SIC
close

Крипраллл, осилллоры, reзonatorы (5864)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Руэйнги Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП ЧastoTA Wshod Napraheneee - posta Вернояж Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Файнкхия ТОК - Постка (МАКС) Baзowый rerзonator ЧSTOTNARYAVERSAPARYNOSTHSTH Абсолнгендэапан Тэйги (аплель) RaSproStraneneeperpupusknoй pososobnosti opektra Ток - Посткака (отклшит) (макс)
501BCAM032768CAG Silicon Labs 501BCAM032768CAG -
RFQ
 ECAD 3510 0,00000000 Силиконо SI501 Полески Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 32,768 кг LVCMOS 3,3 В. 2 (1 годы) 336-2853 Ear99 8542.39.0001 50 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 2,5 мая Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 2,5 мая
501JCAM032768BAF Silicon Labs 501JCAM032768BAF -
RFQ
 ECAD 8053 0,00000000 Силиконо SI501 Полески Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 32,768 кг LVCMOS 3,3 В. 2 (1 годы) 336-2856 Ear99 8542.39.0001 50 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 4,9 мая Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 4,9 мая
501JCAM032768CAF Silicon Labs 501JCAM032768CAF -
RFQ
 ECAD 2176 0,00000000 Силиконо SI501 Полески Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 32,768 кг LVCMOS 3,3 В. 2 (1 годы) 336-2858 Ear99 8542.39.0001 50 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 4,9 мая Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 4,9 мая
501ABA8M00000BAF Silicon Labs 501ABA8M00000BAF -
RFQ
 ECAD 3048 0,00000000 Силиконо SI501 Полески Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 8 мг LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 2 (1 годы) 336-2868 Ear99 8542.39.0001 50 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 2,5 мая Мемс ± 30 млр - - 2,5 мая
501ABA8M00000BAG Silicon Labs 501ABA8M00000 -
RFQ
 ECAD 4482 0,00000000 Силиконо SI501 Полески Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 8 мг LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 2 (1 годы) 336-2869 Ear99 8542.39.0001 50 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 2,5 мая Мемс ± 30 млр - - 2,5 мая
501ABA8M00000DAG Silicon Labs 501ABA8M00000DAG -
RFQ
 ECAD 2014 0,00000000 Силиконо SI501 Полески Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 8 мг LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 2 (1 годы) 336-2873 Ear99 8542.39.0001 50 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 2,5 мая Мемс ± 30 млр - - 2,5 мая
501ACA10M0000CAF Silicon Labs 501ACA10M0000CAF -
RFQ
 ECAD 3732 0,00000000 Силиконо SI501 Полески Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 10 мг LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 2 (1 годы) 336-2876 Ear99 8542.39.0001 50 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 2,5 мая Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 2,5 мая
501JCA10M0000BAG Silicon Labs 501JCA10M0000BAGE -
RFQ
 ECAD 7470 0,00000000 Силиконо SI501 Полески Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 10 мг LVCMOS 3,3 В. 2 (1 годы) 336-2881 Ear99 8542.39.0001 50 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 4,9 мая Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 4,9 мая
501HCA12M0000BAG Silicon Labs 501HCA12M00BAGD -
RFQ
 ECAD 9653 0,00000000 Силиконо SI501 Полески Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 12 мг LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 2 (1 годы) 336-2887 Ear99 8542.39.0001 50 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 4,9 мая Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 4,9 мая
501BAA16M0000BAG Silicon Labs 501BAA16M00BAGE -
RFQ
 ECAD 8664 0,00000000 Силиконо SI501 Полески Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 16 мг LVCMOS 3,3 В. 2 (1 годы) 336-2899 Ear99 8542.39.0001 50 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 2,5 мая Мемс ± 50 млр - - 2,5 мая
501JCA20M0000BAF Silicon Labs 501JCA20M0000BAF -
RFQ
 ECAD 4846 0,00000000 Силиконо SI501 Полески Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 20 мг LVCMOS 3,3 В. 2 (1 годы) 336-2904 Ear99 8542.39.0001 50 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 4,9 мая Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 4,9 мая
501JCA20M0000BAG Silicon Labs 501JCA20M00BAGE -
RFQ
 ECAD 4347 0,00000000 Силиконо SI501 Полески Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 20 мг LVCMOS 3,3 В. 2 (1 годы) 336-2905 Ear99 8542.39.0001 50 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 4,9 мая Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 4,9 мая
501JCA20M0000CAF Silicon Labs 501JCA20M0000CAF -
RFQ
 ECAD 9817 0,00000000 Силиконо SI501 Полески Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 20 мг LVCMOS 3,3 В. 2 (1 годы) 336-2906 Ear99 8542.39.0001 50 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 4,9 мая Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 4,9 мая
501JCA20M0000DAG Silicon Labs 501JCA20M0000DAG -
RFQ
 ECAD 7427 0,00000000 Силиконо SI501 Полески Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 20 мг LVCMOS 3,3 В. 2 (1 годы) 336-2909 Ear99 8542.39.0001 50 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 4,9 мая Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 4,9 мая
501AAA24M0000DAF Silicon Labs 501AAA24M0000DAF -
RFQ
 ECAD 1000 0,00000000 Силиконо SI501 Полески Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 24 млн LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 2 (1 годы) 336-2914 Ear99 8542.39.0001 50 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 2,5 мая Мемс ± 50 млр - - 2,5 мая
501AAA24M0000DAG Silicon Labs 501AAA24M0000DAG -
RFQ
 ECAD 4716 0,00000000 Силиконо SI501 Полески Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 24 млн LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 2 (1 годы) 336-2915 Ear99 8542.39.0001 50 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 2,5 мая Мемс ± 50 млр - - 2,5 мая
501JAA24M0000BAF Silicon Labs 501JAA24M0000BAF -
RFQ
 ECAD 2179 0,00000000 Силиконо SI501 Полески Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 24 млн LVCMOS 3,3 В. 2 (1 годы) 336-2916 Ear99 8542.39.0001 50 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 4,9 мая Мемс ± 50 млр - - 4,9 мая
501JAA24M0000DAG Silicon Labs 501JAA24M0000DAG -
RFQ
 ECAD 2476 0,00000000 Силиконо SI501 Полески Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 24 млн LVCMOS 3,3 В. 2 (1 годы) 336-2921 Ear99 8542.39.0001 50 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 4,9 мая Мемс ± 50 млр - - 4,9 мая
501AAA25M0000BAF Silicon Labs 501AAA25M0000BAF -
RFQ
 ECAD 9575 0,00000000 Силиконо SI501 Полески Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 25 мг LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 2 (1 годы) 336-2928 Ear99 8542.39.0001 50 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 2,5 мая Мемс ± 50 млр - - 2,5 мая
501AAA25M0000BAG Silicon Labs 501aaaaa25m00bagb -
RFQ
 ECAD 7134 0,00000000 Силиконо SI501 Полески Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 25 мг LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 2 (1 годы) 336-2929 Ear99 8542.39.0001 50 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 2,5 мая Мемс ± 50 млр - - 2,5 мая
501AAA25M0000CAF Silicon Labs 501AAA25M0000CAF -
RFQ
 ECAD 6134 0,00000000 Силиконо SI501 Полески Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 25 мг LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 2 (1 годы) 336-2930 Ear99 8542.39.0001 50 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 2,5 мая Мемс ± 50 млр - - 2,5 мая
501AAA25M0000DAF Silicon Labs 501aaaaaaa25m0000daf -
RFQ
 ECAD 3955 0,00000000 Силиконо SI501 Полески Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 25 мг LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 2 (1 годы) 336-2932 Ear99 8542.39.0001 50 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 2,5 мая Мемс ± 50 млр - - 2,5 мая
501JAA25M0000CAG Silicon Labs 501jaa25m0000cag -
RFQ
 ECAD 1995 0,00000000 Силиконо SI501 Полески Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 25 мг LVCMOS 3,3 В. 2 (1 годы) 336-2937 Ear99 8542.39.0001 50 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 4,9 мая Мемс ± 50 млр - - 4,9 мая
501JAA25M0000DAG Silicon Labs 501JAA25M0000DAG -
RFQ
 ECAD 7854 0,00000000 Силиконо SI501 Полески Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 25 мг LVCMOS 3,3 В. 2 (1 годы) 336-2939 Ear99 8542.39.0001 50 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 4,9 мая Мемс ± 50 млр - - 4,9 мая
501JCA25M0000DAG Silicon Labs 501JCA25M0000DAG -
RFQ
 ECAD 1596 0,00000000 Силиконо SI501 Полески Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 25 мг LVCMOS 3,3 В. 2 (1 годы) 336-2945 Ear99 8542.39.0001 50 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 4,9 мая Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 4,9 мая
501AAA27M0000BAF Silicon Labs 501AAA27M0000BAF -
RFQ
 ECAD 2619 0,00000000 Силиконо SI501 Полески Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 27 мг LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 2 (1 годы) 336-2952 Ear99 8542.39.0001 50 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 2,5 мая Мемс ± 50 млр - - 2,5 мая
501AAA27M0000DAG Silicon Labs 501AAA27M0000DAG 0,8900
RFQ
 ECAD 292 0,00000000 Силиконо SI501 Полески Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 27 мг LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 2 (1 годы) 336-2957 Ear99 8542.39.0001 50 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 2,5 мая Мемс ± 50 млр - - 2,5 мая
501HCA27M0000DAG Silicon Labs 501HCA27M0000DAG 0,9300
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Силиконо SI501 Полески Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 27 мг LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 2 (1 годы) 336-2963 Ear99 8542.39.0001 50 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 4,9 мая Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 4,9 мая
501EAA48M0000CAF Silicon Labs 501EAA48M0000CAF -
RFQ
 ECAD 3824 0,00000000 Силиконо SI501 Полески Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 48 мг LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 2 (1 годы) 336-2972 Ear99 8542.39.0001 50 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 2,5 мая Мемс ± 50 млр - - 2,5 мая
501EAA48M0000DAF Silicon Labs 501EAA48M0000DAF -
RFQ
 ECAD 4321 0,00000000 Силиконо SI501 Полески Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 48 мг LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 2 (1 годы) 336-2974 Ear99 8542.39.0001 50 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 2,5 мая Мемс ± 50 млр - - 2,5 мая
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть