Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Rraboч -yemperatura | Руэйнги | Raзmer / yзmerenee | Веса - Синяя (МАКСИМУМ) | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | ТИП | Baзowый nomer prodikta | ЧastoTA | Wshod | Napraheneee - posta | Техниль | Статус Ройс | Верный | Доусейн Статуса | Дрогин ИНЕНА | Eccn | Htsus | Станодадж | Файнкхия | ТОК - Постка (МАКС) | Baзowый rerзonator | ЧSTOTNARYAVENSPARINOSTHSTH | Абсолнгендэапан Тэйги (аплель) | RaSproStraneneeperpupusknoй pososobnosti opektra | Ток - Посткака (отклшит) (макс) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SG-8101CB 32.8750M-TCHSA0 | 1.8746 | ![]() | 7910 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 32 875 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CB32.8750M-TCHSA0TR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 1,1 мка | |
![]() | SG-8101CG 5,6000M-TBGPA0 | 2.0796 | ![]() | 3859 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 5,6 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CG5.6000M-TBGPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 3,5 мая | |
![]() | SG-8101CG 167,5000M-TCHPA0 | 2.0796 | ![]() | 8700 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 167,5 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CG167.5000M-Tchpa0tr | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 3,5 мая | |
![]() | SG-8018CG 22.5972M-TJHSA0 | 0,5606 | ![]() | 7524 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8018 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,031 "(0,80 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 22.5972 МОГ | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8018CG22.5972M-TJHSA0 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 8.1MA | Кришалл | ± 50 млр | - | - | 1,1 мка | ||
![]() | SG-8018CB 7,3728M-TJHPA0 | 0,6363 | ![]() | 2900 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8018 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 7 3728 мг | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8018CB7.3728M-TJHPA0 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 3,5 мая | Кришалл | ± 50 млр | - | - | 3,5 мая | ||
![]() | SG-8002CA 10.0000M-PTCB | 5.3449 | ![]() | 6928 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8002 | МАССА | В аспекте | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,059 "(1,50 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 10 мг | CMOS | 5в | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 45 май | Кришалл | ± 100 млр | - | 30 май | |||||
![]() | SG-8018CA 11.3920M-TJHPA0 | 0,7121 | ![]() | 5936 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8018 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 11.392 Mmgц | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8018CA11.3920M-TJHPA0 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 3,5 мая | Кришалл | ± 50 млр | - | - | 3,5 мая | ||
![]() | SG-8101CB 13.262250M-TCHSA0 | 1.8746 | ![]() | 8090 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 13.26225 МОГ | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CB13.262250M-TCHSA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 1,1 мка | |
![]() | SG-8018CG 10.1400M-TJHSA0 | 0,5606 | ![]() | 8097 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8018 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,031 "(0,80 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 10,14 мг | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8018CG10.1400M-TJHSA0 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 3,5 мая | Кришалл | ± 50 млр | - | - | 1,1 мка | ||
![]() | SG-615P 1.5440MC0: ROHS | - | ![]() | 2250 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-615 | Lenta и катахка (tr) | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,551 "L x 0,341" W (14,00 мм x 8,65 мм) | 0,185 "(4,70 мм) | Пефер | 4-soj, 5,08 мм | Xo (Стандарт) | 1544 мг | CMOS, Ttl | 5в | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 23ma | Кришалл | ± 100 млр | - | 12ma | |||||
![]() | SG-8101CB 22.766490M-TBGSA0 | 1.8746 | ![]() | 2167 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 22.76649 Mmgц | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CB22.766490M-TBGSA0TR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 1,1 мка | |
![]() | SG-8101CA 54.0800M-TBGPA0 | 1.6842 | ![]() | 9198 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 54,08 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CA54.0800M-TBGPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 3,5 мая | |
![]() | SG-8101CB 166.6280M-TCHSA0 | 1.8746 | ![]() | 7201 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 166.628 Mmgц | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CB166.6280M-TCHSA0TR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 1,1 мка | |
![]() | SG-531PTJ 29.4910MC: ROHS | - | ![]() | 8796 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-531 | Трубка | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,539 "L x 0,260" W (13,70 мм x 6,60 мм) | 0,209 "(5,30 мм) | Чereз dыru | 8-Dip, 4 provoDa (polowinaramera) | Xo (Стандарт) | 29 491 мг | В | 5в | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 35 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 35 май | Кришалл | ± 100 млр | - | 28 май | |||||
![]() | SG-8101CE 27.134435M-TCHSA0 | 0,7449 | ![]() | 7499 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 27.134435 Mmgц | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CE27.134435M-TCHSA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 1,1 мка | |
![]() | SG-8101CG 50,3967M-TCHPA0 | 2.0796 | ![]() | 1580 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 50.3967 МОГ | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CG50.3967M-TCHPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 3,5 мая | |
![]() | SG-8101CG 50.2933M-TCHPA0 | 2.0796 | ![]() | 4223 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 50.2933 МОГ | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CG50.2933M-TCHPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 3,5 мая | |
![]() | SG-8018CG 13.5531M-TJHSA0 | 0,5606 | ![]() | 1311 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8018 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,031 "(0,80 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 13.5531 МОГ | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8018CG13.5531M-TJHSA0 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 3,5 мая | Кришалл | ± 50 млр | - | - | 1,1 мка | ||
![]() | SG-8101CE 83.1250M-TBGSA0 | 0,7449 | ![]() | 1712 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 83,125 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CE83.1250M-TBGSA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 1,1 мка | |
![]() | SG-8018CB 151.7240M-TJHSA0 | 0,6363 | ![]() | 1332 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8018 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 151 724 мг | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8018CB151.7240M-TJHSA0 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 8.1MA | Кришалл | ± 50 млр | - | - | 1,1 мка | ||
![]() | SG-8101CE 150,5000M-TBGPA0 | 0,7449 | ![]() | 3423 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 150,5 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CE150.5000M-TBGPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 3,5 мая | |
![]() | SG-8101CE 10.1405M-TBGPA0 | 0,7449 | ![]() | 7149 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,047 "(1,20 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 10.1405 МОГ | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CE10.1405M-TBGPA0TR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 3,5 мая | |
![]() | SG-8101CG 26 5625M-TBGSA0 | 2.0796 | ![]() | 8500 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 26.5625 Mmgц | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CG26.5625M-TBGSA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 1,1 мка | |
![]() | SG-8101CB 1.0000M-TBGPA0 | 1.8746 | ![]() | 3295 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 1 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CB1.0000M-TBGPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 3,5 мая | |
![]() | SG-8018CG 24.5792M-TJHPA0 | 0,5606 | ![]() | 8344 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8018 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,031 "(0,80 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 24.5792 Mmgц | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8018CG24.5792M-TJHPA0 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 8.1MA | Кришалл | ± 50 млр | - | - | 3,5 мая | ||
![]() | SG-8018CA 40.6800M-TJHSA0 | 0,7121 | ![]() | 5956 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8018 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 40,68 мг | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8018CA40.6800M-TJHSA0 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 8.1MA | Кришалл | ± 50 млр | - | - | 1,1 мка | ||
![]() | SG-8101CE 148.5002M-TBGPA0 | 0,7449 | ![]() | 8095 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,047 "(1,20 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 148 5002 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CE148.5002M-TBGPA0TR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 3,5 мая | |
![]() | SG-8101CG 7,8125M-TBGPA0 | 2.0796 | ![]() | 6244 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 7 8125 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CG7.8125M-TBGPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 3,5 мая | |
![]() | SG-8101CG 59.0000M-TBGSA0 | 2.0796 | ![]() | 5876 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 59 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CG59.0000M-TBGSA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 1,1 мка | |
![]() | SG-210STF 12.2880ML0 | 0,7900 | ![]() | 987 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-210STF | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 12.288 MMGц | CMOS | 1,6 n 3,6 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 1,8 мая | Кришалл | ± 50 млр | - | 2,7 мка |
Средний объем RFQ
Стандартный продукт
Мировые производители
На складе