SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Руэйнги Raзmer / yзmereneere В.С.С. - Синяя (МАКСИМУМА) МООНТАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Wshod Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Файнкхия ТОК - Постка (МАКС) Baзowый rerзonator ЧSTOTNARYAVENSPARINOSTHSTH Абсолнгендэапан Тэйги (аплель) RaSproStraneneeperpupusknoй pososobnosti opektra Ток - Посткака (отклшит) (макс)
SG-8018CB 20.0032M-TJHPA0 EPSON SG-8018CB 20.0032M-TJHPA0 0,6363
RFQ
ECAD 5955 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 20.0032 МОГ CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CB20.0032M-TJHPA0 Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 8.1MA Кришалл ± 50 млр - - 3,5 мая
SG-8101CA 31.3344M-TBGPA0 EPSON SG-8101CA 31.3344M-TBGPA0 1.6842
RFQ
ECAD 1846 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 31.3344 Mmgц CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CA31.3344M-TBGPA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 3,5 мая
SG-8018CE 24.6710M-TJHSA0 EPSON SG-8018CE 24.6710M-TJHSA0 0,5909
RFQ
ECAD 3768 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 24.671 Mmgц CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CE24.6710M-TJHSA0 Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 8.1MA Кришалл ± 50 млр - - 1,1 мка
SG-8101CB 50.0533M-TCHPA0 EPSON SG-8101CB 50.0533M-TCHPA0 1.8746
RFQ
ECAD 5330 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 50.0533 МОГ CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CB50.0533M-TCHPA0TR Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 3,5 мая
SG-8101CB 58.0020M-TBGSA0 EPSON SG-8101CB 58.0020M-TBGSA0 1.8746
RFQ
ECAD 8035 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 58,002 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CB58.0020M-TBGSA0TR Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 1,1 мка
SG-8018CE 12.5000M-TJHPA0 EPSON SG-8018CE 12.5000M-TJHPA0 0,5909
RFQ
ECAD 9998 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 12,5 мг CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CE12.5000M-TJHPA0 Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 3,5 мая Кришалл ± 50 млр - - 3,5 мая
SG-8101CE 93.0000M-TCHSA0 EPSON SG-8101CE 93.0000M-TCHSA0 0,7449
RFQ
ECAD 8344 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 93 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CE93.0000M-TCHSA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 1,1 мка
SG-8101CG 24.000140M-TBGSA0 EPSON SG-8101CG 24.000140M-TBGSA0 2.0796
RFQ
ECAD 3283 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 24.00014 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CG24.000140M-TBGSA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 1,1 мка
SG-8101CE 123.0000M-TCHSA0 EPSON SG-8101CE 123.0000M-TCHSA0 0,7449
RFQ
ECAD 3895 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 123 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CE123.0000M-TCHSA0TR Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 1,1 мка
SG-8018CA 20.1541M-TJHPA0 EPSON SG-8018CA 20.1541M-TJHPA0 0,7121
RFQ
ECAD 8512 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 20.1541 МОГ CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CA20.1541M-TJHPA0CT Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 8.1MA Кришалл ± 50 млр - - 3,5 мая
SG-8018CE 14.8750M-TJHSA0 EPSON SG-8018CE 14.8750M-TJHSA0 0,5909
RFQ
ECAD 7214 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 14.875 Mmgц CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CE14.8750M-TJHSA0 Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 3,5 мая Кришалл ± 50 млр - - 1,1 мка
SG-8101CG 32.507936M-TCHSA0 EPSON SG-8101CG 32.507936M-TCHSA0 2.0796
RFQ
ECAD 2586 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 32.507936 МОГ CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CG32.507936M-TCHSA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 1,1 мка
SG-8101CG 40.6100M-TBGSA0 EPSON SG-8101CG 40 6100M-TBGSA0 2.0796
RFQ
ECAD 7454 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 40,61 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CG40.6100M-TBGSA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 1,1 мка
SG-8101CG 24.4912M-TBGSA0 EPSON SG-8101CG 24.4912M-TBGSA0 2.0796
RFQ
ECAD 5948 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 24.4912 МОГ CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CG24.4912M-TBGSA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 1,1 мка
SG-8101CG 38.7000M-TBGPA0 EPSON SG-8101CG 38,7000M-TBGPA0 2.0796
RFQ
ECAD 2407 0,00000000 Эpsoan SG-8101CG Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 38,7 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CG38.7000M-TBGPA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 3,5 мая
SG-8018CA 153.0000M-TJHSA0 EPSON SG-8018CA 153.0000M-TJHSA0 0,7121
RFQ
ECAD 2831 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 153 мг CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CA153.0000M-TJHSA0 Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 8.1MA Кришалл ± 50 млр - - 1,1 мка
SG-8101CA 25.000938M-TBGPA0 EPSON SG-8101CA 25.000938M-TBGPA0 1.6842
RFQ
ECAD 4448 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 25.000938 Mmgц CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CA25.000938M-TBGPA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 3,5 мая
SG-8101CB 7.3720M-TCHPA0 EPSON SG-8101CB 7,3720M-TCHPA0 1.8746
RFQ
ECAD 8196 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 7,372 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CB7.3720M TCHPA0TR Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 3,5 мая
SG-8101CG 8.0040M-TCHPA0 EPSON SG-8101CG 8.0040M-TCHPA0 2.0796
RFQ
ECAD 3168 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 8,004 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CG8.0040M-TCHPA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 3,5 мая
SG-8018CB 144.0800M-TJHPA0 EPSON SG-8018CB 144.0800M-TJHPA0 0,6363
RFQ
ECAD 7594 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 144,08 мг CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CB144.0800M-TJHPA0 Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 8.1MA Кришалл ± 50 млр - - 3,5 мая
SG-8101CA 99.9900M-TCHPA0 EPSON SG-8101CA 99,9900M-TCHPA0 1.6842
RFQ
ECAD 3205 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 99,99 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CA99.9900M-TCHPA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 3,5 мая
SG-8018CG 8.6000M-TJHPA0 EPSON SG-8018CG 8,6000M-TJHPA0 0,5606
RFQ
ECAD 5056 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 8,6 мг CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CG8.6000M-TJHPA0 Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 3,5 мая Кришалл ± 50 млр - - 3,5 мая
SG-8101CG 15.7750M-TCHSA0 EPSON SG-8101CG 15 7750M-TCHSA0 2.0796
RFQ
ECAD 3572 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 15 775 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CG15.7750M-TCHSA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 3ma (typ) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - -
SG-8018CG 104.1660M-TJHSA0 EPSON SG-8018CG 104.1660M-TJHSA0 0,5606
RFQ
ECAD 6518 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 104,166 мг CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CG104.1660M-TJHSA0 Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 8.1MA Кришалл ± 50 млр - - 1,1 мка
SG-8101CA 33.8680M-TBGSA0 EPSON SG-8101CA 33.8680M-TBGSA0 1.6842
RFQ
ECAD 3106 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 33 868 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CA33.8680M-TBGSA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 1,1 мка
SG-8018CA 4.6460M-TJHSA0 EPSON SG-8018CA 4.6460M-TJHSA0 0,7121
RFQ
ECAD 8022 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 4646 мг CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CA4.6460M-TJHSA0 Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 3,5 мая Кришалл ± 50 млр - - 1,1 мка
SG-8101CB 99.1440M-TCHSA0 EPSON SG-8101CB 99.1440M-TCHSA0 1.8746
RFQ
ECAD 6682 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 99,144 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CB99.1440M-TCHSA0TR Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 1,1 мка
SG-8101CB 125.0987M-TBGPA0 EPSON SG-8101CB 125.0987M-TBGPA0 1.8746
RFQ
ECAD 4040 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 125,0987 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CB125.0987M-TBGPA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 3,5 мая
SG-8018CE 7.159090M-TJHPA0 EPSON SG-8018CE 7.159090M-TJHPA0 0,5909
RFQ
ECAD 4815 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 7.15909 MMGц CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CE7.159090M-TJHPA0 Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 3,5 мая Кришалл ± 50 млр - - 3,5 мая
SG-8101CE 114.0000M-TCHPA0 EPSON SG-8101CE 114.0000M-TCHPA0 0,7449
RFQ
ECAD 4398 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 114 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CE114.0000M-TCHPA0TR Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 3,5 мая
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе