Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | СОС (эKUVALENTNOESERYIRIKOPROOTROTERENEEE) | Rraboч -yemperatura | Руэйнги | Raзmer / yзmerenee | Веса - Синяя (МАКСИМУМ) | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | ТИП | Baзowый nomer prodikta | ЧastoTA | Опрегиону | Wshod | Napraheneee - posta | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Доусейн Статуса | Дрогин ИНЕНА | Eccn | Htsus | Станодар | Файнкхия | Nagruзka emcostath | ТОК - Постка (МАКС) | Baзowый rerзonator | ЧSTOTNARYAVENSPARINOSTHSTH | Абсолнгендэапан Тэйги (аплель) | RaSproStraneneeperpupusknoй pososobnosti opektra | Ток - Посткака (отклшит) (макс) | Я. |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SG-8101CB 39.6500M-TCHPA0 | 1.8746 | ![]() | 6377 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 39,65 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CB39.6500M-TCHPA0TR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 3,5 мая | |||||
![]() | SG-8101CB 37.0500M-TBGSA0 | 1.8746 | ![]() | 8061 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 37,05 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CB37.0500M-TBGSA0TR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 1,1 мка | |||||
![]() | SG-8018CA 50.0033M-TJHPA0 | 0,7121 | ![]() | 2929 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8018 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 50.0033 МОГ | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8018CA50.0033M-TJHPA0 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 8.1MA | Кришалл | ± 50 млр | - | - | 3,5 мая | ||||||
![]() | SG-8018CB 3.6864M-TJHPA0 | 0,6363 | ![]() | 6573 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8018 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 36864 мг | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8018CB3.6864M-TJHPA0 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 3,5 мая | Кришалл | ± 50 млр | - | - | 3,5 мая | ||||||
![]() | SG-8018CB 14.463660M-TJHPA0 | 0,6363 | ![]() | 5091 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8018 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 14.46366 Mmgц | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8018CB14.463660M-TJHPA0 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 3,5 мая | Кришалл | ± 50 млр | - | - | 3,5 мая | ||||||
![]() | CA-301 50.0767MK: PBBESPLATNONONO | - | ![]() | 2366 | 0,00000000 | Эpsoan | CA-301 | МАССА | Управо | 80 ОМ | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,122 "Диа x 0,350" l (3,10 мм х 8,90 мк) | 0,350 "(8,90 мм) | Чereз dыru | Ghylindriчeskaya ybanka, raadialnaping | MHZ Crystal | 50.0767 МОГ | 3 -й owertOn | СКАХАТА | Rohs3 | Neprigodnnый | Ear99 | 8541.60.0060 | 500 | 10pf | ± 30 млр | ± 30 млр | ||||||||||||
![]() | TG5032CFN 10.0000M-CBGNNA0 | 7.5750 | ![]() | 9744 | 0,00000000 | Эpsoan | TG5032CFN | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,065 "(1,65 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | TCXO | TG5032CFN | 10 мг | CMOS | 3,3 В. | СКАХАТА | 114-TG5032CFN10.0000M-CBGNNA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | - | 5 май | Кришалл | ± 280ppb | - | - | - | ||||||||
![]() | SG-8101CE 19.6680M-TCHSA0 | 0,7449 | ![]() | 5693 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 19.668 Mmgц | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CE19.6680M-TCHSA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 1,1 мка | |||||
![]() | SG-8101CA 33.848545M-TCHSA0 | 1.6842 | ![]() | 4977 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 33,848545 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CA33.848545M-TCHSA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 1,1 мка | |||||
![]() | SG-8101CE 38.000530M-TBGPA0 | 0,7449 | ![]() | 5163 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 38.00053 Mmgц | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CE38.000530M-TBGPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 3,5 мая | |||||
![]() | SG-8101CE 100.0030M-TBGPA0 | 0,7449 | ![]() | 7324 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,047 "(1,20 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 100003 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CE100.0030M-TBGPA0TR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 3,5 мая | |||||
![]() | TG-5511CA-98N 10.0000M0 | 8.3325 | ![]() | 9117 | 0,00000000 | Эpsoan | TG-5511CA | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,067 "(1,70 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | TCXO | TG-5511CA | 10 мг | CMOS | 3,3 В. | СКАХАТА | 114-TG-5511CA-98N10.0000M0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | - | 7ma | Кришалл | ± 28 м.ppm | - | - | - | ||||||||
![]() | SG7050VEN 156.2500M-CDGAB | 16.3883 | ![]() | 2296 | 0,00000000 | Эpsoan | SG7050VEN | МАССА | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,067 "(1,70 мм) | Пефер | 6-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG7050VEN | 156,25 мг | LVDS | 3,3 В. | СКАХАТА | 114-SG7050VEN156.2500M-CDGAB | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 25 май | Кришалл | ± 25plm | - | - | 15 май | ||||||||
![]() | SG-8101CG 79.2000M-TCHSA0 | 2.0796 | ![]() | 7205 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 79,2 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CG79.2000M-TCHSA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 1,1 мка | |||||
![]() | SG-8101CG 88.4736M-TBGSA0 | 2.0796 | ![]() | 1137 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 88.4736 Mmgц | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CG88.4736M-TBGSA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 1,1 мка | |||||
![]() | SG-8101CA 50.1200M-TBGSA0 | 1.6842 | ![]() | 9694 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 50,12 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CA50.1200M-TBGSA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 1,1 мка | |||||
![]() | SG-8018CB 39,6000M-TJHPA0 | 0,6363 | ![]() | 4684 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8018 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 39,6 мг | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8018CB39.6000M-TJHPA0 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 8.1MA | Кришалл | ± 50 млр | - | - | 3,5 мая | ||||||
![]() | SG-8101CE 25.1450M-TBGPA0 | 0,7449 | ![]() | 8323 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 25.145 Mmgц | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CE25.1450M-TBGPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 3,5 мая | |||||
![]() | SG-8101CA 13.401550M-TBGPA0 | 1.6842 | ![]() | 2516 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 13.40155 Mmgц | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CA13.401550M-TBGPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 3,5 мая | |||||
![]() | SG-8101CE 85.909089M-TBGSA0 | 0,7449 | ![]() | 3476 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 85,909089 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CE85.909089M-TBGSA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 1,1 мка | |||||
![]() | SG5032CAN 6.144000M-TJGA3 | 1.1700 | ![]() | 28 | 0,00000000 | Эpsoan | SG5032 | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 6 144 мг | CMOS | 1,6 n 3,6 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 3MA | Кришалл | ± 50 млр | - | 2,7 мка | ||||||||
![]() | SG-8018CA 128.2560M-TJHPA0 | 0,7121 | ![]() | 4213 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8018 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 128.256 Mmgц | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8018CA128.2560M-TJHPA0CT | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 8.1MA | Кришалл | ± 50 млр | - | - | 3,5 мая | ||||||
![]() | SG-8002CA 12.2880M-PCCL0 | 2.1210 | ![]() | 3353 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8002 | Lenta и катахка (tr) | В аспекте | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,059 "(1,50 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 12.288 MMGц | CMOS | 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 28 май | Кришалл | ± 100 млр | - | 16ma | |||||||||
![]() | SG-8101CB 12 9600M-TCHPA0 | 1.8746 | ![]() | 6601 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 12,96 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CB12.9600M-TCHPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 3,5 мая | |||||
![]() | SG-8101CA 83.3280M-TBGPA0 | 1.6842 | ![]() | 6344 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 83,328 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CA83.3280M-TBGPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 3,5 мая | |||||
![]() | SG-8101CE 150.2100M-TBGPA0 | 0,7449 | ![]() | 7842 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 150,21 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CE150.2100M-TBGPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 3,5 мая | |||||
![]() | SG-8018CB 12.6600M-TJHPA0 | 0,6363 | ![]() | 1939 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8018 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 12,66 мг | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8018CB12.6600M-TJHPA0 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 3,5 мая | Кришалл | ± 50 млр | - | - | 3,5 мая | ||||||
![]() | SG-8018CA 32.5140M-TJHSA0 | 0,7121 | ![]() | 2355 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8018 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 32 514 мг | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8018CA32.5140M-TJHSA0 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 8.1MA | Кришалл | ± 50 млр | - | - | 1,1 мка | ||||||
![]() | SG-9101CE 28.6363M-C20PHAAA5 | - | ![]() | 9690 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-9101 | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,047 "(1,20 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 28.6363 МОГ | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 3000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 8,3 Ма | Кришалл | - | - | ± 2,00%, | 3,7 Ма | |||||||
![]() | SG-8018CA 1.1800M-TJHPA0 | 0,7121 | ![]() | 6031 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8018 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 1,18 мг | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8018CA1.1800M-TJHPA0 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 3,5 мая | Кришалл | ± 50 млр | - | - | 3,5 мая |
Средний объем RFQ
Стандартный продукт
Мировые производители
На складе