SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Епако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Руэйнги Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Wshod Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодар Файнкхия ТОК - Постка (МАКС) Baзowый rerзonator ЧSTOTNARYAVENSPARINOSTHSTH Абсолнгендэапан Тэйги (аплель) RaSproStraneneeperpupusknoй pososobnosti opektra Ток - Посткака (отклшит) (макс)
DSC6013CE1A-010.0000T Microchip Technology DSC6013CE1A-010.0000T -
RFQ
ECAD 8310 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XX Lenta и катахка (tr) Управо -20 ° C ~ 70 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 10 мг CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 1,3 мана (теп) Мемс ± 50 млр - - -
DSC6013CI2A-033.0000T Microchip Technology DSC6013CI2A-033.0000T -
RFQ
ECAD 5769 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XX Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 33 мг CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 1,3 мана (теп) Мемс ± 25plm - - -
DSC6083CE2A-032K768T Microchip Technology DSC6083CE2A-032K768T -
RFQ
ECAD 1648 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XX Lenta и катахка (tr) Управо -20 ° C ~ 70 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 32,768 кг CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.39.0001 1000 - 1,3 мана (теп) Мемс ± 25plm - - -
DSC6083CI1A-032K768T Microchip Technology DSC6083CI1A-032K768T -
RFQ
ECAD 7500 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XX Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 32,768 кг CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.39.0001 1000 - 1,3 мана (теп) Мемс ± 50 млр - - -
DSC6101CE1A-020.0000T Microchip Technology DSC6101CE1A-020.0000T -
RFQ
ECAD 6532 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Lenta и катахка (tr) Управо -20 ° C ~ 70 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 20 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 3ma (typ) Мемс ± 50 млр - - -
DSC6101CE2A-024.0000T Microchip Technology DSC6101CE2A-024.0000T -
RFQ
ECAD 8709 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Lenta и катахка (tr) Управо -20 ° C ~ 70 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 24 млн CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 3ma (typ) Мемс ± 25plm - - -
DSC6101CE2A-100.0000T Microchip Technology DSC6101CE2A-100.0000T -
RFQ
ECAD 9344 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Lenta и катахка (tr) Управо -20 ° C ~ 70 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 100 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 3ma (typ) Мемс ± 25plm - - -
DSC6101CI1A-024.0000T Microchip Technology DSC6101CI1A-024.0000T -
RFQ
ECAD 3264 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 24 млн CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 3ma (typ) Мемс ± 50 млр - - -
DSC6101CI2A-020.0000T Microchip Technology DSC6101CI2A-020.0000T -
RFQ
ECAD 2000 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 20 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 3ma (typ) Мемс ± 25plm - - -
DSC6101CI2A-048.0000T Microchip Technology DSC6101CI2A-048.0000T -
RFQ
ECAD 9946 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 48 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 3ma (typ) Мемс ± 25plm - - -
DSC6111CE1A-027.2250T Microchip Technology DSC6111CE1A-027.2250T -
RFQ
ECAD 8359 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Lenta и катахка (tr) Управо -20 ° C ~ 70 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 27.225 Mmgц CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 3ma (typ) Мемс ± 50 млр - - -
DSC6111CI2A-008.0000T Microchip Technology DSC6111CI2A-008.0000T -
RFQ
ECAD 8063 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 8 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 3ma (typ) Мемс ± 25plm - - -
DSC6183CI1A-800K000T Microchip Technology DSC6183CI1A-800K000T -
RFQ
ECAD 1999 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 800 kgц CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 3ma (typ) Мемс ± 50 млр - - -
DSC6183CI2A-030K000T Microchip Technology DSC6183CI2A-030K000T -
RFQ
ECAD 4678 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 30 kgц CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 3ma (typ) Мемс ± 25plm - - -
DSC1001BE1-066.6666T Microchip Technology DSC1001BE1-066.6666T -
RFQ
ECAD 1534 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -20 ° C ~ 70 ° C. AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 66.6666 Mmgц CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 7,1 май Мемс ± 50 млр - - -
DSC1001BE1-133.0000T Microchip Technology DSC1001BE1-133.0000T -
RFQ
ECAD 6842 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -20 ° C ~ 70 ° C. AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 133 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 8,7 Ма Мемс ± 50 млр - - -
DSC1001BE2-012.2880T Microchip Technology DSC1001BE2-012.2880T -
RFQ
ECAD 8164 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -20 ° C ~ 70 ° C. AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 12.288 MMGц CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,3 май Мемс ± 25plm - - -
DSC1001BE2-014.7450T Microchip Technology DSC1001BE2-014.7450T -
RFQ
ECAD 7599 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -20 ° C ~ 70 ° C. AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 14.745 Mmgц CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,3 май Мемс ± 25plm - - -
DSC1001BI1-011.0592T Microchip Technology DSC1001BI1-011.0592T -
RFQ
ECAD 1388 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 11.0592 МОГ CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,3 май Мемс ± 50 млр - - -
DSC1001BI2-028.6363T Microchip Technology DSC1001BI2-028.6363T -
RFQ
ECAD 7613 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 28.6363 МОГ CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 7,1 май Мемс ± 25plm - - -
DSC1001BI5-001.6000T Microchip Technology DSC1001BI5-001.6000T -
RFQ
ECAD 7882 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 1,6 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,3 май Мемс ± 10PPM - - -
DSC1001BI5-033.0000T Microchip Technology DSC1001BI5-033.0000T -
RFQ
ECAD 1902 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 33 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 7,1 май Мемс ± 10PPM - - -
DSC1001BI5-125.0031T Microchip Technology DSC1001BI5-125.0031T -
RFQ
ECAD 9372 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 125 0031 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 11,9 май Мемс ± 10PPM - - -
DSC1001BL2-026.0000T Microchip Technology DSC1001BL2-026.0000T -
RFQ
ECAD 2924 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 26 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,3 май Мемс ± 25plm - - -
DSC1001BL2-048.0000T Microchip Technology DSC1001BL2-048.0000T -
RFQ
ECAD 2793 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 48 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 7,1 май Мемс ± 25plm - - -
DSC1001BL5-001.1385T Microchip Technology DSC1001BL5-001.1385T -
RFQ
ECAD 1174 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 11385 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,3 май Мемс ± 10PPM - - -
DSC1001BL5-033.3330T Microchip Technology DSC1001BL5-033.3330T -
RFQ
ECAD 5317 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC1001 33,333 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 7,1 май Мемс ± 10PPM - - -
DSC1001AE5-004.0000T Microchip Technology DSC1001AE5-004.0000T -
RFQ
ECAD 6379 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -20 ° C ~ 70 ° C. AEC-Q100 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-smd, neot svinshowoйproklaudky Xo (Стандарт) DSC1001 4 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,3 май Мемс ± 10PPM - - -
DSC1001AE5-020.0000T Microchip Technology DSC1001AE5-020.0000T -
RFQ
ECAD 5460 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -20 ° C ~ 70 ° C. AEC-Q100 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-smd, neot svinshowoйproklaudky Xo (Стандарт) DSC1001 20 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,3 май Мемс ± 10PPM - - -
DSC1001AE5-125.0000T Microchip Technology DSC1001AE5-125.0000T -
RFQ
ECAD 1930 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1001 Lenta и катахка (tr) Актифен -20 ° C ~ 70 ° C. AEC-Q100 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-smd, neot svinshowoйproklaudky Xo (Стандарт) DSC1001 125 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 11,9 май Мемс ± 10PPM - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе