SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колиство Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта СОС (эKUVALENTNOESERYIRIKOPROOTROTERENEEE) Rraboч -yemperatura Руэйнги Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Опрегиону Wshod Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Файнкхия Programmirueemый typ Nagruзka emcostath ТОК - Постка (МАКС) Baзowый rerзonator ЧSTOTNARYAVENSPARINOSTHSTH Абсолнгендэапан Тэйги (аплель) RaSproStraneneeperpupusknoй pososobnosti opektra Ток - Посткака (отклшит) (макс) Я. ДОСТУПНА ЧStoTnavanyavanyavangynyavanyshstath (obщ -я
SG-8101CG 126.2510M-TCHSA0 EPSON SG-8101CG 126.2510M-TCHSA0 2.0796
RFQ
ECAD 5618 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 126.251 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CG126.2510M-TCHSA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 1,1 мка
SG-8101CG 151.5625M-TBGSA0 EPSON SG-8101CG 151.5625M-TBGSA0 2.0796
RFQ
ECAD 1164 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 151.5625 Mmgц CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CG151.5625M-TBGSA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 1,1 мка
SG-8018CE 50.1360M-TJHSA0 EPSON SG-8018CE 50.1360M-TJHSA0 0,5909
RFQ
ECAD 9660 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 50.136 MMGц CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CE50.1360M-TJHSA0 Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 8.1MA Кришалл ± 50 млр - - 1,1 мка
SG-8101CE 21.2000M-TCHPA0 EPSON SG-8101CE 21,2000M-TCHPA0 0,7449
RFQ
ECAD 1292 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 21,2 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CE21.2000M TCHPA0TR Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 3,5 мая
SG-9101CE-C07SGCCB EPSON SG-9101CE-C07SGCCB 6.2200
RFQ
ECAD 1538 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 0,75%, 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
SG-8018CG 15.3600M-TJHPA0 EPSON SG-8018CG 15.3600M-TJHPA0 0,5606
RFQ
ECAD 5170 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 15,36 мг CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CG15.3600M-TJHPA0 Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 3,5 мая Кришалл ± 50 млр - - 3,5 мая
SG-8101CB 140.0790M-TCHSA0 EPSON SG-8101CB 140.0790M-TCHSA0 1.8746
RFQ
ECAD 2264 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 140.079 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CB140.0790M-TCHSA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 1,1 мка
SG-8101CB 49.3600M-TBGPA0 EPSON SG-8101CB 49.3600M-TBGPA0 1.8746
RFQ
ECAD 9159 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 49,36 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CB49.3600M-TBGPA0TR Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 3,5 мая
SG-8101CG 89.6000M-TBGSA0 EPSON SG-8101CG 89,6000M-TBGSA0 2.0796
RFQ
ECAD 2534 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 89,6 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CG89.6000M-TBGSA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 1,1 мка
SG-8101CG 159.5743M-TCHSA0 EPSON SG-8101CG 159 5743M-TCHSA0 2.0796
RFQ
ECAD 1341 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 159 5743 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CG159.5743M-TCHSA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 1,1 мка
SG-9101CA-C05SGDCA EPSON SG-9101CA-C05SGDCA 5,1000
RFQ
ECAD 3170 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 0,50%, 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
SG5032CBN 100.000000M-TJGA3 EPSON SG5032CBN 100.0000000000M-TJGA3 2.1500
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Эpsoan SG5032 Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 100 мг CMOS 1,6 n 3,6 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 250 Rushyme oshydanyna (Power Down) 11ma Кришалл ± 50 млр - 10 мк
C-2 31.2000KI-AG EPSON C-2 31.2000Ki-AG -
RFQ
ECAD 6121 0,00000000 Эpsoan C-2 МАССА Управо 35 Kohms -10 ° C ~ 60 ° C. - 0,079 "DIA X 0,236" L (2,00 мм х 6,00 мм) 0,236 "(6,00 мм) Чereз dыru Ghylindriчeskaya ybanka, raadialnaping Кгристалл (nastroйca violca) 31,2 кг Фуанданталн СКАХАТА Rohs Neprigodnnый Продан Ear99 8541.60.0020 1000 7pf - ± 100 млр
SG-8101CE 132.0000M-TBGPA0 EPSON SG-8101CE 132.0000M-TBGPA0 0,7449
RFQ
ECAD 9328 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 132 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CE132.0000M-TBGPA0TR Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 3,5 мая
FA-238 40.0000MB-C EPSON FA-238 40.00000000MB-C 0,8060
RFQ
ECAD 4441 0,00000000 Эpsoan FA-238 МАССА Актифен 40 ОМ -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,028 "(0,70 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA MHZ Crystal 40 мг Фуанданталн СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.60.0060 1 18pf ± 30 млр ± 50 млр
SG-8101CA 2.0000M-TBGPA0 EPSON SG-8101CA 2.0000M-TBGPA0 1.6842
RFQ
ECAD 8684 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 2 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CA2.0000M-TBGPA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 3,5 мая
SG-8101CA 110.0000M-TBGPA0 EPSON SG-8101CA 110.0000M-TBGPA0 1.6842
RFQ
ECAD 2694 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 110 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CA110.0000M-TBGPA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 3,5 мая
SG-9101CA-C15PHCBA EPSON SG-9101CA-C15PHCBA 5,1000
RFQ
ECAD 4310 0,00000000 Эpsoan SG-9101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный - Кришалл - ± 1,50%, 3,7 млн 670 кг ~ 170 мг -
SG-710PTK 8.0000MB3 EPSON SG-710PTK 8.0000MB3 -
RFQ
ECAD 1682 0,00000000 Эpsoan SG-710 Lenta и катахка (tr) Управо -10 ° C ~ 70 ° C. - 0,287 "L x 0,189" W (7,30 мм x 4,80 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 8 мг CMOS СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 250 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 13ma Кришалл ± 50 млр - 6ma
SG-8101CE 145.8950M-TCHSA0 EPSON SG-8101CE 145.8950M-TCHSA0 0,7449
RFQ
ECAD 7830 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 145,895 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CE145.8950M-TCHSA0TR Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 1,1 мка
SG-8101CB 57.2000M-TBGSA0 EPSON SG-8101CB 57,2000M-TBGSA0 1.8746
RFQ
ECAD 3639 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 57,2 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CB57.2000M-TBGSA0TR Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 1,1 мка
SG5032EAN 106.250000M-KJGAB EPSON SG5032EAN 106.250000M-KJGAB 4.8677
RFQ
ECAD 2557 0,00000000 Эpsoan SG5032EAN МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 106,25 мг Lvpecl 2,5 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 65 май Кришалл ± 50 млр - 20 май
SG-8002CA 50.5000M-PHBL3 EPSON SG-8002CA 50.5000M-PHBL3 58550
RFQ
ECAD 6493 0,00000000 Эpsoan SG-8002 Lenta и катахка (tr) В аспекте -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,059 "(1,50 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 50,5 мг CMOS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 250 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 45 май Кришалл ± 50 млр - 30 май
SG-8101CE 18.8696M-TBGSA0 EPSON SG-8101CE 18.8696M-TBGSA0 0,7449
RFQ
ECAD 8103 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 18.8696 Mmgц CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CE18.8696M-TBGSA0TR Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 15 - - 1,1 мка
SG-8018CE 10.6656M-TJHSA0 EPSON SG-8018CE 10.6656M-TJHSA0 0,5909
RFQ
ECAD 3585 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,047 "(1,20 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 10 6656 мг CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CE10.6656M-TJHSA0 Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 3,5 мая Кришалл ± 50 млр - - 1,1 мка
SG-8101CB 66.0000M-TCHPA0 EPSON SG-8101CB 66 0000M-TCHPA0 1.8746
RFQ
ECAD 1959 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,051 "(1,30 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 66 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CB66.0000M-TCHPA0TR Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 3,5 мая
SG-8018CG 6.0053M-TJHPA0 EPSON SG-8018CG 6.0053M-TJHPA0 0,5606
RFQ
ECAD 7269 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 6 0053 мг CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CG6.0053M-TJHPA0 Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 3,5 мая Кришалл ± 50 млр - - 3,5 мая
FA-20H 20.0000ML81Z-AC3 EPSON FA-20H 20.00000000ML81Z-AC3 2.6785
RFQ
ECAD 2381 0,00000000 Эpsoan FA-20H Lenta и катахка (tr) Актифен 80 ОМ -20 ° C ~ 75 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA MHZ Crystal 20 мг Фуанданталн СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.60.0050 250 9pf -10ppm, +8ppm -9ppm, +11ppm
SG-8101CA 10.2440M-TCHSA0 EPSON SG-8101CA 10.2440M-TCHSA0 1.6842
RFQ
ECAD 3253 0,00000000 Эpsoan SG-8101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,055 "(1,40 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SG-8101 10 244 мг CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8101CA10.2440M-TCHSA0TR Ear99 8541.60.0080 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 6,8 мая (тип) Кришалл ± 20 aSteй naйцaх - - 1,1 мка
SG-8018CG 43.0010M-TJHPA0 EPSON SG-8018CG 43.0010M-TJHPA0 0,5606
RFQ
ECAD 7715 0,00000000 Эpsoan SG-8018 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) 43,001 мг CMOS 1,62 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 114-SG-8018CG43.0010M-TJHPA0 Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 8.1MA Кришалл ± 50 млр - - 3,5 мая
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе