SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Руэйнги Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Wshod Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Файнкхия Programmirueemый typ ТОК - Постка (МАКС) Baзowый rerзonator ЧSTOTNARYAVENSPARINOSTHSTH Абсолнгендэапан Тэйги (аплель) RaSproStraneneeperpupusknoй pososobnosti opektra Ток - Посткака (отклшит) (макс) ДОСТУПНА ЧStoTnavanyavanyavangynyavanyshstath (obщ -я
SG-8101CB 50.0800M-TBGPA0 EPSON SG-8101CB 50.0800M-TBGPA0 1.8746
RFQ
ECAD 1765 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 50,08 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CB50.0800M-TBGPA0TR Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТА 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 3,5 мая
SG-8101CE 26.6600M-TBGSA0 EPSON SG-8101CE 26.6600M-TBGSA0 0,7449
RFQ
ECAD 4323 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 26,66 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CE26.6600M-TBGSA0TR Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 1,1 мка
SG-8018CB 26.6666M-TJHSA0 EPSON SG-8018CB 26.6666M-TJHSA0 0,6363
RFQ
ECAD 4580 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 26.6666 Mmgц CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CB26.6666M-TJHSA0 Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 8.1MA Кришалл ± 50 млр - - 1,1 мка
SG-8018CB 36.020408M-TJHPA0 EPSON SG-8018CB 36.020408M-TJHPA0 0,6363
RFQ
ECAD 1188 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 36.020408 Mmgц CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CB36.020408M-TJHPA0 Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТА 8.1MA Кришалл ± 50 млр - - 3,5 мая
SG-8101CB 2.7680M-TCHPA0 EPSON SG-8101CB 2.7680M-Tchpa0 1.8746
RFQ
ECAD 3277 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 2768 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CB2.7680M-TCHPA0TR Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТА 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 3,5 мая
SG-8101CA 146.5500M-TBGSA0 EPSON SG-8101CA 146.5500M-TBGSA0 1.6842
RFQ
ECAD 3190 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 146,55 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CA146.5500M-TBGSA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 1,1 мка
SG-8101CE 26.6670M-TBGPA0 EPSON SG-8101CE 26.6670M-TBGPA0 0,7449
RFQ
ECAD 1030 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 26.667 Mmgц CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CE26.6670M-TBGPA0TR Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТА 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 3,5 мая
SG-8101CE 64.0000M-TBGSA0 EPSON SG-8101CE 64.0000M-TBGSA0 0,7449
RFQ
ECAD 4186 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 64 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CE64.0000M-TBGSA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 1,1 мка
SG-8101CA 2.8000M-TBGPA0 EPSON SG-8101CA 2,8000M-TBGPA0 1.6842
RFQ
ECAD 6018 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 2,8 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CA2.8000M-TBGPA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТА 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 3,5 мая
SG-8101CB 50.0267M-TBGSA0 EPSON SG-8101CB 50.0267M-TBGSA0 1.8746
RFQ
ECAD 3986 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 50.0267 МОГ CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CB50.0267M-TBGSA0TR Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 1,1 мка
SG-8101CE 11.1300M-TCHPA0 EPSON SG-8101CE 11.1300M-TCHPA0 0,7449
RFQ
ECAD 9114 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 11,13 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CE11.1300M-TCHPA0TR Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТА 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 3,5 мая
SG-8101CE 13.3333M-TCHSA0 EPSON SG-8101CE 13.3333M-TCHSA0 0,7449
RFQ
ECAD 6502 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 13.3333 МОГ CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CE13.3333M-TCHSA0TR Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 1,1 мка
SG-8101CA 1.1800M-TBGSA0 EPSON SG-8101CA 1.1800M-TBGSA0 1.6842
RFQ
ECAD 8650 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 1,18 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CA1.1800M-TBGSA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 1,1 мка
SG-8101CA 4.1120M-TCHSA0 EPSON SG-8101CA 4.1120M-TCHSA0 1.6842
RFQ
ECAD 2403 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 4,112 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CA4.1120M-TCHSA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 1,1 мка
SG-8018CB 67.1280M-TJHSA0 EPSON SG-8018CB 67.1280M-TJHSA0 0,6363
RFQ
ECAD 9487 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 67,128 мг CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CB67.1280M-TJHSA0 Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 8.1MA Кришалл ± 50 млр - - 1,1 мка
SG-8101CE 66.1550M-TCHSA0 EPSON SG-8101CE 66.1550M-TCHSA0 0,7449
RFQ
ECAD 1498 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 66.155 Mmgц CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CE66.1550M-TCHSA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 1,1 мка
SG-531P 11.0000MC:ROHS EPSON SG-531P 11.0000MC: ROHS -
RFQ
ECAD 9656 0,00000000 Эpsoan SG-531 Трубка Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,539 "L x 0,260" W (13,70 мм x 6,60 мм) 0,209 "(5,30 мм) Чereз dыru 8-Dip, 4 provoDa (polowinaramera) Xo (Стандарт) 11 мг CMOS, Ttl СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 35 ВКЛИТА/ОТКЛИТА 23ma Кришалл ± 100 млр - 12ma
SG-8101CE 0.9540M-TBGSA0 EPSON SG-8101CE 0,9540M-TBGSA0 0,7449
RFQ
ECAD 2294 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 954 К.ц CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CE0.9540M-TBGSA0TR Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 1,1 мка
SG-8018CE 8.0000M-TJHSA3 EPSON SG-8018CE 8.0000M-TJHSA3 1.5998
RFQ
ECAD 8227 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8018 8 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CE8.0000M-TJHSA3TR Ear99 8541.60.0080 250 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая Кришалл ± 50 млр - - 1,1 мка
EG-2102CA 200.0000M-LHPAL0 EPSON EG-2102CA 200.0000M-LHPAL0 -
RFQ
ECAD 4535 0,00000000 Эpsoan EG-2102CA Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA ТАК (ВИДЕЛ) 200 мг LVDS 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТА 45 май Кришалл ± 100 млр - 30 май
SG-8018CG 18.4320M-TJHSA0 EPSON SG-8018CG 18.4320M-TJHSA0 0,5606
RFQ
ECAD 2690 0,00000000 Эpsoan SG-8018CG Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,028 "(0,70 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 18.432 МОГ CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТА 8.1MA Кришалл ± 50 млр - 3,5 мая
SG-8018CG 22.6800M-TJHSA0 EPSON SG-8018CG 22.6800M-TJHSA0 0,5606
RFQ
ECAD 7954 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 22,68 мг CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CG22.6800M-TJHSA0 Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 8.1MA Кришалл ± 50 млр - - 1,1 мка
SG-8018CE 44.2370M-TJHPA0 EPSON SG-8018CE 44.2370M-TJHPA0 0,5909
RFQ
ECAD 5990 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 44 237 мг CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CE44.2370M-TJHPA0 Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТА 8.1MA Кришалл ± 50 млр - - 3,5 мая
SG-8101CA 19.430842M-TCHPA0 EPSON SG-8101CA 19.430842M-TCHPA0 1.6842
RFQ
ECAD 8032 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 19.430842 МОГ CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CA19.430842M-TCHPA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТА 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 3,5 мая
SG-8101CB 9.2100M-TCHPA0 EPSON SG-8101CB 9.2100M-TCHPA0 1.8746
RFQ
ECAD 7569 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 9,21 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CB9.2100M-TCHPA0TR Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТА 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 3,5 мая
SG-9101CE-C20PHBBC EPSON SG-9101CE-C20PHBBC 7.7100
RFQ
ECAD 6466 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТА Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 2,00%, 3,7 млн 670 кг ~ 20 мгн -
SG-8101CE 7.3723M-TBGSA0 EPSON SG-8101CE 7,3723M-TBGSA0 0,7449
RFQ
ECAD 6416 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 7 3723 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CE7.3723M-TBGSA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 1,1 мка
SG-8101CA 130.8330M-TBGSA0 EPSON SG-8101CA 130.8330M-TBGSA0 1.6842
RFQ
ECAD 3396 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 130 833 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CA130.8330M-TBGSA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 1,1 мка
SG-8018CA 137.4720M-TJHPA0 EPSON SG-8018CA 137.4720M-TJHPA0 0,7121
RFQ
ECAD 5832 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 137.472 Mmgц CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CA137.4720M-TJHPA0 Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТА 8.1MA Кришалл ± 50 млр - - 3,5 мая
SG-8101CB 18.5600M-TBGSA0 EPSON SG-8101CB 18.5600M-TBGSA0 1.8746
RFQ
ECAD 3684 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 18,56 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CB18.5600M-TBGSA0TR Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 1,1 мка
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе