SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Руэйнги Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Wshod Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Файнкхия ТОК - Постка (МАКС) Baзowый rerзonator ЧSTOTNARYAVENSPARINOSTHSTH Абсолнгендэапан Тэйги (аплель) RaSproStraneneeperpupusknoй pososobnosti opektra Ток - Посткака (отклшит) (макс)
SG-8101CG 42.0000M-TBGSA0 EPSON SG-8101CG 42.0000M-TBGSA0 2.0796
RFQ
ECAD 2605 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 42 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CG42.0000M-TBGSA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 1,1 мка
SG-8101CE 25.4167M-TCHPA0 EPSON SG-8101CE 25 4167M-Tchpa0 0,7449
RFQ
ECAD 9655 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 25 4167 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CE25.4167M-TCHPA0TR Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 3,5 мая
SG-8101CB 9.5290M-TBGPA0 EPSON SG-8101CB 9.5290M-TBGPA0 1.8746
RFQ
ECAD 2868 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 9 529 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CB9.5290M-TBGPA0TR Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 3,5 мая
SG-8101CG 50.1333M-TCHSA0 EPSON SG-8101CG 50.1333M-TCHSA0 2.0796
RFQ
ECAD 8615 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 50.1333 МОГ CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CG50.1333M-TCHSA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 1,1 мка
SG-8101CE 44.9600M-TCHPA0 EPSON SG-8101CE 44.9600M-TCHPA0 0,7449
RFQ
ECAD 1858 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 44,96 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CE44.9600M-TCHPA0TR Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 3,5 мая
SG-8101CA 156.2600M-TCHPA0 EPSON SG-8101CA 156.2600M-TCHPA0 1.6842
RFQ
ECAD 1289 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 156,26 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CA156.2600M-TCHPA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 3,5 мая
SG-8101CA 167.331645M-TCHSA0 EPSON SG-8101CA 167.331645M-TCHSA0 1.6842
RFQ
ECAD 9782 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 167.331645 Mmgц CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CA167.331645M-TCHSA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 1,1 мка
SG-8018CG 87.6540M-TJHPA0 EPSON SG-8018CG 87.6540M-TJHPA0 0,5606
RFQ
ECAD 2499 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 87 654 мг CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CG87.6540M-TJHPA0 Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 8.1MA Кришалл ± 50 млр - - 3,5 мая
SG-8101CE 29.8520M-TCHSA0 EPSON SG-8101CE 29.8520M-TCHSA0 0,7449
RFQ
ECAD 8019 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 29 852 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CE29.8520M-TCHSA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 1,1 мка
SG-8101CG 7.4700M-TBGPA0 EPSON SG-8101CG 7,4700M-TBGPA0 2.0796
RFQ
ECAD 3386 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 7,47 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CG7.4700M-TBGPA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 3,5 мая
SG-8018CE 37.400560M-TJHPA0 EPSON SG-8018CE 37.400560M-TJHPA0 0,5909
RFQ
ECAD 6903 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 37.40056 MMGц CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CE37.400560M-TJHPA0 Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 8.1MA Кришалл ± 50 млр - - 3,5 мая
SG-8101CG 144.7950M-TBGSA0 EPSON SG-8101CG 144.7950M-TBGSA0 2.0796
RFQ
ECAD 8831 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 144,795 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CG144.7950M-TBGSA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 1,1 мка
SG-8101CB 50.4700M-TBGSA0 EPSON SG-8101CB 50.4700M-TBGSA0 1.8746
RFQ
ECAD 3413 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 50,47 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CB50.4700M-TBGSA0TR Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 1,1 мка
SG-8101CE 11.1550M-TBGSA0 EPSON SG-8101CE 11.1550M-TBGSA0 0,7449
RFQ
ECAD 7392 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 11.155 Mmgц CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CE11.1550M-TBGSA0TR Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 1,1 мка
SG-8018CA 16.3677M-TJHSA0 EPSON SG-8018CA 16.3677M-TJHSA0 0,7121
RFQ
ECAD 5381 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 16.3677 МОГ CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CA16.3677M-TJHSA0 Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 3,5 мая Кришалл ± 50 млр - - 1,1 мка
SG-8101CA 49.8600M-TBGSA0 EPSON SG-8101CA 49.8600M-TBGSA0 1.6842
RFQ
ECAD 6810 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 49,86 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CA49.8600M-TBGSA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 1,1 мка
SG-8101CE 90.1050M-TCHPA0 EPSON SG-8101CE 90.1050M-TCHPA0 0,7449
RFQ
ECAD 7029 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 90,105 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CE90.1050M-TCHPA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 3,5 мая
EG-2102CB 133.0000M-PGPAB EPSON EG-2102CB 133.0000M-PGPAB 10.5202
RFQ
ECAD 4549 0,00000000 Эpsoan EG-2102CB МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,061 "(1,55 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA ТАК (ВИДЕЛ) 133 мг Lvpecl 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 60 май Кришалл ± 50 млр - 2MA
SG-8018CB 124.7500M-TJHSA0 EPSON SG-8018CB 124.7500M-TJHSA0 0,6363
RFQ
ECAD 8340 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 124,75 мг CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CB124.7500M-TJHSA0 Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 8.1MA Кришалл ± 50 млр - - 1,1 мка
SG-8101CB 16.0028M-TCHSA0 EPSON SG-8101CB 16.0028M-TCHSA0 1.8746
RFQ
ECAD 5437 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 16.0028 Mmgц CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CB16.0028M-TCHSA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 1,1 мка
SG-8101CA 7.6800M-TCHPA0 EPSON SG-8101CA 76800M-Tchpa0 1.6842
RFQ
ECAD 3308 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 7,68 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CA7.6800M-TCHPA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 3,5 мая
SG-8018CA 50.4467M-TJHSA0 EPSON SG-8018CA 50.4467M-TJHSA0 0,7121
RFQ
ECAD 9873 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 50.4467 МОГ CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CA50.4467M-TJHSA0 Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 8.1MA Кришалл ± 50 млр - - 1,1 мка
SG-8101CB 14.485360M-TBGPA0 EPSON SG-8101CB 14.485360M-TBGPA0 1.8746
RFQ
ECAD 1111 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 14.48536 Mmgц CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CB14.485360M-TBGPA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 3,5 мая
SG-8018CA 65.1000M-TJHSA0 EPSON SG-8018CA 65.1000M-TJHSA0 0,7121
RFQ
ECAD 8267 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 65,1 мг CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CA65.1000M-TJHSA0 Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 8.1MA Кришалл ± 50 млр - - 1,1 мка
SG-8101CE 55.4666M-TBGPA0 EPSON SG-8101CE 55.4666M-TBGPA0 0,7449
RFQ
ECAD 9350 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 55,4666 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CE55.4666M-TBGPA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 3,5 мая
SG-8018CE 103.759770M-TJHSA0 EPSON SG-8018CE 103.759770M-TJHSA0 0,5909
RFQ
ECAD 9255 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 103,75977 Mmgц CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CE103.759770M-TJHSA0 Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 8.1MA Кришалл ± 50 млр - - 1,1 мка
SG-8101CE 122.167958M-TCHPA0 EPSON SG-8101CE 122.167958M-TCHPA0 0,7449
RFQ
ECAD 6172 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 122.167958 Mmgц CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CE122.167958M-TCHPA0TR Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 3,5 мая
SG-8018CA 69.1020M-TJHPA0 EPSON SG-8018CA 69.1020M-TJHPA0 0,7121
RFQ
ECAD 4719 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 69,102 мг CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CA69.1020M-TJHPA0 Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 8.1MA Кришалл ± 50 млр - - 3,5 мая
SG-8101CG 42.0802M-TCHSA0 EPSON SG-8101CG 42.0802M-TCHSA0 2.0796
RFQ
ECAD 7727 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 42.0802 MMGц CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CG42.0802M-TCHSA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 1,1 мка
SG-8018CG 112.8960M-TJHSA0 EPSON SG-8018CG 112.8960M-TJHSA0 0,5606
RFQ
ECAD 1708 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 112 896 мг CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CG112.8960M-TJHSA0 Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 8.1MA Кришалл ± 50 млр - - 1,1 мка
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе