SIC
close

Крипраллл, осиллаторы, reзonatorы (18804)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Епако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Руэйнги Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Wshod Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Файнкхия ТОК - Постка (МАКС) Вес Baзowый rerзonator ЧSTOTNARYAVENSPARINOSTHSTH Абсолнгендэапан Тэйги (аплель) RaSproStraneneeperpupusknoй pososobnosti opektra Ток - Посткака (отклшит) (макс) ЧastoTA - Вес 1 ЧastoTA - vыхod 2 ЧastoTA - Вес 3 ASTOTA - В.О. 4 4
DSA1001DI1-019.2000TVAO Microchip Technology DSA1001DI1-019.2000TVAO -
RFQ
 ECAD 1254 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSA1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-VDFN Xo (Стандарт) DSA1001 19,2 мг CMOS 1,7 В ~ 3,6 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 150-DSA1001DI1-019.2000TVAO Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 8 май Мемс ± 50 млр - - 15 Мка
DSC1003BI5-040.0000T Microchip Technology DSC1003BI5-040.0000T -
RFQ
 ECAD 6859 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1003 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-VDFN Xo (Стандарт) DSC1003 40 мг CMOS 1,7 В ~ 3,6 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 10,5 мая Мемс - ± 10PPM - 15 Мка
VCC1-1541-98M3040000 Microchip Technology VCC1-1541-98M3040000 -
RFQ
 ECAD 2789 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА VCC1 Lenta и катахка (tr) Актифен - - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,075 "(1,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 98 304 мг CMOS - СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 150-VCC1-1541-98M3040000TR Ear99 8542.39.0001 1 - - Кришалл - - - -
DSC1001BI5-018.4320T Microchip Technology DSC1001BI5-018.4320T -
RFQ
 ECAD 1441 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-VDFN Xo (Стандарт) DSC1001 18.432 МОГ CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 8 май Мемс ± 10PPM - - 15 Мка
DSC6051HI2B-012.0000 Microchip Technology DSC6051HI2B-012.0000 -
RFQ
 ECAD 2816 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XXB Симка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,063 "L x 0,047" W (1,60 мм х 1,20 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-VFLGA Xo (Стандарт) 12 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 150-DSC6051HI2B-012.0000 Ear99 8542.39.0001 100 Rushyme oshydanyna (Power Down) 1,3 мана (теп) Мемс ± 25plm - - 1,5 мка
DSC1104DI1-156.2500 Microchip Technology DSC1104DI1-156.2500 -
RFQ
 ECAD 1693 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1104 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1104 156,25 мг HCSL 2,25 -3,6 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 140 Rushyme oshydanyna (Power Down) 42 май Мемс ± 50 млр - - 95 мка
VC-801-HAE-KAAN-50M0000000 Microchip Technology VC-801-HAE-KAAN-50M0000000 -
RFQ
 ECAD 9386 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * Lenta и катахка (tr) Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000
DSC1004CL2-027.0000 Microchip Technology DSC1004CL2-027.0000 -
RFQ
 ECAD 7310 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1004 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1004 27 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 110 Rushyme oshydanyna (Power Down) 7,1 май Мемс ± 25plm - - -
VCC1-H3B-100M000000 Microchip Technology VCC1-H3B-100M000000 -
RFQ
 ECAD 5697 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * Lenta и катахка (tr) Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000
DSC1121CI5-049.1520 Microchip Technology DSC1121CI5-049.1520 -
RFQ
 ECAD 1669 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1121 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1121 49 152 мг CMOS 2,25 -3,6 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 110 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 35 май Мемс ± 10PPM - - 22 май
DSC1121AI2-061.4400T Microchip Technology DSC1121AI2-061.4400T -
RFQ
 ECAD 7685 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1121 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1121 61,44 мг CMOS 2,25 -3,6 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 22 май Мемс ± 25plm - - -
DSC1001AL5-040.0000 Microchip Technology DSC1001AL5-040.0000 2.1840
RFQ
 ECAD 9601 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. AEC-Q100 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 40 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 50 Rushyme oshydanyna (Power Down) 7,2 мая Мемс ± 10PPM - - 15 Мка
VCC6-RCB-200M000000 Microchip Technology VCC6-RCB-200M000000 -
RFQ
 ECAD 9530 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * Lenta и катахка (tr) Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 250
DSC2311KI2-R0056 Microchip Technology DSC2311KI2-R0056 -
RFQ
 ECAD 5343 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC2311 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 6-VDFN Xo (Стандарт) DSC2311 CMOS 2,25 -3,6 В. СКАХАТА DOSTISH Ear99 8542.39.0001 140 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ - 0,035 "(0,90 мм) Мемс ± 25plm 23 май 16 мг 32 мг - -
DSC6101MA3B-019.2000 Microchip Technology DSC6101MA3B-019.2000 -
RFQ
