SIC
close

PrograMmIrueEmыegeneratorы (16006)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Руэйнги Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta Wshod Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодар Файнкхия Programmirueemый typ ТОК - Постка (МАКС) Baзowый rerзonator ЧSTOTNARYAVENSPARINOSTHSTH RaSproStraneneeperpupusknoй pososobnosti opektra Ток - Посткака (отклшит) (макс) ДОСТУПНА ЧSTOTATA -STABILNOSTH (OBщAYN)
SG-9101CA-C10PGBCA EPSON SG-9101CA-C10PGBCA 5,1000
RFQ
 ECAD 8422 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 1,00%, 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
510CAA-BBAG Skyworks Solutions Inc. 510caa-bbag 12.2200
RFQ
 ECAD 5337 0,00000000 Skyworks Solutions Inc. SI510 Полески Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,050 "(1,28 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 510CAA CMOS 3,3 В. СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 26 май Кришалл ± 50 млр - 18 май 125 мг ~ 169,999 м. ± 100 млр
590HB-BDG Skyworks Solutions Inc. 590hb-bdg 27.0000
RFQ
 ECAD 5751 0,00000000 Skyworks Solutions Inc. SI590 Полески Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,071 "(1,80 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 590HB CML 2,5 В. СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 110 май Кришалл ± 25plm - 75 май 125 мг ~ 214,999 М. ± 50 млр
SG-9101CE-D30SHCAC EPSON SG-9101CE-D30SHCAC 7.7100
RFQ
 ECAD 9919 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - -3,00%, vniз 3,7 млн 670 кг ~ 20 мгн -
503EBB-ACAG Silicon Labs 503EBB-ACAG -
RFQ
 ECAD 6207 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI503 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 503EBB LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 30 млр
SG-9101CB-D05PHABB EPSON SG-9101CB-D05PHABB 8.2800
RFQ
 ECAD 6010 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - -0,50%, vniз 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
502FAB-ADAG Silicon Labs 502fab-adag -
RFQ
 ECAD 5245 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI502 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 502fab LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 50 млр
503DBB-ABAF Silicon Labs 503DBB-ABAF -
RFQ
 ECAD 1949 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI503 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 503dbb LVCMOS 1,8 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 30 млр
SG-9101CA-D40SGABA EPSON SG-9101CA-D40SGABA 5,1000
RFQ
 ECAD 1852 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - -4,00%, vniз 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
510HCA-AAAG Skyworks Solutions Inc. 510HCA-AAAG 21.8700
RFQ
 ECAD 8866 0,00000000 Skyworks Solutions Inc. SI510 Полески Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,071 "(1,80 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 510HCA HCSL 2,5 В. СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 44 май Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - 18 май 100 kgц ~ 124,999 M - ± 30 млр
SG-9101CA-C20PGDCC EPSON SG-9101CA-C20PGDCC 5,1000
RFQ
 ECAD 9208 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 2,00%, 3,7 млн 670 кг ~ 20 мгн -
502BBD-ABAF Silicon Labs 502BBD-ABAF -
RFQ
 ECAD 4628 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI502 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 502bbd LVCMOS 3,3 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 30 млр
SG-9101CA-D05SGCAB EPSON SG-9101CA-D05SGCAB 5,1000
RFQ
 ECAD 7339 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - -0,50%, vniз 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
502CAE-ABAG Silicon Labs 502cae-abag -
RFQ
 ECAD 9380 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI502 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 502cae LVCMOS 2,5 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 50 млр
SG-9101CB-D30SHCCA EPSON SG-9101CB-D30SHCCA 8.2800
RFQ
 ECAD 3297 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - -3,00%, vniз 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
503BAB-ABAF Silicon Labs 503BAB-ABAF -
RFQ
 ECAD 3626 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI503 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 503BAB LVCMOS 3,3 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 50 млр
502EBA-ABAG Silicon Labs 502eba-abag -
RFQ
 ECAD 3469 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI502 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 502EBA LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 30 млр
504ABA-ACAF Silicon Labs 504ABA-ACAF -
RFQ
 ECAD 4514 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI504 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 504ABA LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 30 млр
502BBB-ACAF Silicon Labs 502bbb-acaf -
RFQ
 ECAD 7800 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI502 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 502BBB LVCMOS 3,3 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 30 млр
501MAC-ACAG Silicon Labs 501mac-acag -
RFQ
 ECAD 4431 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501mac LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 50 млр
SG-9101CA-D05PGACC EPSON SG-9101CA-D05PGACC 5,1000
RFQ
 ECAD 9481 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - -0,50%, vniз 3,7 млн 670 кг ~ 20 мгн -
SG-9101CB-D40SHACB EPSON SG-9101CB-D40SHACB 8.2800
RFQ
 ECAD 8323 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - -4,00%, vniз 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
502ACA-ADAG Silicon Labs 502ACA-ADAG -
RFQ
 ECAD 4668 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI502 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 502ACA LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 20 aSteй naйцaх
511HAA-BBAG Skyworks Solutions Inc. 511haa-bbag 19.5600
RFQ
 ECAD 6707 0,00000000 Skyworks Solutions Inc. SI511 Полески Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,050 "(1,28 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 511haa HCSL 2,5 В. СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 44 май Кришалл ± 50 млр - 18 май 125 мг ~ 169,999 м. ± 100 млр
501JAD-ACAF Silicon Labs 501jad-acaf -
RFQ
 ECAD 2721 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501Jad LVCMOS 3,3 В. - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 50 млр
511RAA-BBAG Skyworks Solutions Inc. 511raa-bbag 19.5600
RFQ
 ECAD 5875 0,00000000 Skyworks Solutions Inc. SI511 Полески Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,050 "(1,28 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 511raa CMOS, DVOйNOй (FPAHE) 1,8 В. СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 26 май Кришалл ± 50 млр - 18 май 125 мг ~ 169,999 м. ± 100 млр
SG-9101CA-D05PHBCA EPSON SG-9101CA-D05PHBCA 5,1000
RFQ
 ECAD 4961 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - -0,50%, vniз 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
511QBA-CAAG Skyworks Solutions Inc. 511QBA-CAAG 15.4900
RFQ
 ECAD 1843 0,00000000 Skyworks Solutions Inc. SI511 Полески Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,071 "(1,80 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 511QBA Cmos, Dvoйnoй (DopolniTeLnый) 2,5 В. СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 26 май Кришалл ± 25plm - 18 май 170 мг ~ 212,5 М. ± 50 млр
SG-9101CB-C02PHCAA EPSON SG-9101CB-C02PHCAA 8.2800
RFQ
 ECAD 7681 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 0,25% 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
SG-9101CB-C07SHACC EPSON SG-9101CB-C07SHACC 8.2800
RFQ
 ECAD 7290 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 0,75%, 3,7 млн 670 кг ~ 20 мгн -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть