Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Rraboч -yemperatura | Руэйнги | Raзmer / yзmerenee | Веса - Синяя (МАКСИМУМ) | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | ТИП | Baзowый nomer prodikta | ЧastoTA | Wshod | Napraheneee - posta | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Доусейн Статуса | Дрогин ИНЕНА | Eccn | Htsus | Станодар | Файнкхия | ТОК - Постка (МАКС) | Baзowый rerзonator | ЧSTOTNARYAVENSPARINOSTHSTH | Абсолнгендэапан Тэйги (аплель) | RaSproStraneneeperpupusknoй pososobnosti opektra | Ток - Посткака (отклшит) (макс) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SG-8101CE 66,3552M-TCHPA0 | 0,7449 | ![]() | 3273 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 66 3552 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CE66.3552M-TCHPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 3,5 мая | |
![]() | SG-8101CE 71.2500M-TBGSA0 | 0,7449 | ![]() | 1826 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 71,25 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CE71.2500M-TBGSA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 1,1 мка | |
![]() | SG-8101CB 28.1920M-TCHPA0 | 1.8746 | ![]() | 4059 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 28.192 МОГ | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CB28.1920M-TCHPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 3,5 мая | |
![]() | SG-8101CA 5.0992M-TCHPA0 | 1.6842 | ![]() | 8269 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 50992 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CA5.0992M-TCHPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 3,5 мая | |
![]() | SG-8101CA 28 7560M-TBGPA0 | 1.6842 | ![]() | 5352 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 28 756 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CA28.7560M-TBGPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 3,5 мая | |
![]() | SG-8101CB 2,1000M-TBGPA0 | 1.8746 | ![]() | 2449 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 2,1 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CB2.1000M-TBGPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 3,5 мая | |
![]() | SG-8101CE 12.1230M-TCHPA0 | 0,7449 | ![]() | 8400 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 12.123 МОГ | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CE12.1230M-TCHPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 3,5 мая | |
![]() | SG-8101CA 20.0025M-TBGPA0 | 1.6842 | ![]() | 3922 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 20.0025 MMGц | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CA20.0025M-TBGPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 3,5 мая | |
![]() | SG-8101CE 40.008330M-TBGPA0 | 0,7449 | ![]() | 6380 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 40.00833 МОГ | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CE40.008330M-TBGPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 3,5 мая | |
![]() | SG-8101CE 36 6670M-TBGSA0 | 0,7449 | ![]() | 8132 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 36.667 Mmgц | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CE36.6670M-TBGSA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 1,1 мка | |
![]() | SG-8101CG 150,8000M-TBGSA0 | 2.0796 | ![]() | 8187 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 150,8 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CG150.8000M-TBGSA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 1,1 мка | |
![]() | SG-8101CA 29.1475M-TCHPA0 | 1.6842 | ![]() | 2550 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 29.1475 MMGц | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CA29.1475M-TCHPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 3,5 мая | |
![]() | SG-8101CE 50.2367M-TCHPA0 | 0,7449 | ![]() | 4009 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 50.2367 Mmgц | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CE50.2367M-TCHPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 3,5 мая | |
![]() | SG-8101CB 144.9750M-Tchpa0 | 1.8746 | ![]() | 2045 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 144,975 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CB144.9750M-TCHPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 3,5 мая | |
![]() | SG-8101CG 3.7300M-TBGPA0 | 2.0796 | ![]() | 4562 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 3,73 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CG3.7300M-TBGPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 3,5 мая | |
![]() | SG-8101CE 119.0000M-TCHSA0 | 0,7449 | ![]() | 1136 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 119 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CE119.0000M-TCHSA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 1,1 мка | |
![]() | SG-8101CE 150.060024M-TCHPA0 | 0,7449 | ![]() | 4353 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 150.060024 МОГ | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CE150.060024M-TCHPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 3,5 мая | |
![]() | SG-8101CE 6.2500M-TCHSA0 | 0,7449 | ![]() | 4582 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 6,25 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CE6.2500M-TCHSA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 1,1 мка | |
![]() | SG-8101CG 7,3828M-TBGSA0 | 2.0796 | ![]() | 3385 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 7 3828 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CG7.3828M-TBGSA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 1,1 мка | |
![]() | SG-8101CG 50.1500M-TBGSA0 | 2.0796 | ![]() | 2481 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 50,15 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CG50.1500M-TBGSA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 1,1 мка | |
![]() | SG-8101CE 22.6250M-TCHSA0 | 0,7449 | ![]() | 1603 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 22 625 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CE22.6250M-TCHSA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 1,1 мка | |
![]() | SG-8101CE 5.6450M-TBGPA0 | 0,7449 | ![]() | 9325 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 5645 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CE5.6450M-TBGPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 3,5 мая | |
![]() | SG-8101CE 50.3267M-TCHSA0 | 0,7449 | ![]() | 4853 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 50 3267 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CE50.3267M-TCHSA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 1,1 мка | |
![]() | SG3225CAN 16.0000M-TJHAB | 2.0503 | ![]() | 1887 | 0,00000000 | Эpsoan | SG3225Can | МАССА | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,047 "(1,20 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG3225Can | 16 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG3225CAN16.0000M-TJHAB | Ear99 | 8541.60.0080 | 1 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 1,8 мая | Кришалл | ± 50 млр | - | - | 2,7 мка | |
![]() | SG-8101CG 144.3500M-TBGSA0 | 2.0796 | ![]() | 5689 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 144,35 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CG144.3500M-TBGSA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 1,1 мка | |
![]() | SG-8101CG 2.0800M-Tchpa0 | 2.0796 | ![]() | 3261 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 2,08 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CG2.0800M-TCHPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 3,5 мая | |
![]() | SG-8101CG 9.5450M-TBGPA0 | 2.0796 | ![]() | 2748 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 9.545 Mmgц | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CG9.5450M-TBGPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 3,5 мая | |
![]() | SG-8101CG 17.611776M-TBGSA0 | 2.0796 | ![]() | 5777 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 17.611776 Mmgц | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CG17.611776M-TBGSA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 1,1 мка | |
![]() | SG-8101CE 68.1818M-TBGPA0 | 0,7449 | ![]() | 9683 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 68.1818 Mmgц | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CE68.1818M-TBGPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 3,5 мая | |
![]() | SG-8101CE 25.1250M-TCHPA0 | 0,7449 | ![]() | 5933 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 25,125 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CE25.1250M TCHPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 3,5 мая |
Среднесуточный объем RFQ
Стандартный продукт
Мировые производители
На складе