SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Baзowый nomer prodikta В конце Прримнани Образа Техниль Статус Ройс Верный Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ASTOTA - PREREKLючENEEEE ТОК - В.О. В конце Йсполь Постать Питани - В.О. ТИПОСКИЙ Вес ТОПОЛЕВА
STEVAL-ISA207V1 STMicroelectronics Steval-ISA207V1 33 7500
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Stmicroelectronics - МАССА Актифен Степень 4,5 ЕСКЛЕКТИВА. - DC/DC, UйDiote -Vniз СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.40.9580 1 500 kgц 3A 3,3 В. A7987 Доска (ы) Полнопен 1, Н.Е. БАК
BD7F100EFJ-EVK-001 Rohm Semiconductor BD7F100EFJ-EVK-001 -
RFQ
ECAD 6331 0,00000000 ROHM Semiconductor - Коробка Управо BD7F100 24 - DC/DC, UйDiote -Vniз СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.40.9580 1 400 kgц 1A BD7F100 Доска (ы) Полнопен 1, Иолирована LeTASHIй
BD7F100EFJ-EVK-002 Rohm Semiconductor BD7F100EFJ-EVK-002 112,5000
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor - Коробка Актифен BD7F100 24 - DC/DC, UйDiote -Vniз СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8543.70.9860 1 400 kgц 165MA, 165MA ± 15 В. BD7F100 Доска (ы) Полнопен 2, Иолирована LeTASHIй
BD7F100EFJ-EVK-003 Rohm Semiconductor BD7F100EFJ-EVK-003 113.6200
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor - Коробка Актифен BD7F100 - DC/DC, UйDiote -Vniз СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.40.9580 1 400 kgц 200 май BD7F100 Доска (ы) Полнопен 1, Иолирована LeTASHIй
BD7F200HFN-EVK-001 Rohm Semiconductor BD7F200HFN-EVK-001 131.2500
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor - Коробка Актифен BD7F200 24 - DC/DC, UйDiote -Vniз СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8543.70.9860 1 400 kgц 150 май, 150 май, 150 мам, 150 15 В, 15 В, 15 В, 15 В BD7F200 Доска (ы) Полнопен 4, Иолирована LeTASHIй
FAN6248ADPGEVB onsemi FAN6248ADPGEVB -
RFQ
ECAD 7496 0,00000000 OnSemi - МАССА Актифен FAN6248 - Ac/dc, првинажа - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 0000.00.0000 1 - - - FAN6248 Доска (ы) Полнопен 1, Иолирована Rershonans
ADM00881 Microchip Technology ADM00881 129.0100
RFQ
ECAD 6353 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен ADM00881 2,4 В ~ 5,5. DC/DC, UйDiote -Vniз СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.40.9580 1 - 3A 0,6 В ~ 3,84 MIC23356 Доска (ы) Полнопен 1, Н.Е. БАК
ADM00885 Microchip Technology ADM00885 129.0100
RFQ
ECAD 4309 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен ADM00885 2,4 В ~ 5,5. DC/DC, UйDiote -Vniз СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.40.9580 1 - 6A 0,6, 0,8,, 0,9, 1 -й, 1,2 -в, 1,5 -n, 1,8, 2,5 n.3,3. MIC23650 Доска (ы) Полнопен 1, Н.Е. БАК
ADM00886 Microchip Technology ADM00886 135 4600
RFQ
ECAD 9611 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен ADM00886 2,4 В ~ 5,5. DC/DC, UйDiote -Vniз СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.40.9580 1 - 6A 0,6 В ~ 3,84 MIC23656 Доска (ы) Полнопен 1, Н.Е. БАК
MAX17250EVKIT# Analog Devices Inc./Maxim Integrated MAX17250EVKIT# -
RFQ
ECAD 7732 0,00000000 Analog Devices Inc./maxim Integrated - МАССА Управо MAX172 2,7 В. Dc/dc, ш vwerх СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 0000.00.0000 1 - 720 май 12 MAX17250 Доска (ы) Полнопен 1, Н.Е. SPOSOBSTWOWATH ROOSTU
MAX20059EVKIT# Analog Devices Inc./Maxim Integrated MAX20059EVKIT# 233 9200
RFQ
ECAD 3229 0,00000000 Analog Devices Inc./maxim Integrated - Коробка Актифен MAX20059 6,5 В ~ 72 В. DC/DC, UйDiote -Vniз СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.40.9580 1 400 kgц 1A MAX20059 Доска (ы) Полнопен 1, Н.Е. БАК
MAXM15062EVKIT# Analog Devices Inc./Maxim Integrated Maxm15062evkit# 37.5700
RFQ
ECAD 6745 0,00000000 Analog Devices Inc./maxim Integrated - Коробка Актифен MAXM15062 5,5 В ~ 48 В. DC/DC, UйDiote -Vniз СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.40.9580 1 500 kgц 300 май 3,3 В. MAXM15062 Доска (ы) Полнопен 1, Н.Е. БАК
STR-NCP3232N-EVK onsemi STR-NCP3232N-EVK 141.5200
RFQ
ECAD 1 0,00000000 OnSemi Слояно МАССА Актифен STR-NCP3232 4,5 В ~ 21в. DC/DC, UйDiote -Vniз СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1180 1 500 kgц 15A - NCP3232N Доска (ы) Полнопен 1, Н.Е. БАК
STR-NCP3235-EVK onsemi STR-NCP3235-EVK 141.9500
RFQ
ECAD 2 0,00000000 OnSemi Слояно МАССА Актифен STR-NCP3235 4,5 В ~ 23 В. DC/DC, UйDiote -Vniз СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH STR-NCP3235-EVKOS Ear99 8473.30.1180 1 - 15A - NCP3235 Доска (ы) Полнопен 1, Н.Е. БАК
RP604Z331B-EV Nisshinbo Micro Devices Inc. RP604Z331B-EV 28.4100
RFQ
ECAD 10 0,00000000 Nisshinbo Micro Defices Inc. - МАССА Актифен RP604 1,8 В ~ 5,5 В. Dc/dc, шagerх иливни СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 2129-RP604Z331B-EV Ear99 8504.40.9580 1 - 300 май 1,6 В ~ 5,2 В. RP604Z Доска (ы) Полнопен 1, Н.Е. Buck-boost
R1240N001B033-EV Nisshinbo Micro Devices Inc. R1240N001B033-EV 25.3900
RFQ
ECAD 7462 0,00000000 Nisshinbo Micro Defices Inc. - МАССА Актифен R1240 4,5 В ~ 30 В. DC/DC, UйDiote -Vniз СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 2129-R1240N001B033-EV 0000.00.0000 1 1,25 мг 1.2a 0,8 В ~ 15 В. R1240x Доска (ы) Полнопен 1, Н.Е. БАК
R1242S001F050-EV Nisshinbo Micro Devices Inc. R1242S001F050-EV 35,8000
RFQ
ECAD 8299 0,00000000 Nisshinbo Micro Defices Inc. - МАССА Актифен R1242 5 В ~ 30 В. DC/DC, UйDiote -Vniз СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 2129-R1242S001F050-EV 0000.00.0000 1 500 kgц 3A 0,8 В ~ 15 В. R1242S Доска (ы) Полнопен 1, Н.Е. БАК
RP402K501A-EV Nisshinbo Micro Devices Inc. RP402K501A-EV 28.4100
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Nisshinbo Micro Defices Inc. - МАССА Актифен RP402 0,6 В ~ 4,8 В. Dc/dc, ш vwerх СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 2129-RP402K501A-EV Ear99 8543.70.9860 1 1,2 мг 800 май 1,8 В ~ 5,5 В. RP402K Доска (ы) Полнопен 1, Н.Е. SPOSOBSTWOWATH ROOSTU
RP506K001F012-EV Nisshinbo Micro Devices Inc. RP506K001F012-EV 34.0900
RFQ
ECAD 4158 0,00000000 Nisshinbo Micro Defices Inc. - МАССА Актифен RP506 2,5 В ~ 5,5. DC/DC, UйDiote -Vniз СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 2129-RP506K001F012-EV Ear99 8473.30.1180 1 1,2 мг 2A 0,6 В ~ 4 В. RP506K Доска (ы) Полнопен 1, Н.Е. БАК
RP508K181B-EV Nisshinbo Micro Devices Inc. RP508K181B-EV 28.4100
RFQ
ECAD 7984 0,00000000 Nisshinbo Micro Defices Inc. - МАССА Актифен RP508 2,3 В ~ 5,5 В. DC/DC, UйDiote -Vniз СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 2129-RP508K181B-EV Ear99 8473.30.1180 1 6 мг 600 май 1,8 В. RP508K Доска (ы) Полнопен 1, Н.Е. БАК
RP508K331B-EV Nisshinbo Micro Devices Inc. RP508K331B-EV 28.4100
RFQ
ECAD 5664 0,00000000 Nisshinbo Micro Defices Inc. - МАССА Актифен RP508 2,3 В ~ 5,5 В. DC/DC, UйDiote -Vniз СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 2129-RP508K331B-EV Ear99 8473.30.1180 1 6 мг 600 май 3,3 В. RP508K Доска (ы) Полнопен 1, Н.Е. БАК
ROA170111/1 Flex Power Modules ROA170111/1 504,0000
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Flex Power Modules - Коробка Актифен ROA170111 7,5 -~ 14 В. DC/DC, UйDiote -Vniз СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 2166-ROA170111/1 Ear99 8543.70.9860 1 - - 0,6 В ~ 5 В. BMR469 Доска (ы) Я - БАК
AP64350SP-EVM Diodes Incorporated AP64350SP-EVM 36.2500
RFQ
ECAD 5835 0,00000000 Дидж - Коробка Актифен AP64350 3,8 В ~ 40 В. - DC/DC, UйDiote -Vniз СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) DOSTISH AP64350SP-EVMDI Ear99 8543.70.9860 1 - 3.5a AP64350 Доска (ы) Полнопен 1, Н.Е. БАК
AP64500SP-EVM Diodes Incorporated AP64500SP-EVM 36.2500
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Дидж - Коробка Актифен AP64500 3,8 В ~ 40 В. - DC/DC, UйDiote -Vniз СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) DOSTISH AP64500SP-EVMDI Ear99 8543.70.9860 1 - 5A AP64500 Доска (ы) Полнопен 1, Н.Е. БАК
AP63201WU-EVM Diodes Incorporated AP63201WU-EVM 36.2500
RFQ
ECAD 8597 0,00000000 Дидж - Коробка Актифен AP63201 3,8 В ~ 32 В. - DC/DC, UйDiote -Vniз СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) DOSTISH AP63201WU-EVMDI Ear99 8473.30.1180 1 500 kgц 2A AP63201 Доска (ы) Полнопен 1, Н.Е. БАК
AP63200WU-EVM Diodes Incorporated AP63200WU-EVM 36.2500
RFQ
ECAD 1254 0,00000000 Дидж - Коробка Актифен AP63200 3,8 В ~ 32 В. - DC/DC, UйDiote -Vniз СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) DOSTISH AP63200WU-EVMDI Ear99 8473.30.1180 1 500 kgц 2A AP63200 Доска (ы) Полнопен 1, Н.Е. БАК
BM2P0161-EVK-001 Rohm Semiconductor BM2P0161-EVK-001 110.0000
RFQ
ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor - Коробка Актифен BM2P0161 90 ~ 264 ВИД - Ac/dc, првинажа СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 0000.00.0000 1 65 кг 500 май 15 BM2P0161 Доска (ы) 7,5 Полнопен 1, Н.Е. БАК
BM2P209TF-EVK-001 Rohm Semiconductor BM2P209TF-EVK-001 37,5000
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor - Коробка Актифен BM2P209 90 ~ 264 ВИД - AC/DC, НЕИХОЛИРОВАННА СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1180 1 100 kgц 150 май 20 BM2P209T Доска (ы) 3 Вт Полнопен 1, Н.Е. БАК
MAXM15066EVKIT# Analog Devices Inc./Maxim Integrated MAXM1506666EVKIT# 37.5700
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Analog Devices Inc./maxim Integrated Гималаи Коробка Актифен MAXM15066 8,5 -~ 60. DC/DC, UйDiote -Vniз СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1180 1 550 кг 300 май MAXM15066 Доска (ы) Полнопен 1, Н.Е. БАК
DC1936A Analog Devices Inc. DC1936A 216.1400
RFQ
ECAD 3097 0,00000000 Analog Devices Inc. - Коробка Актифен DC1936 7 В ~ 14 DC/DC, UйDiote -Vniз СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 0000.00.0000 1 500 kgц 30A 1V LTC3882 Доска (ы) Полнопен 2, Н.Е. БАК
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе