SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта СОС (эKUVALENTNOESERIKIOPROOTROTERENEEE) Rraboч -yemperatura Руэйнги Raзmer / yзmerenee В.С.С. - Синяя (МАКСИМУМА) МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Опрегиону Wshod Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Файнкхия Programmirueemый typ Nagruзka emcostath ТОК - Постка (МАКС) Baзowый rerзonator ЧSTOTNARYAVENSPARINOSTHSTH Абсолнгендэапан Тэйги (аплель) RaSproStraneneeperpupusknoй pososobnosti opektra Ток - Посткака (отклшит) (макс) Я. ДОСТУПНА ЧStoTnavanyavanyavangynyavanyshstath (obщ -я
SG-8101CB 22.2222M-TBGPA0 EPSON SG-8101CB 22.222222M-TBGPA0 1.8746
RFQ
ECAD 4800 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 22.2222 МОГ CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CB22.222222M-TBGPA0TR Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 3,5 мая
SG-8101CB 139.7760M-TBGPA0 EPSON SG-8101CB 139.7760M-TBGPA0 1.8746
RFQ
ECAD 2234 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 139 776 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CB139.7760M-TBGPA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 3,5 мая
SG-8018CB 49.4367M-TJHSA0 EPSON SG-8018CB 49.4367M-TJHSA0 0,6363
RFQ
ECAD 5850 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 49 4367 мг CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CB49.4367M-TJHSA0 Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 8,1 мА Кришалл ± 50 млр - - 1,1 мка
SG-8101CA 14.7456M-TBGSA0 EPSON SG-8101CA 14.7456M-TBGSA0 1.6842
RFQ
ECAD 5456 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 14.7456 MMGц CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CA14.7456M-TBGSA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 1,1 мка
SG-8018CE 53.3000M-TJHPA0 EPSON SG-8018CE 53,3000M-TJHPA0 0,5909
RFQ
ECAD 5559 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 53,3 мг CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CE53,3000M-TJHPA0 Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 8,1 мА Кришалл ± 50 млр - - 3,5 мая
SG-8101CE 54.2638M-TCHSA0 EPSON SG-8101CE 54.2638M-TCHSA0 0,7449
RFQ
ECAD 9864 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 54 2638 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CE54.2638M-TCHSA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 1,1 мка
SG-8101CB 156.2625M-TBGSA0 EPSON SG-8101CB 156.2625M-TBGSA0 1.8746
RFQ
ECAD 7818 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 156.2625 Mmgц CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CB156.2625M-TBGSA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 1,1 мка
SG-8101CA 51.6660M-TCHPA0 EPSON SG-8101CA 51.6660M-TCHPA0 1.6842
RFQ
ECAD 4778 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 51.666 Mmgц CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CA51.6660M-TCHPA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 3,5 мая
SG-8018CA 13.528750M-TJHPA0 EPSON SG-8018CA 13.528750M-TJHPA0 0,7121
RFQ
ECAD 2764 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 13.52875 Mmgц CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CA13.528750M-TJHPA0 Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 3,5 мая Кришалл ± 50 млр - - 3,5 мая
FA-20H 16.0000MF12Z-AC3 EPSON FA-20H 16.0000MF12Z-AC3 1.2300
RFQ
ECAD 245 0,00000000 Эpsoan FA-20H Lenta и катахка (tr) Актифен 80 ОМ -20 ° C ~ 75 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA MHZ Crystal 16 мг Фуанданталн СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.60.0050 250 9pf ± 12 ± 10PPM
EG-2121CA 125.0000M-PGPNB EPSON EG-2121CA 125.0000M-PGPNB 8.9223
RFQ
ECAD 8800 0,00000000 Эpsoan EG-2121CA Полески Актифен 0 ° C ~ 70 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA ТАК (ВИДЕЛ) 125 мг Lvpecl 2,5 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 80 май Кришалл ± 50 млр - 20 май
SG-8018CG 40.0079M-TJHSA0 EPSON SG-8018CG 40.0079M-TJHSA0 0,5606
RFQ
ECAD 4394 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 40.0079 Mmgц CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CG40.0079M-TJHSA0 Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 8,1 мА Кришалл ± 50 млр - - 1,1 мка
SG-8018CB 16.7384M-TJHSA0 EPSON SG-8018CB 16.7384M-TJHSA0 0,6363
RFQ
ECAD 7071 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 16.7384 Mmgц CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CB16.7384M-TJHSA0 Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 3,5 мая Кришалл ± 50 млр - - 1,1 мка
FA-238V 12.0000MF10V-A3 EPSON FA-238V 12.0000MF10V-A3 -
RFQ
ECAD 7110 0,00000000 Эpsoan FA-238V Lenta и катахка (tr) Управо 100 ОМ -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,028 "(0,70 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA MHZ Crystal 12 мг Фуанданталн СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.60.0050 250 12.5pf ± 10PPM ± 10PPM
SG-8018CA 118.2720M-TJHPA0 EPSON SG-8018CA 118.2720M-TJHPA0 0,7121
RFQ
ECAD 2797 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 118.275 Mmgц CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CA118.2720M-TJHPA0 Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 8,1 мА Кришалл ± 50 млр - - 3,5 мая
SG-8101CA 27.092008M-TCHPA0 EPSON SG-8101CA 27.092008M-TCHPA0 1.6842
RFQ
ECAD 9438 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 27.092008 MMGц CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CA27.092008M-TCHPA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 3,5 мая
SG-8101CE 29.4120M-TCHSA0 EPSON SG-8101CE 29.4120M-TCHSA0 0,7449
RFQ
ECAD 2488 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 29 412 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CE29.4120M-TCHSA0TR Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 1,1 мка
SG-8101CA 59.9000M-TBGPA0 EPSON SG-8101CA 59,9000M-TBGPA0 1.6842
RFQ
ECAD 1548 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 59,9 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CA59.9000M-TBGPA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 3,5 мая
SG-9101CG-D15SGACA EPSON SG-9101CG-D15SGACA 5,1000
RFQ
ECAD 8022 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - -1,50%, vniз 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
SG-8018CB 46.0800M-TJHSA0 EPSON SG-8018CB 46.0800M-TJHSA0 0,6363
RFQ
ECAD 8612 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 46,08 мг CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CB46.0800M-TJHSA0 Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 8,1 мА Кришалл ± 50 млр - - 1,1 мка
SG-8101CE 156.257810M-TBGSA0 EPSON SG-8101CE 156.257810M-TBGSA0 0,7449
RFQ
ECAD 1334 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 156.25781 Mmgц CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CE156.257810M-TBGSA0TR Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 1,1 мка
SG-8018CB 25.0025M-TJHSA0 EPSON SG-8018CB 25.0025M-TJHSA0 0,6363
RFQ
ECAD 3982 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 25.0025 MMGц CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CB25.0025M-TJHSA0 Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 8,1 мА Кришалл ± 50 млр - - 1,1 мка
SG-8101CA 20.9500M-TBGSA0 EPSON SG-8101CA 20.9500M-TBGSA0 1.6842
RFQ
ECAD 7105 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 20,95 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CA20.9500M-TBGSA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 1,1 мка
SG-8018CE 10.7520M-TJHSA0 EPSON SG-8018CE 10.7520M-TJHSA0 0,5909
RFQ
ECAD 2773 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 10 752 мг CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CE10.7520M-TJHSA0 Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 3,5 мая Кришалл ± 50 млр - - 1,1 мка
SG-8101CG 26.9973M-TBGSA0 EPSON SG-8101CG 26 9973M-TBGSA0 2.0796
RFQ
ECAD 4540 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 26.9973 МОГ CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CG26.9973M-TBGSA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 1,1 мка
FA-20H 26.0000MF10Z-AC EPSON FA-20H 26.0000MF10Z-AC 0,9817
RFQ
ECAD 3233 0,00000000 Эpsoan FA-20H МАССА Актифен 60 ОМ -20 ° C ~ 75 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA MHZ Crystal 26 мг Фуанданталн СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.60.0060 1 9pf ± 10PPM ± 10PPM
SG-8101CE 33.3200M-TCHPA0 EPSON SG-8101CE 33.3200M-TCHPA0 0,7449
RFQ
ECAD 5424 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 33,32 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CE33.3200M-TCHPA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 3,5 мая
SG-8101CB 51.1650M-TCHPA0 EPSON SG-8101CB 51.1650M-TCHPA0 1.8746
RFQ
ECAD 2132 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 51.165 Mmgц CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CB51.1650M-TCHPA0TR Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 3,5 мая
SG-8018CG 50.0667M-TJHPA0 EPSON SG-8018CG 50.0667M-TJHPA0 0,5606
RFQ
ECAD 6625 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 50.0667 МОГ CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CG50.0667M-TJHPA0CT Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 8,1 мА Кришалл ± 50 млр - - 3,5 мая
SG-8018CB 2.0970M-TJHSA0 EPSON SG-8018CB 2.0970M-TJHSA0 0,6363
RFQ
ECAD 4857 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 2,097 мг CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CB2.0970M-TJHSA0 Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 3,5 мая Кришалл ± 50 млр - - 1,1 мка
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе