курдский
- Кыргиз
- латинский
- Латвиан
- литовский
- Люксембу ..
- македонский
- Малагасийский
- малайский
- Малаялам
- Мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- Бирманский
- Непальский
- норвежский
- Пушту
- Персидский
- Пенджаби
- сербский
- Сезото
- Сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомалийский
- Самоан
- Шотландцы гэльские
- Шона
- Синди
- Сунданец
- суахили
- Таджик
- Тамильский
- телугу
- Тайский
- Украинский
- Урду
- Узбек
- вьетнамский
- валлийский
- Xhosa
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Kinyarwanda
- Татар
- Ария
- туркменский
- Уйгур
PrograMmIrueEmыegeneratorы (16006)
| Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Rraboч -yemperatura | Руэйнги | Raзmer / yзmerenee | Веса - Синяя (МАКСИМУМ) | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | ТИП | Baзowый nomer prodikta | Wshod | Napraheneee - posta | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Доусейн Статуса | Дрогин ИНЕНА | Eccn | Htsus | Станодар | Файнкхия | Programmirueemый typ | ТОК - Постка (МАКС) | Baзowый rerзonator | ЧSTOTNARYAVENSPARINOSTHSTH | RaSproStraneneeperpupusknoй pososobnosti opektra | Ток - Посткака (отклшит) (макс) | ДОСТУПНА | ЧStoTnavanyavanyavangynyavanyshstath (obщ -я |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DSC8123DI2 | 10.4900 |  | 2776 | 0,00000000 | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | DSC8123 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | AEC-Q100 | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 6-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | DSC8123 | LVDS | 2,25 -3,6 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 576-4732 | Ear99 | 8542.39.0001 | 140 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) | 32 май | Мемс | - | - | 10 мг ~ 460 мгест | ± 25plm | ||
 | 501pcd-abag | - | | 2500 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI501 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 501pcd | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | - | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 20 aSteй naйцaх | ||||
| 502EAB-ACAF | - | | 5308 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI502 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 502EAB | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | - | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,5 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 50 млр | ||||
| 501CAD-ADAG | - | | 6594 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI501 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 501CAD | LVCMOS | 2,5 В. | - | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,5 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 50 млр | ||||
 | ASSVP1-D16 | 5.0500 | | 5943 | 0,00000000 | Abracon LLC | ASSVP | МАССА | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | ASSVP | CMOS | 2,5 В. | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | Neprigodnnый | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 30 май | Кришалл | - | -4,00%, vniз | 10 мг ~ 160 мгц | ± 50 млр | |||
 | SG-9101CA-C15SGDAB | 5,1000 | | 6831 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | Poddershivath | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | ± 1,50%, | 3,7 млн | 670 кг ~ 170 мг | - | |||
| 501fcj-abag | - | | 8325 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI501 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 501FCJ | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | - | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,5 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 20 aSteй naйцaх | ||||
 | 510AAB-BBAG | 19.5600 | | 8295 | 0,00000000 | Skyworks Solutions Inc. | SI510 | Полески | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,050 "(1,28 мм) | Пефер | 6-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 510а | Lvpecl | 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 43 май | Кришалл | ± 50 млр | - | 18 май | 125 мг ~ 169,999 м. | ± 100 млр | |||
| SG-9101CA-D15PHDAA | 5,1000 | | 2025 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | -1,50%, vniз | 3,7 млн | 670 кг ~ 170 мг | - | |||
| 502HCB-ADAG | - | | 6184 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI502 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 502HCB | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | - | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 20 aSteй naйцaх | ||||
| 501jcd-acag | - | | 8541 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI501 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 501JCD | LVCMOS | 3,3 В. | - | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 20 aSteй naйцaх | ||||
| 501pbl-abaf | - | | 7808 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI501 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 501pbl | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | - | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 30 млр | ||||
 | SG-9101CB-D30SHBCA | 8.2800 | | 7943 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | Poddershivath | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | -3,00%, vniз | 3,7 млн | 670 кг ~ 170 мг | - | |||
| SG-9101CB-D40PHCBA | 8.2800 | | 5009 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | -4,00%, vniз | 3,7 млн | 670 кг ~ 170 мг | - | |||
| 502gaf-acaf | - | | 1247 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI502 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 502GAF | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | - | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,5 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 50 млр | ||||
| 502kae-acag | - | | 2954 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI502 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 502kae | LVCMOS | 2,5 В. | - | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 50 млр | ||||
 | DSC8003DI2 | - | | 9734 | 0,00000000 | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | DSC8003 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | DSC8003 | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 140 | Poddershivath | Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) | 15 май | Мемс | ± 25plm | - | 1 мг ~ 150 мгест | - | |||
| SG-9101CB-D15SGBAC | 8.2800 | | 7618 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | Poddershivath | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | -1,50%, vniз | 3,7 млн | 670 кг ~ 20 мгн | - | |||
 | SG-9101CE-D30SHDCB | 7.7100 | | 3029 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,047 "(1,20 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | Poddershivath | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | -3,00%, vniз | 3,7 млн | 670 кг ~ 170 мг | - | |||
| SG-9101CB-D15SGDCA | 8.2800 | | 8125 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | Poddershivath | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | -1,50%, vniз | 3,7 млн | 670 кг ~ 170 мг | - | |||
 | 500seba-ach | - | | 8430 | 0,00000000 | Skyworks Solutions Inc. | Si500s | Трубка | Управо | 0 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 500.seb | CMOS | 2,5 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 22 май | Кремни | ± 20 aSteй naйцaх | - | 10,7 Ма | 900 kgц ~ 200 мгр | ± 250 млр | |||
| SG-9101CE-D05SGDCC | 7.7100 | | 8092 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,047 "(1,20 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | Poddershivath | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | -0,50%, vniз | 3,7 млн | 670 кг ~ 20 мгн | - | |||
| SG-9101CB-D15PHBAC | 8.2800 | | 9144 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | -1,50%, vniз | 3,7 млн | 670 кг ~ 20 мгн | - | |||
| SG-9101CA-D30PHDCB | 5,1000 | | 5283 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | -3,00%, vniз | 3,7 млн | 670 кг ~ 170 мг | - | |||
 | SG-9101CG-D20SHCAC | 5,1000 | | 3713 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,031 "(0,80 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | Poddershivath | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | -2,00%, vniз | 3,7 млн | 670 кг ~ 20 мгн | - | |||
| SG-9101CA-C15PHBCC | 5,1000 | | 1600 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | ± 1,50%, | 3,7 млн | 670 кг ~ 20 мгн | - | |||
| 501jcf-adag | - | | 3854 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI501 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 501JCF | LVCMOS | 3,3 В. | - | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 20 aSteй naйцaх | ||||
| SG-9101CB-C20PGDCC | 8.2800 | | 1739 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | - | Кришалл | - | ± 2,00%, | 3,7 млн | 670 кг ~ 20 мгн | - | |||
| 502mae-abaf | - | | 2510 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI502 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 502MAE | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | - | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 50 млр | ||||
| 510lba-cbag | 19.5600 | | 3283 | 0,00000000 | Skyworks Solutions Inc. | SI510 | Полески | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,050 "(1,28 мм) | Пефер | 6-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 510LBA | HCSL | 1,8 В. | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 44 май | Кришалл | ± 25plm | - | 18 май | 170 мг ~ 250 лет | ± 50 млр |
2000+
Средний объем RFQ
30 000 000
Стандартный продукт
2800+
Мировые производители
15 000 м2
На складе
Список желаний (0 пунктов)