SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Руэйнги Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Wshod Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Файнкхия ТОК - Постка (МАКС) Baзowый rerзonator ЧSTOTNARYAVENSPARINOSTHSTH Абсолнгендэапан Тэйги (аплель) RaSproStraneneeperpupusknoй pososobnosti opektra Ток - Посткака (отклшит) (макс)
SG-8101CE 10.485760M-TBGSA0 EPSON SG-8101CE 10.485760M-TBGSA0 0,7449
RFQ
ECAD 5420 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 10 48576 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CE10.485760M-TBGSA0TR Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 1,1 мка
SG-8101CG 25.2235M-TBGSA0 EPSON SG-8101CG 25.2235M-TBGSA0 2.0796
RFQ
ECAD 2320 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 25.2235 МОГ CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CG25.2235M-TBGSA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 1,1 мка
SG-8101CG 24.5455M-TCHPA0 EPSON SG-8101CG 24,5455M-TCHPA0 2.0796
RFQ
ECAD 1938 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 24.5455 Mmgц CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CG24.5455M-TCHPA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 3,5 мая
SG-8101CG 54.2400M-TCHSA0 EPSON SG-8101CG 54.2400M-TCHSA0 2.0796
RFQ
ECAD 8380 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 54,24 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CG54.2400M-TCHSA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 1,1 мка
TG2016SBN 20.0000M-TCGNNM5 EPSON TG2016SBN 20.0000M-TCGNNM5 -
RFQ
ECAD 2243 0,00000000 Эpsoan TG2016SBN Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,079 "L x 0,063" W (2,00 мм х 1,60 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA TCXO 20 мг СИНУСАНА ВОЛНА 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 2а (4 nedeli) Ear99 8542.39.0001 3000 - 1,4 мая Кришалл ± 500ppb - -
SG-8101CE 76.2000M-TCHSA0 EPSON SG-8101CE 76,2000M-TCHSA0 0,7449
RFQ
ECAD 4696 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 76,2 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CE76.2000M-TCHSA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 1,1 мка
SG-8101CE 38.7850M-TBGSA0 EPSON SG-8101CE 38.7850M-TBGSA0 0,7449
RFQ
ECAD 7778 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 38 785 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CE38.7850M-TBGSA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 1,1 мка
SG-8101CB 32.4000M-TBGPA0 EPSON SG-8101CB 32,4000M-TBGPA0 1.8746
RFQ
ECAD 7663 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 32,4 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CB32,4000M-TBGPA0TR Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 3,5 мая
SG-8101CG 166.6300M-TBGSA0 EPSON SG-8101CG 166.6300M-TBGSA0 2.0796
RFQ
ECAD 4604 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 166,63 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CG166.6300M-TBGSA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 1,1 мка
SG-8018CG 45.6960M-TJHSA0 EPSON SG-8018CG 45.6960M-TJHSA0 0,5606
RFQ
ECAD 4210 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 45 696 мг CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CG45.6960M-TJHSA0 Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 8.1MA Кришалл ± 50 млр - - 1,1 мка
SG-8101CB 72.606816M-TCHSA0 EPSON SG-8101CB 72.606816M-TCHSA0 1.8746
RFQ
ECAD 1220 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 72.606816 МОГ CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CB72.606816M-TCHSA0TR Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 1,1 мка
SG-8101CG 5.9994M-TCHSA0 EPSON SG-8101CG 5.9994M-TCHSA0 2.0796
RFQ
ECAD 9837 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 59994 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CG5.9994M-TCHSA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 1,1 мка
SG-8101CG 131.0750M-TBGPA0 EPSON SG-8101CG 131.0750M-TBGPA0 2.0796
RFQ
ECAD 9692 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 131.075 Mmgц CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CG131.0750M-TBGPA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 3,5 мая
XG-2121CA 125.0000M-PGPAL0 EPSON XG-2121CA 125.0000M-PGPAL0 3.1770
RFQ
ECAD 9367 0,00000000 Эpsoan XG-2121CA Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA ТАК (ВИДЕЛ) 125 мг Lvpecl 2,5 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 60 май Кришалл ± 50 млр - 2MA
SG-8002CA 50.0000M-PHCL3 EPSON SG-8002CA 50.0000M-PHCL3 5.3449
RFQ
ECAD 7521 0,00000000 Эpsoan SG-8002 Lenta и катахка (tr) В аспекте -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,059 "(1,50 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 50 мг CMOS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 250 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 45 май Кришалл ± 100 млр - 30 май
SG-8101CG 33.2500M-TCHSA0 EPSON SG-8101CG 33.2500M-TCHSA0 2.0796
RFQ
ECAD 5033 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 33,25 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CG33.2500M-TCHSA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 1,1 мка
SG-8018CB 9.8300M-TJHSA0 EPSON SG-8018CB 9.8300M-TJHSA0 0,6363
RFQ
ECAD 4806 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 9,83 мг CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CB9.8300M-TJHSA0 Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 3,5 мая Кришалл ± 50 млр - - 1,1 мка
SG-8018CE 100.1000M-TJHPA0 EPSON SG-8018CE 100,1000M-TJHPA0 0,5909
RFQ
ECAD 2492 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 100,1 мг CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CE100.1000M-TJHPA0 Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 8.1MA Кришалл ± 50 млр - - 3,5 мая
SG-8101CE 21.7725M-TCHPA0 EPSON SG-8101CE 21 7725M-Tchpa0 0,7449
RFQ
ECAD 2281 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 21.7725 МОГ CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CE21.7725M-TCHPA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 3,5 мая
SG-9101CE 32.9970M-C20PHAAA5 EPSON SG-9101CE 32.9970M-C20PHAAA5 -
RFQ
ECAD 3537 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 32,997 мг CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 8,3 Ма Кришалл - - ± 2,00%, 3,7 Ма
SG-8018CA 116.5000M-TJHPA0 EPSON SG-8018CA 116.5000M-TJHPA0 0,7121
RFQ
ECAD 7070 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 116,5 мг CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CA116.5000M-TJHPA0 Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 8.1MA Кришалл ± 50 млр - - 3,5 мая
SG-8101CE 161.328130M-TCHPA0 EPSON SG-8101CE 161.328130M-TCHPA0 0,7449
RFQ
ECAD 1786 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 161.32813 МОГ CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CE161.328130M-TCHPA0TR Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 3,5 мая
SG-8101CG 14.3456M-TBGPA0 EPSON SG-8101CG 14.3456M-TBGPA0 2.0796
RFQ
ECAD 2300 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 14.3456 Mmgц CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CG14.3456M-TBGPA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 3,5 мая
SG-8101CG 5.6000M-TBGSA0 EPSON SG-8101CG 5,6000M-TBGSA0 2.0796
RFQ
ECAD 7106 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 5,6 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CG5.6000M-TBGSA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 1,1 мка
SG-8101CB 136.7180M-TBGPA0 EPSON SG-8101CB 136.7180M-TBGPA0 1.8746
RFQ
ECAD 9774 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 136 718 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CB136.7180M-TBGPA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 3,5 мая
SG-8018CE 16.4900M-TJHSA0 EPSON SG-8018CE 16.4900M-TJHSA0 0,5909
RFQ
ECAD 9310 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 16,49 мг CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CE16.4900M-TJHSA0 Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 3,5 мая Кришалл ± 50 млр - - 1,1 мка
SG-8101CA 25.2235M-TBGPA0 EPSON SG-8101CA 25.2235M-TBGPA0 1.6842
RFQ
ECAD 6297 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 25.2235 МОГ CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CA25.2235M-TBGPA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 3,5 мая
TCO-7086X1A4 100.0000M EPSON TCO-7086X1A4 1000000 м -
RFQ
ECAD 4809 0,00000000 Эpsoan TCO-708X МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,071 "(1,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 100 мг CMOS 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 Rushyme oshydanyna (Power Down) 20 май Кришалл ± 50 млр - -
SG-210SCB 48.0000MB EPSON SG-210SCB 48 0000 МБ -
RFQ
ECAD 8090 0,00000000 Эpsoan SG-210S*б Полески Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 48 мг CMOS 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 Rushyme oshydanyna (Power Down) 3MA Кришалл ± 50 млр - -
SG-8101CE 32.6730M-TCHSA0 EPSON SG-8101CE 32.6730M-TCHSA0 0,7449
RFQ
ECAD 2206 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 32 673 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CE32.6730M-TCHSA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 1,1 мка
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе