SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Руэйнги Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Wshod Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодар Файнкхия ТОК - Постка (МАКС) Baзowый rerзonator ЧSTOTNARYAVENSPARINOSTHSTH Абсолнгендэапан Тэйги (аплель) RaSproStraneneeperpupusknoй pososobnosti opektra Ток - Посткака (отклшит) (макс)
DSC1001DI1-033.3330T Microchip Technology DSC1001DI1-033.3330T 1.1400
RFQ
ECAD 5488 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 33,333 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 7,2 мая Мемс ± 50 млр - - 15 Мка
DSC1001DI1-048.0000T Microchip Technology DSC1001DI1-048.0000T 0,9720
RFQ
ECAD 4749 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 48 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 7,2 мая Мемс ± 50 млр - - 15 Мка
DSC1001DI1-050.0000B Microchip Technology DSC1001DI1-050.0000B -
RFQ
ECAD 9695 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 50 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 7,2 мая Мемс ± 50 млр - - 15 Мка
DSC1001DI1-098.3040T Microchip Technology DSC1001DI1-098.3040T -
RFQ
ECAD 7605 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 98 304 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 8,7 Ма Мемс ± 50 млр - - 15 Мка
DSC1001DI1-100.0000T Microchip Technology DSC1001DI1-100.0000T -
RFQ
ECAD 9991 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 100 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 8,7 Ма Мемс ± 50 млр - - 15 Мка
DSC1001DI2-001.0000T Microchip Technology DSC1001DI2-001.0000T -
RFQ
ECAD 5073 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 1 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,3 май Мемс ± 25plm - - 15 Мка
DSC1001DI2-006.7800T Microchip Technology DSC1001DI2-006.7800T -
RFQ
ECAD 3145 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 6,78 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,3 май Мемс ± 25plm - - 15 Мка
DSC1001DI2-009.6000T Microchip Technology DSC1001DI2-009.6000T -
RFQ
ECAD 3659 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 9,6 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,3 май Мемс ± 25plm - - 15 Мка
DSC1001DI2-010.0000T Microchip Technology DSC1001DI2-010.0000T -
RFQ
ECAD 6853 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 10 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,3 май Мемс ± 25plm - - 15 Мка
DSC1001DI2-011.0592T Microchip Technology DSC1001DI2-011.0592T -
RFQ
ECAD 6771 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 11.0592 МОГ CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,3 май Мемс ± 25plm - - 15 Мка
DSC1001DI2-014.3182T Microchip Technology DSC1001DI2-014.3182T -
RFQ
ECAD 4482 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 14.3182 МОГ CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,3 май Мемс ± 25plm - - 15 Мка
DSC1001DI2-016.0000T Microchip Technology DSC1001DI2-016.0000T 1.2200
RFQ
ECAD 1780 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 16 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,3 май Мемс ± 25plm - - 15 Мка
DSC1001DI2-018.4320T Microchip Technology DSC1001DI2-018.4320T -
RFQ
ECAD 7037 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 18.432 МОГ CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,3 май Мемс ± 25plm - - 15 Мка
DSC1001DI2-020.0000T Microchip Technology DSC1001DI2-020.0000T -
RFQ
ECAD 2649 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 20 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,3 май Мемс ± 25plm - - 15 Мка
DSC1001DI2-022.0000T Microchip Technology DSC1001DI2-022.0000T -
RFQ
ECAD 8197 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 22 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,3 май Мемс ± 25plm - - 15 Мка
DSC1001DI2-024.0000T Microchip Technology DSC1001DI2-024.0000T 1.4500
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 24 млн CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,3 май Мемс ± 25plm - - 15 Мка
DSC1001DI2-027.0000B Microchip Technology DSC1001DI2-027.0000B -
RFQ
ECAD 2296 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 27 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 7,2 мая Мемс ± 25plm - - 15 Мка
DSC1001DI2-028.6363B Microchip Technology DSC1001DI2-028.6363B -
RFQ
ECAD 9889 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 28.6363 МОГ CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 7,2 мая Мемс ± 25plm - - 15 Мка
DSC1001DI2-032.0000T Microchip Technology DSC1001DI2-032.0000T -
RFQ
ECAD 2549 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 32 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 7,2 мая Мемс ± 25plm - - 15 Мка
DSC1001BI2-007.3728T Microchip Technology DSC1001BI2-007.3728T -
RFQ
ECAD 9713 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 7 3728 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,3 май Мемс ± 25plm - - 15 Мка
DSC1001BI2-008.1920T Microchip Technology DSC1001BI2-008.1920T -
RFQ
ECAD 7648 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 8 192 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,3 май Мемс ± 25plm - - 15 Мка
DSC1001BI2-012.0000T Microchip Technology DSC1001BI2-012.0000T 0,9600
RFQ
ECAD 7851 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 12 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,3 май Мемс ± 25plm - - 15 Мка
DSC1001BI2-014.3180T Microchip Technology DSC1001BI2-014.3180T -
RFQ
ECAD 9902 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 14.318 Mmgц CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,3 май Мемс ± 25plm - - 15 Мка
DSC1001BI2-014.3182T Microchip Technology DSC1001BI2-014.3182T -
RFQ
ECAD 2575 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 14.3182 МОГ CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,3 май Мемс ± 25plm - - 15 Мка
DSC1001BI2-016.0000T Microchip Technology DSC1001BI2-016.0000T -
RFQ
ECAD 5728 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 16 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,3 май Мемс ± 25plm - - 15 Мка
DSC1001BI2-016.3840T Microchip Technology DSC1001BI2-016.3840T -
RFQ
ECAD 2277 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 16.384 Mmgц CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,3 май Мемс ± 25plm - - 15 Мка
DSC1001BI2-024.0000T Microchip Technology DSC1001BI2-024.0000T 1.2600
RFQ
ECAD 1763 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 24 млн CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,3 май Мемс ± 25plm - - 15 Мка
DSC1001BI2-025.0000T Microchip Technology DSC1001BI2-025.0000T -
RFQ
ECAD 2362 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 25 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,3 май Мемс ± 25plm - - 15 Мка
DSC1001BI2-026.0000T Microchip Technology DSC1001BI2-026.0000T -
RFQ
ECAD 5492 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 26 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,3 май Мемс ± 25plm - - 15 Мка
DSC1001BI2-033.0000T Microchip Technology DSC1001BI2-033.0000T -
RFQ
ECAD 7189 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 33 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 7,2 мая Мемс ± 25plm - - 15 Мка
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе