Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Rraboч -yemperatura | Руэйнги | Raзmer / yзmerenee | Веса - Синяя (МАКСИМУМ) | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | ТИП | Baзowый nomer prodikta | ЧastoTA | Wshod | Napraheneee - posta | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Доусейн Статуса | Дрогин ИНЕНА | Eccn | Htsus | Станодар | Файнкхия | ТОК - Постка (МАКС) | Baзowый rerзonator | ЧSTOTNARYAVENSPARINOSTHSTH | Абсолнгендэапан Тэйги (аплель) | RaSproStraneneeperpupusknoй pososobnosti opektra | Ток - Посткака (отклшит) (макс) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SG-8101CG 50.1360M-TBGPA0 | 2.0796 | ![]() | 8858 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 50.136 MMGц | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CG50.1360M-TBGPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 3,5 мая | |
![]() | SG-8101CB 93.2000M-Tchpa0 | 1.8746 | ![]() | 3939 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 93,2 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CB93.2000M TCHPA0TR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 3,5 мая | |
![]() | SG-8101CA 12000M-TBGPA0 | 1.6842 | ![]() | 5626 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 1,2 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CA1.2000M-TBGPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 3,5 мая | |
![]() | SG-8018CB 50.4833M-TJHPA0 | 0,6363 | ![]() | 2394 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8018 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 50.4833 МОГ | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8018CB50.4833M-TJHPA0 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 8.1MA | Кришалл | ± 50 млр | - | - | 3,5 мая | ||
![]() | VG-4231CA 30.7200M-FGRC | - | ![]() | 3057 | 0,00000000 | Эpsoan | VG-4231CA | МАССА | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,059 "(1,50 мм) | Пефер | 6-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 30,72 мг | CMOS | 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 10 май | Кришалл | ± 50 млр | ± 80 млр | 7ma | |||||
![]() | SG-8101CE 12.7666M-TBGSA0 | 0,7449 | ![]() | 2878 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,047 "(1,20 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 12.7666 MMGц | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CE12.7666M-TBGSA0TR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 1,1 мка | |
![]() | SG-8018CB 1,7000M-TJHSA0 | 0,6363 | ![]() | 2271 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8018 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 1,7 мг | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8018CB1.7000M-TJHSA0 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 3,5 мая | Кришалл | ± 50 млр | - | - | 1,1 мка | ||
![]() | SG-8101CA 50.2033M-TCHPA0 | 1.6842 | ![]() | 7565 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 50.2033 МОГ | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CA50.2033M-TCHPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 3,5 мая | |
![]() | SG-8101CA 19.6620M-TBGPA0 | 1.6842 | ![]() | 2253 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 19.662 МОГ | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CA19.6620M-TBGPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 3,5 мая | |
![]() | SG-8101CA 51.0000M-TBGSA0 | 1.6842 | ![]() | 2617 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 51 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CA51.0000M-TBGSA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 1,1 мка | |
![]() | SG-8018CG 21.477270M-TJHPA0 | 0,5606 | ![]() | 7128 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8018 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,031 "(0,80 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 21.47727 МОГ | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8018CG21.477270M-TJHPA0 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 8.1MA | Кришалл | ± 50 млр | - | - | 3,5 мая | ||
![]() | SG-8101CB 25 7600M-TCHSA0 | 1.8746 | ![]() | 7051 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 25,76 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CB25.7600M-TCHSA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 1,1 мка | |
![]() | SG-8018CG 93.4400M-TJHPA0 | 0,5606 | ![]() | 6338 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8018 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,031 "(0,80 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 93,44 мг | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8018CG93.4400M-TJHPA0 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 8.1MA | Кришалл | ± 50 млр | - | - | 3,5 мая | ||
![]() | SG-8101CB 52.4500M-TCHSA0 | 1.8746 | ![]() | 7583 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 52,45 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CB52.4500M-TCHSA0TR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 1,1 мка | |
![]() | SG-8101CB 37,2000M-TCHPA0 | 1.8746 | ![]() | 1142 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 37,2 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CB37.2000M-Tchpa0tr | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 3,5 мая | |
![]() | SG-8101CG 7,327810M-TCHPA0 | 2.0796 | ![]() | 7012 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 7 32781 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CG7.327810M-TCHPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 3,5 мая | |
![]() | SG-8101CB 50 9300M-TBGPA0 | 1.8746 | ![]() | 3071 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 50,93 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CB50.9300M-TBGPA0TR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 3,5 мая | |
![]() | SG-8101CE 45.7867M-TCHSA0 | 0,7449 | ![]() | 9292 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 45,7867 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CE45.7867M-TCHSA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 1,1 мка | |
![]() | SG-8101CE 7,4700M-TCHSA0 | 0,7449 | ![]() | 8051 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 7,47 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CE7.4700M-TCHSA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 1,1 мка | |
![]() | SG-8101CE 44.0000M-TCHSA0 | 0,7449 | ![]() | 2504 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 44 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CE44.0000M-TCHSA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 1,1 мка | |
![]() | SG-8018CA 46.1000M-TJHSA0 | 0,7121 | ![]() | 3200 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8018 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 46,1 мг | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8018CA46.1000M-TJHSA0 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 8.1MA | Кришалл | ± 50 млр | - | - | 1,1 мка | ||
![]() | SG-8101CE 49.666670M-TCHPA0 | 0,7449 | ![]() | 9717 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 49,66667 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CE49.666670M-TCHPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 3,5 мая | |
![]() | SG-8101CA 168.200912M-TCHPA0 | 1.6842 | ![]() | 1557 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 168.200912 МОГ | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CA168.200912M-TCHPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 3,5 мая | |
![]() | SG-8101CE 13.521270M-TBGSA0 | 0,7449 | ![]() | 9556 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,047 "(1,20 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 13.52127 МОГ | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CE13.521270M-TBGSA0TR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 1,1 мка | |
![]() | SG-8018CA 19.4670M-TJHPA0 | 0,7121 | ![]() | 6241 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8018 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 19.467 Mmgц | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8018CA19.4670M-TJHPA0 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 3,5 мая | Кришалл | ± 50 млр | - | - | 3,5 мая | ||
![]() | SG-8101CE 83.2500M-TBGSA0 | 0,7449 | ![]() | 4019 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 83,25 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CE83.2500M-TBGSA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 1,1 мка | |
![]() | SG-8101CG 19.9975M-TBGPA0 | 2.0796 | ![]() | 8762 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 19.9975 Mmgц | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CG19.9975M-TBGPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 3,5 мая | |
![]() | SG-8018CE 125.0031M-TJHPA0 | 0,5909 | ![]() | 2998 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8018 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,047 "(1,20 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 125 0031 мг | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8018CE125.0031M-TJHPA0 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 8.1MA | Кришалл | ± 50 млр | - | - | 3,5 мая | ||
![]() | SG-8018CE 16.6400M-TJHPA0 | 0,5909 | ![]() | 3874 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8018 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,047 "(1,20 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 16,64 мг | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8018CE16.6400M-TJHPA0 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 3,5 мая | Кришалл | ± 50 млр | - | - | 3,5 мая | ||
![]() | SG-8101CA 147,9000M-TBGSA0 | 1.6842 | ![]() | 3570 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 147,9 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CA147.9000M-TBGSA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 1,1 мка |
Средний объем RFQ
Стандартный продукт
Мировые производители
На складе