 ECAD 5426 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XXB Симка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. AEC-Q100 0,079 "L x 0,063" W (2,00 мм х 1,60 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-VFLGA Xo (Стандарт) DSC6101 19,2 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 100 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 3ma (typ) Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - -
DSC1123BI5-010.0000T Microchip Technology DSC1123BI5-010.0000T -
RFQ
 ECAD 2171 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1123 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1123 10 мг LVDS 2,25 -3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 32 май Мемс ± 10PPM - - 22 май
VT-860-HFE-106C-20M0000000 Microchip Technology VT-860-HFE-106C-20M0000000 -
RFQ
 ECAD 7556 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * Lenta и катахка (tr) Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000
DSC2011FI2-F0017 Microchip Technology DSC2011FI2-F0017 -
RFQ
 ECAD 6138 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC2011 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 14-vfqfn otkrыtai-anploщadka Xo (Стандарт) DSC2011 CMOS 2,25 -3,6 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 110 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 32ma (typ) 0,035 "(0,90 мм) Мемс ± 25plm 23 май 24 млн 100 метров, 200 мгр. - -
DSC1123CI3-165.0000T Microchip Technology DSC1123CI3-165.0000T -
RFQ
 ECAD 9745 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1123 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 165 мг LVDS 2,25 -3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 150-DSC1123CI3-165.0000TTR Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 32 май Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 22 май
MX575RBA114M285-TR Microchip Technology MX575RBA114M285-TR -
RFQ
 ECAD 9032 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА MX57 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 6-llga Xo (Стандарт) MX575RBA114M285 114 285 мг Lvpecl 2 375 ЕГО 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 120 май Кришалл ± 50 млр - - -
DSC1123DE5-200.0000 Microchip Technology DSC1123DE5-200.0000 -
RFQ
 ECAD 1938 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1123 Трубка Актифен -20 ° C ~ 70 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1123 200 мг LVDS 2,25 -3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 140 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 32 май Мемс ± 10PPM - - 22 май
MV-9350AE-1F-EEP-128M00000 Microchip Technology MV-9350AE-1F-IP-128M00000 -
RFQ
 ECAD 4721 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * Lenta и катахка (tr) Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 250
DSC1103DL2-156.2500 Microchip Technology DSC1103DL2-156.2500 3.4700
RFQ
 ECAD 8333 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1103 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1103 156,25 мг LVDS 2,25 -3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 140 Rushyme oshydanyna (Power Down) 32 май Мемс ± 25plm - - 95 мка
DSC1018BC1-054.0000 Microchip Technology DSC1018BC1-054.0000 -
RFQ
 ECAD 6542 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1018 Трубка Управо 0 ° C ~ 70 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 54 мг CMOS 1,8 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 72 Rushyme oshydanyna (Power Down) 4ma (typ) Мемс ± 50 млр - - 1 мка
DSC1001DE5-016.0000T Microchip Technology DSC1001DE5-016.0000T -
RFQ
 ECAD 5808 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -20 ° C ~ 70 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 16 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,3 май Мемс ± 10PPM - - 15 Мка
DSC6003MI1B-350K000 Microchip Technology DSC6003MI1B-350K000 -
RFQ
 ECAD 4499 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XXB Симка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,079 "L x 0,063" W (2,00 мм х 1,60 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-VFLGA Xo (Стандарт) 350 кг CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 150-DSC6003MI1B-350K000 Ear99 8542.39.0001 100 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 1,3 мана (теп) Мемс ± 50 млр - - -
VPC1-B1B-51M2000000 Microchip Technology VPC1-B1B-51M2000000 -
RFQ
 ECAD 6958 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * Lenta и катахка (tr) Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000
DSC6331JI1FB-024.0000T Microchip Technology DSC6331JI1FB-024.0000T -
RFQ
 ECAD 4233 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC63XXB Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-VLGA Xo (Стандарт) 24 млн LVCMOS 1,8 В ~ 3,3 В. - DOSTISH 150-DSC6331JI1FB-024.0000TTR Ear99 8542.39.0001 1000 - 3ma (typ) Мемс ± 50 млр - ± 2,50%, -
DSC6331JI1DB-025.0000 Microchip Technology DSC6331JI1DB-025.0000 -
RFQ
 ECAD 7727 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC63XXB Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-VLGA Xo (Стандарт) DSC6331 25 мг CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 150-DSC6331JI1DB-025.0000 Ear99 8542.39.0001 140 - 3ma (typ) Мемс ± 50 млр - ± 1,50%, -
DSC6011JI1B-050.0000 Microchip Technology DSC6011JI1B-050.0000 -
RFQ
 ECAD 3896 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XXB Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-VLGA Xo (Стандарт) DSC6011 50 мг CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 150-DSC6011JI1B-050.0000 Ear99 8542.39.0001 140 Rushyme oshydanyna (Power Down) 1,3 мана (теп) Мемс ± 50 млр - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть