Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | СОС (эKUVALENTNOESERYIRIKOPROOTROTERENEEE) | Rraboч -yemperatura | Руэйнги | Raзmer / yзmerenee | Веса - Синяя (МАКСИМУМ) | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | ТИП | Baзowый nomer prodikta | ЧastoTA | Опрегиону | Wshod | Napraheneee - posta | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Доусейн Статуса | Дрогин ИНЕНА | Eccn | Htsus | Станодар | Файнкхия | Nagruзka emcostath | ТОК - Постка (МАКС) | Baзowый rerзonator | ЧSTOTNARYAVENSPARINOSTHSTH | Абсолнгендэапан Тэйги (аплель) | RaSproStraneneeperpupusknoй pososobnosti opektra | Ток - Посткака (отклшит) (макс) | Я. |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SG-8101CB 24 5535M-Tchpa0 | 1.8746 | ![]() | 3545 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 24.5535 Mmgц | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CB24.555535M-TCHPA0TR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 3,5 мая | |||||
![]() | SG-8101CA 24.190660M-TBGPA0 | 1.6842 | ![]() | 2317 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 24.19066 Mmgц | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CA24.190660M-TBGPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 3,5 мая | |||||
![]() | SG-8101CG 10.0413M-TBGPA0 | 2.0796 | ![]() | 3602 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 10.0413 Мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CG10.0413M-TBGPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 3,5 мая | |||||
![]() | SG-8018CG 16.3840M-TJHSA0 | 0,5606 | ![]() | 6013 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8018CG | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,028 "(0,70 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 16.384 Mmgц | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 8.1MA | Кришалл | ± 50 млр | - | 3,5 мая | ||||||||
![]() | SG-8018CE 24.4440M-TJHSA0 | 0,5909 | ![]() | 6885 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8018 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,047 "(1,20 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 24.444 Mmgц | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8018CE24.4440M-TJHSA0 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 8.1MA | Кришалл | ± 50 млр | - | - | 1,1 мка | ||||||
![]() | SG-8018CG 25.2235M-TJHPA0 | 0,5606 | ![]() | 1865 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8018 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,031 "(0,80 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 25.2235 МОГ | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8018CG25.2235M-TJHPA0 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 8.1MA | Кришалл | ± 50 млр | - | - | 3,5 мая | ||||||
![]() | SG-8018CE 133.3680M-TJHSA0 | 0,5909 | ![]() | 8470 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8018 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,047 "(1,20 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 133,368 мг | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8018CE133.3680M-TJHSA0 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 8.1MA | Кришалл | ± 50 млр | - | - | 1,1 мка | ||||||
![]() | SG-8018CB 30.0000M-TJHPA0 | 0,6363 | ![]() | 7768 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8018 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 30 мг | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8018CB30.0000M-TJHPA0 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 8.1MA | Кришалл | ± 50 млр | - | - | 3,5 мая | ||||||
![]() | SG-8101CB 25 7500M-TBGPA0 | 1.8746 | ![]() | 4099 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 25,75 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CB25.7500M-TBGPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 3,5 мая | |||||
![]() | SG-8101CA 51,8000M-TCHSA0 | 1.6842 | ![]() | 3508 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 51,8 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CA51.8000M-TCHSA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 1,1 мка | |||||
![]() | SG-8101CA 166.6600M-TBGPA0 | 1.6842 | ![]() | 3693 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 166,66 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CA166.6600M-TBGPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 3,5 мая | |||||
![]() | SG-615P 1.5440MC: ROHS | - | ![]() | 3617 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-615P | МАССА | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,551 "L x 0,341" W (14,00 мм x 8,65 мм) | 0,185 "(4,70 мм) | Пефер | 4-soj, 5,08 мм | Xo (Стандарт) | 1544 мг | CMOS, Ttl | 5в | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 45 май | Кришалл | ± 100 млр | - | 30 май | |||||||||
![]() | SG-8101CA 28.259375M-TCHPA0 | 1.6842 | ![]() | 1847 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 28.259375 МОГ | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CA28.259375M-TCHPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 3,5 мая | |||||
![]() | SG-8101CB 26 9910M-TCHSA0 | 1.8746 | ![]() | 9485 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 26.991 МОГ | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CB26.9910M-TCHSA0TR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 1,1 мка | |||||
![]() | SG-8101CE 127.2130M-TBGSA0 | 0,7449 | ![]() | 8200 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,047 "(1,20 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 127.213 Mmgц | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CE127.2130M-TBGSA0TR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 1,1 мка | |||||
![]() | SG-8018CG 73.1440M-TJHSA0 | 0,5606 | ![]() | 2858 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8018 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,031 "(0,80 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 73,144 мг | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8018CG73.1440M-TJHSA0 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 8.1MA | Кришалл | ± 50 млр | - | - | 1,1 мка | ||||||
![]() | SG-8101CA 68.2000M-TCHSA0 | 1.6842 | ![]() | 3086 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 68,2 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CA68.2000M-TCHSA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 1,1 мка | |||||
![]() | SG-8018CB 50.4867M-TJHPA0 | 0,6363 | ![]() | 8725 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8018 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 50.4867 МОГ | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8018CB50.4867M-TJHPA0 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 8.1MA | Кришалл | ± 50 млр | - | - | 3,5 мая | ||||||
![]() | MA-506 7.0000MC: ROHS | - | ![]() | 7114 | 0,00000000 | Эpsoan | MA-506 | МАССА | Управо | 80 ОМ | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,500 "L x 0,200" W (12,70 мм x 5,08 мм) | 0,181 "(4,60 мм) | Пефер | 4-soj, 3,30 мм | MHZ Crystal | 7 мг | Фуанданталн | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.60.0050 | 1 | 18pf | ± 30 млр | ± 50 млр | ||||||||||||
![]() | SG-8018CE 9.4560M-TJHSA0 | 0,5909 | ![]() | 1879 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8018 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,047 "(1,20 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 9.456 MMGц | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8018CE9.4560M-TJHSA0 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 3,5 мая | Кришалл | ± 50 млр | - | - | 1,1 мка | ||||||
![]() | SG-8018CA 169.4060M-TJHPA0 | 0,7121 | ![]() | 4690 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8018 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 169 406 мг | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8018CA169.4060M-TJHPA0 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 8.1MA | Кришалл | ± 50 млр | - | - | 3,5 мая | ||||||
![]() | SG-8101CG 50,3400M-TBGPA0 | 2.0796 | ![]() | 2892 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 50,34 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CG50.3400M-TBGPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 3,5 мая | |||||
![]() | SG-8101CA 43.0000M-TBGSA0 | 1.6842 | ![]() | 1174 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 43 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CA43.0000M-TBGSA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 1,1 мка | |||||
![]() | FA-128 30.0000MF10Z-K0 | 0,3070 | ![]() | 2572 | 0,00000000 | Эpsoan | FA-128 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | 60 ОМ | - | - | 0,079 "L x 0,063" W (2,00 мм х 1,60 мм) | 0,020 "(0,50 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | MHZ Crystal | 30 мг | Фуанданталн | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.60.0060 | 1000 | 10pf | ± 10PPM | ± 10PPM | |||||||||||
![]() | SG-8101CG 11.2896M-TBGSA0 | 2.0796 | ![]() | 6749 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 11.2896 МОГ | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CG11.2896M-TBGSA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 1,1 мка | |||||
![]() | SG-8018CG 29.6703M-TJHPA0 | 0,5606 | ![]() | 6086 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8018 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) | 0,031 "(0,80 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | 29 6703 мг | CMOS | 1,62 В ~ 3,63 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8018CG29.6703M-TJHPA0 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 8.1MA | Кришалл | ± 50 млр | - | - | 3,5 мая | ||||||
![]() | SG-8101CG 40.0789M-TBGSA0 | 2.0796 | ![]() | 3710 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 40.0789 Mmgц | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CG40.0789M-TBGSA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 1,1 мка | |||||
![]() | SG-8101CA 156.2730M-TCHPA0 | 1.6842 | ![]() | 6861 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | - | 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) | 0,055 "(1,40 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 156.273 Mmgц | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CA156.2730M-TCHPA0TR | Ear99 | 8541.60.0080 | 1000 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 20 aSteй naйцaх | - | - | 3,5 мая | |||||
![]() | SG-8101CB 24.5670M-TBGSA0 | 1.8746 | ![]() | 7222 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) | 0,051 "(1,30 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 24.567 Mmgц | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CB24.5670M-TBGSA0TR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 1,1 мка | |||||
![]() | SG-8101CE 20.9450M-TBGSA0 | 0,7449 | ![]() | 2879 | 0,00000000 | Эpsoan | SG-8101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,047 "(1,20 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | Xo (Стандарт) | SG-8101 | 20 945 мг | CMOS | 1,8 В ~ 3,3 В. | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 114-SG-8101CE20.9450M-TBGSA0TR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1000 | Rushyme oshydanyna (Power Down) | 6,8 мая (тип) | Кришалл | ± 15 | - | - | 1,1 мка |
Средний объем RFQ
Стандартный продукт
Мировые производители
На складе