Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В приземлении | Упако | Степень Продукта | СОС (эKUVALENTNOESERYIRIKOPROOTROTERENEEE) | Rraboч -yemperatura | Руэйнги | Raзmer / yзmereneere | Веса - Синяя (МАКСИМУМ) | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | ТИП | Nabahuvый nomer prodikta | ЧastoTA | Опрегионн | Wshod | Napraheneee - posta | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Доусейн Статуса | Дрогин ИНЕНА | Eccn | Htsus | Станодар | Файнкхия | Nagruзka emcostath | ТОК - Постка (МАКС) | Baзowый rerзonator | ЧSTOTNARYAVENSPARINOSTHSTH | Абсолнгендэапан Тэйги (аплель) | RaSproStraneneeperpupusknoй pososobnosti opektra | Ток - Посткака (отклшит) (макс) | Я. |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SG-8101CB 6.489550M-TCHSA0 | 1.8746 | ![]() | 8923 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 6 48955 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CB6.489550M-TCHSA0TR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 1,1 мка | |||||
![]() | TG2016SBN 30.0000M-TCGNBM0 | - | ![]() | 8020 | 0,00000000 | Эpsoan | TG2016SBN | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,079 "L x 0,063" W (2,00 мм х 1,60 мм) | 0,031 "(0,80 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | VCTCXO | 30 мг | СИНУСАНА ВОЛНА | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 2а (4 nedeli) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | - | 1,5 мая | Кришалл | ± 500ppb | - | - | |||||||||
![]() | TG2016SBN 32.0000M-MCGNEM0 | - | ![]() | 5324 | 0,00000000 | Эpsoan | TG2016SBN | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,079 "L x 0,063" W (2,00 мм х 1,60 мм) | 0,031 "(0,80 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | VCTCXO | 32 мг | СИНУСАНА ВОЛНА | 2,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 2а (4 nedeli) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | - | 1,5 мая | Кришалл | ± 500ppb | - | - | |||||||||
![]() | SG-8101CB 6,4000M-TCHPA0 | 1.8746 | ![]() | 8365 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 6,4 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CB6.4000M-TCHPA0TR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 3,5 мая | |||||
![]() | SG-8101CA 27.683055M-TCHSA0 | 1.6842 | ![]() | 9840 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 27.683055 МОГ | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CA27.683055M-TCHSA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 1,1 мка | |||||
![]() | SG-8101CA 145,2000M-TBGSA0 | 1.6842 | ![]() | 3029 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 145,2 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CA145.2000M-TBGSA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 1,1 мка | |||||
![]() | SG-8101CG 16.182539M-TBGPA0 | 2.0796 | ![]() | 4005 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 16.182539 Mmgц | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CG16.182539M-TBGPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 3,5 мая | |||||
![]() | SG-8101CA 4.1940M-TBGPA0 | 1.6842 | ![]() | 5439 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 4194 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CA4.1940M-TBGPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 3,5 мая | |||||
![]() | SG-8101CG 125,5000M-TCHSA0 | 2.0796 | ![]() | 2147 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 125,5 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CG125.5000M-TCHSA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 1,1 мка | |||||
![]() | SG-8018CE 25.998450M-TJHSA0 | 0,5909 | ![]() | 9791 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8018 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,047 "(1,20 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 25.99845 МОГ | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8018CE25.998450M-TJHSA0 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 8.1MA | Кришалл | ± 50 млр | - | - | 1,1 мка | ||||||
![]() | SG-636PCE 5.0000MC3: ROHS | - | ![]() | 8905 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-636 | Lenta и катахка (tr) | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,413 "L x 0,197" W (10,50 мм x 5,00 мм) | 0,106 "(2,70 мм) | Пефер | 4-soj, 5,08 мм | Xo (Стандарт) | 5 мг | CMOS | 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 9ma | Кришалл | - | - | 5 май | |||||||||
![]() | SG-636PCW 48 0000MC0: ROHS | - | ![]() | 7218 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-636 | Lenta и катахка (tr) | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,413 "L x 0,197" W (10,50 мм x 5,00 мм) | 0,106 "(2,70 мм) | Пефер | 4-soj, 5,08 мм | Xo (Стандарт) | 48 мг | CMOS | 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 28 май | Кришалл | - | - | 16ma | |||||||||
![]() | SG-8101CB 66.1550M-TBGPA0 | 1.8746 | ![]() | 3090 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 66.155 Mmgц | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CB66.1550M-TBGPA0TR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 3,5 мая | |||||
![]() | SG-8101CA 18.2700M-TCHPA0 | 1.6842 | ![]() | 8343 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 18,27 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CA18.2700M-TCHPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 3,5 мая | |||||
![]() | SG-710ECK 25.0000 ММ0 | - | ![]() | 6787 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-710 | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,287 "L x 0,189" W (7,30 мм x 4,80 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 25 мг | CMOS | 3,3 В. | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 8 май | Кришалл | ± 100 млр | - | - | ||||||||||
![]() | SG-8101CG 40.0786M-TBGPA0 | 2.0796 | ![]() | 4261 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 40.0786 MMGц | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CG40.0786M-TBGPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 3,5 мая | |||||
![]() | SG-8101CB 1.0250M-Tchpa0 | 1.8746 | ![]() | 2894 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 1025 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CB1.0250M-TCHPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 3,5 мая | |||||
![]() | SG-636PCE 31.2500MC3: ROHS | - | ![]() | 7155 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-636 | Lenta и катахка (tr) | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,413 "L x 0,197" W (10,50 мм x 5,00 мм) | 0,106 "(2,70 мм) | Пефер | 4-soj, 5,08 мм | Xo (Стандарт) | 31,25 мг | CMOS | 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 9ma | Кришалл | - | - | 5 май | |||||||||
![]() | SG7050CAN 40.00000000 мм-TJGA3 | 2.7800 | ![]() | 98 | 0,00000000 | Эpsoan | SG7050Can | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,059 "(1,50 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 40 мг | CMOS | 1,6 n 3,6 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 3MA | Кришалл | ± 50 млр | - | 2,7 мка | ||||||||
![]() | SG-8018CB 12.345678M-TJHPA0 | 0,6363 | ![]() | 1748 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8018 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 12.345678 Mmgц | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8018CB12.345678M-TJHPA0 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 3,5 мая | Кришалл | ± 50 млр | - | - | 3,5 мая | ||||||
![]() | SG-8101CB 24.0000M-TBGPA0 | 1.8746 | ![]() | 5697 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 24 млн | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CB24.0000M-TBGPA0TR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 3,5 мая | |||||
![]() | SG-8018CE 41.6250M-TJHSA0 | 0,5909 | ![]() | 8663 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8018 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,047 "(1,20 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 41.625 Mmgц | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8018CE41.6250M-TJHSA0 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 8.1MA | Кришалл | ± 50 млр | - | - | 1,1 мка | ||||||
![]() | TG-5035CJ-13N 19.2000M5 | - | ![]() | 3039 | 0,00000000 | Эpsoan | TG-5035CJ | Lenta и катахка (tr) | Управо | -30 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,079 "L x 0,079" W (2,00 мм х 2,00 мм) | 0,031 "(0,80 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | TCXO | 19,2 мг | - | 1,7 В ~ 3,6 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 2а (4 nedeli) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 1,5 мая | Кришалл | ± 2PPM | - | 10 мк | |||||||||
![]() | SG-8018CB 62.497656M-TJHPA0 | 0,6363 | ![]() | 1679 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8018 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 62,497656 мг | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8018CB62.497656M-TJHPA0CT | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 8.1MA | Кришалл | ± 50 млр | - | - | 3,5 мая | ||||||
![]() | SG-710ECK 16.3840MC | - | ![]() | 8905 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-710 | МАССА | Управо | -10 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,287 "L x 0,189" W (7,30 мм x 4,80 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 16.384 Mmgц | CMOS | 3,3 В. | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 8 май | Кришалл | ± 100 млр | - | - | ||||||||||
![]() | SG2016CAN 33.3300M-TJGA3 | 1.9796 | ![]() | 5504 | 0,00000000 | Эpsoan | SG2016Can | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,079 "L x 0,063" W (2,00 мм х 1,60 мм) | 0,031 "(0,80 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 33,33 мг | CMOS | 1,6 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG2016CAN33.3300M-TJGA3 | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 2,2 мая | Кришалл | ± 50 млр | - | - | 2,7 мка | ||||||
![]() | TSX-3225 24 0000MF15Y-AC6 | 0,2262 | ![]() | 7973 | 0,00000000 | Эpsoan | TSX-3225 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | 40 ОМ | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,024 "(0,60 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | MHZ Crystal | TSX-3225 | 24 млн | Фуанданталн | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 114-TSX-3225244.0000MF15Y-AC6TR | Ear99 | 8541.60.0060 | 2000 | 15pf | ± 10PPM | ± 10PPM | |||||||||||
![]() | MA-506 22.1184M-C0: ROHS | - | ![]() | 8601 | 0,00000000 | Эpsoan | MA-506 | Lenta и катахка (tr) | Управо | 40 ОМ | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,500 "L x 0,200" W (12,70 мм x 5,08 мм) | 0,181 "(4,60 мм) | Пефер | 4-soj, 3,30 мм | MHZ Crystal | 22.1184 Mmgц | Фуанданталн | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.60.0060 | 1000 | 18pf | ± 30 млр | ± 50 млр | ||||||||||||
![]() | SG-210STF 12.0000MS5 | 0,7176 | ![]() | 7192 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-210STF | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-210STF | 12 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-210STF12.0000S5TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 3000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 1,8 мая | Кришалл | ± 25plm | - | - | 2,7 мка | |||||
![]() | SG-210STF 28.63636ML0 | - | ![]() | 7906 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-210STF | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 28.63636 МОГ | CMOS | 1,6 n 3,6 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 2,2 мая | Кришалл | ± 50 млр | - | 2,7 мка |
Среднесуточный объем RFQ
Стандартный продукт
Мировые производители
На складе