SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Руэйнги Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Wshod Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодадж Файнкхия ТОК - Постка (МАКС) Baзowый rerзonator ЧSTOTNARYAVENSPARINOSTHSTH Абсолнгендэапан Тэйги (аплель) RaSproStraneneeperpupusknoй pososobnosti opektra Ток - Посткака (отклшит) (макс)
SIT8208AI-G1-25E-66.000000X SiTime SIT8208AI-G1-25E-66.000000X 2.4360
RFQ
ECAD 9793 0,00000000 Скейта SIT8208 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,106 "L x 0,094" W (2,70 мм х 2,40 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SIT8208 66 мг Lvcmos, lvttl 2,5 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 250 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 33 май Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 31ma
SIT8208AI-G1-25E-66.000000Y SiTime SIT8208AI-G1-25E-66.000000Y 2.0184
RFQ
ECAD 4416 0,00000000 Скейта SIT8208 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,106 "L x 0,094" W (2,70 мм х 2,40 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SIT8208 66 мг Lvcmos, lvttl 2,5 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 33 май Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 31ma
SIT8208AI-G1-25E-66.660000T SiTime SIT8208AI-G1-25E-66.660000T 1.8792
RFQ
ECAD 7631 0,00000000 Скейта SIT8208 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,106 "L x 0,094" W (2,70 мм х 2,40 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SIT8208 66,66 мг Lvcmos, lvttl 2,5 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 33 май Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 31ma
SIT8208AI-G1-25E-66.660000X SiTime SIT8208AI-G1-25E-66.660000X 2.4360
RFQ
ECAD 3548 0,00000000 Скейта SIT8208 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,106 "L x 0,094" W (2,70 мм х 2,40 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SIT8208 66,66 мг Lvcmos, lvttl 2,5 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 250 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 33 май Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 31ma
SIT8208AI-G1-25E-66.666600X SiTime SIT8208AI-G1-25E-66.66666600X 2.4360
RFQ
ECAD 3611 0,00000000 Скейта SIT8208 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,106 "L x 0,094" W (2,70 мм х 2,40 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SIT8208 66.6666 Mmgц Lvcmos, lvttl 2,5 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 250 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 33 май Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 31ma
SIT8208AI-G1-25E-66.666660T SiTime SIT8208AI-G1-25E-66.666660T 1.8792
RFQ
ECAD 8791 0,00000000 Скейта SIT8208 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,106 "L x 0,094" W (2,70 мм х 2,40 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SIT8208 66.66666 МОГ Lvcmos, lvttl 2,5 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 33 май Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 31ma
SIT8208AI-G1-25E-66.666660X SiTime SIT8208AI-G1-25E-66.666660X 2.4360
RFQ
ECAD 8169 0,00000000 Скейта SIT8208 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,106 "L x 0,094" W (2,70 мм х 2,40 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SIT8208 66.66666 МОГ Lvcmos, lvttl 2,5 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 250 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 33 май Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 31ma
SIT8208AI-G1-25E-7.372800X SiTime SIT8208AI-G1-25E-7.372800X 2.4360
RFQ
ECAD 8351 0,00000000 Скейта SIT8208 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,106 "L x 0,094" W (2,70 мм х 2,40 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SIT8208 7 3728 мг Lvcmos, lvttl 2,5 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 250 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 33 май Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 31ma
SIT8208AI-G1-25E-74.175824X SiTime SIT8208AI-G1-25E-74.175824X 2.4360
RFQ
ECAD 9898 0,00000000 Скейта SIT8208 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,106 "L x 0,094" W (2,70 мм х 2,40 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SIT8208 74.175824 Mmgц Lvcmos, lvttl 2,5 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 250 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 33 май Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 31ma
SIT8208AI-G1-25E-74.250000T SiTime SIT8208AI-G1-25E-74.250000T 1.8792
RFQ
ECAD 2469 0,00000000 Скейта SIT8208 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,106 "L x 0,094" W (2,70 мм х 2,40 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SIT8208 74,25 мг Lvcmos, lvttl 2,5 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 33 май Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 31ma
SIT8208AI-G1-25E-74.250000Y SiTime SIT8208AI-G1-25E-74.250000Y 2.0184
RFQ
ECAD 4675 0,00000000 Скейта SIT8208 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,106 "L x 0,094" W (2,70 мм х 2,40 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SIT8208 74,25 мг Lvcmos, lvttl 2,5 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 33 май Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 31ma
SIT8208AI-G1-25E-8.192000T SiTime SIT8208AI-G1-25E-8.192000T 1.8792
RFQ
ECAD 8739 0,00000000 Скейта SIT8208 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,106 "L x 0,094" W (2,70 мм х 2,40 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SIT8208 8 192 мг Lvcmos, lvttl 2,5 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 33 май Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 31ma
SIT8208AI-G1-25S-12.288000T SiTime SIT8208AI-G1-25S-1288000T 1.8792
RFQ
ECAD 1338 0,00000000 Скейта SIT8208 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,106 "L x 0,094" W (2,70 мм х 2,40 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SIT8208 12.288 MMGц Lvcmos, lvttl 2,5 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 33 май Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 70 мка
SIT8208AI-G1-25S-12.288000X SiTime SIT8208AI-G1-25S-1288000X 2.4360
RFQ
ECAD 3655 0,00000000 Скейта SIT8208 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,106 "L x 0,094" W (2,70 мм х 2,40 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SIT8208 12.288 MMGц Lvcmos, lvttl 2,5 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 250 Rushyme oshydanyna (Power Down) 33 май Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 70 мка
SIT8208AI-G1-25S-16.000000T SiTime SIT8208AI-G1-25S-16.000000T 1.8792
RFQ
ECAD 1214 0,00000000 Скейта SIT8208 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,106 "L x 0,094" W (2,70 мм х 2,40 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SIT8208 16 мг Lvcmos, lvttl 2,5 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 33 май Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 70 мка
SIT8208AI-G1-33E-74.175824Y SiTime SIT8208AI-G1-33E-74.175824Y 2.0184
RFQ
ECAD 5464 0,00000000 Скейта SIT8208 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,106 "L x 0,094" W (2,70 мм х 2,40 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SIT8208 74.175824 Mmgц Lvcmos, lvttl 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 33 май Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 31ma
SIT8208AI-G1-33E-74.176000T SiTime SIT8208AI-G1-33E-74.176000T 1.8792
RFQ
ECAD 2331 0,00000000 Скейта SIT8208 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,106 "L x 0,094" W (2,70 мм х 2,40 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SIT8208 74,176 мг Lvcmos, lvttl 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 33 май Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 31ma
SIT8208AI-G1-33E-74.250000X SiTime SIT8208AI-G1-33E-74.250000X 2.4360
RFQ
ECAD 9991 0,00000000 Скейта SIT8208 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,106 "L x 0,094" W (2,70 мм х 2,40 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SIT8208 74,25 мг Lvcmos, lvttl 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 250 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 33 май Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 31ma
SIT8208AI-G1-33E-75.000000X SiTime SIT8208AI-G1-33E-75.000000X 2.4360
RFQ
ECAD 6502 0,00000000 Скейта SIT8208 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,106 "L x 0,094" W (2,70 мм х 2,40 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SIT8208 75 мг Lvcmos, lvttl 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 250 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 33 май Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 31ma
SIT8208AI-G1-33E-75.000000Y SiTime SIT8208AI-G1-33E-75.000000Y 2.0184
RFQ
ECAD 2760 0,00000000 Скейта SIT8208 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,106 "L x 0,094" W (2,70 мм х 2,40 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SIT8208 75 мг Lvcmos, lvttl 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 33 май Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 31ma
SIT8208AI-G1-33S-12.000000X SiTime SIT8208AI-G1-33S-12.000000X 2.4360
RFQ
ECAD 2325 0,00000000 Скейта SIT8208 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,106 "L x 0,094" W (2,70 мм х 2,40 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SIT8208 12 мг Lvcmos, lvttl 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 250 Rushyme oshydanyna (Power Down) 33 май Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 70 мка
SIT8208AI-G1-33S-16.000000T SiTime SIT8208AI-G1-33S-16.000000T 1.8792
RFQ
ECAD 4960 0,00000000 Скейта SIT8208 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,106 "L x 0,094" W (2,70 мм х 2,40 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SIT8208 16 мг Lvcmos, lvttl 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 33 май Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 70 мка
SIT8208AI-G1-33S-16.000000Y SiTime SIT8208AI-G1-33S-16.000000Y 2.0184
RFQ
ECAD 2237 0,00000000 Скейта SIT8208 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,106 "L x 0,094" W (2,70 мм х 2,40 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SIT8208 16 мг Lvcmos, lvttl 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 33 май Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 70 мка
SIT8208AI-G1-33S-16.367667X SiTime SIT8208AI-G1-33S-16.367667X 2.4360
RFQ
ECAD 7240 0,00000000 Скейта SIT8208 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,106 "L x 0,094" W (2,70 мм х 2,40 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SIT8208 16.367667 МОГ Lvcmos, lvttl 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 250 Rushyme oshydanyna (Power Down) 33 май Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 70 мка
SIT8208AI-G1-33S-16.367667Y SiTime SIT8208AI-G1-33S-16.367667Y 2.0184
RFQ
ECAD 1168 0,00000000 Скейта SIT8208 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,106 "L x 0,094" W (2,70 мм х 2,40 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SIT8208 16.367667 МОГ Lvcmos, lvttl 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 33 май Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 70 мка
SIT8208AI-G1-33S-16.368000Y SiTime SIT8208AI-G1-33S-16.368000Y 2.0184
RFQ
ECAD 7145 0,00000000 Скейта SIT8208 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,106 "L x 0,094" W (2,70 мм х 2,40 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SIT8208 16.368 Mmgц Lvcmos, lvttl 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 33 май Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 70 мка
SIT8208AI-G1-33S-18.432000T SiTime SIT8208AI-G1-33S-18.432000T 1.8792
RFQ
ECAD 4214 0,00000000 Скейта SIT8208 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,106 "L x 0,094" W (2,70 мм х 2,40 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SIT8208 18.432 МОГ Lvcmos, lvttl 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 33 май Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 70 мка
SIT8208AI-G1-33S-18.432000Y SiTime SIT8208AI-G1-33S-18.432000Y 2.0184
RFQ
ECAD 6659 0,00000000 Скейта SIT8208 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,106 "L x 0,094" W (2,70 мм х 2,40 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SIT8208 18.432 МОГ Lvcmos, lvttl 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 33 май Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 70 мка
SIT8208AI-G1-33S-19.440000Y SiTime SIT8208AI-G1-33S-169.4440000Y 2.0184
RFQ
ECAD 1784 0,00000000 Скейта SIT8208 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,106 "L x 0,094" W (2,70 мм х 2,40 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SIT8208 19,44 мг Lvcmos, lvttl 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 33 май Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 70 мка
SIT8208AI-G1-33S-27.000000T SiTime SIT8208AI-G1-33S-27.000000T 1.8792
RFQ
ECAD 4552 0,00000000 Скейта SIT8208 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,106 "L x 0,094" W (2,70 мм х 2,40 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) SIT8208 27 мг Lvcmos, lvttl 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Rushyme oshydanyna (Power Down) 33 май Мемс ± 20 aSteй naйцaх - - 70 мка
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе