SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Baзowый nomer prodikta В конце Прримнани Образа Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ASTOTA - PREREKLючENEEEE ТОК - В.О. В конце Йсполь Постать Питани - В.О. ТИПОСКИЙ Вес ТОПОЛЕВА
SIC437AEVB-B Vishay Siliconix SIC437AEVB-B 35 9400
RFQ
ECAD 6869 0,00000000 Виаликоеникс - Коробка Актифен SIC437 4,5 В ~ 28 В. DC/DC, UйDiote -Vniз СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 742-SIC437AEVB-B Ear99 8543.70.9860 1 - 12A 0,6 В ~ 20 В. SIC437 Доска (ы) Полнопен 1, Н.Е. БАК
PKT-MEZDPD4506A-850D Monolithic Power Systems Inc. PKT-MEZDPD4506A-850D -
RFQ
ECAD 1120 0,00000000 Monolithic Power Systems Inc. Mezdpd4506 Коробка Актифен 4 В ~ 45 В. DC/DC, UйDiote -Vniз - Rohs3 DOSTISH 1589-PKT-MEZDPD4506A-850D 1 - 6A 0,6 В ~ 22 В. MEZDPD4506A-850D DOSKA (ы), Каблея (ы), Аксайр Полнопен 1, Н.Е. БАК
LM3691TL-1.8EV Texas Instruments LM3691TL-1.8EV -
RFQ
ECAD 8213 0,00000000 Тел - Коробка Управо LM3691 2,3 В ~ 5,5 В. DC/DC, UйDiote -Vniз СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 9030.90.6600 1 4 мг 1A 1,8 В. LM3691 Доска (ы) Полнопен 1, Н.Е. БАК
TS3DDR32611EVM Texas Instruments TS3DDR3261111VM -
RFQ
ECAD 3159 0,00000000 Тел - Коробка Управо TS3DDR 3 В ~ 3,6 В. SpeShiAlnoE nanaзnaeneenee dc/dc, podaчapamaeti Ddr СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1180 1 - - - TS3DDR32611 Доска (ы) Полнопен - -
178040302 Würth Elektronik 178040302 86.0800
RFQ
ECAD 1640 0,00000000 Wyrt эlektronyk Magi -Deй, Vdrm Коробка Актифен 2,95 ~ 6 В. DC/DC, UйDiote -Vniз СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 732-11463 Ear99 8473.30.1180 1 - 4 а 0,8 В ~ 3,6 В. WPMDB1400362Q Доска (ы) 14,4 Полнопен 1, Н.Е. БАК
EV1HMC7846LP45 Analog Devices Inc. EV1HMC7846LP45 -
RFQ
ECAD 8736 0,00000000 Analog Devices Inc. - МАССА Управо - 1 (neograniчennnый) 505-EV1HMC7846LP45 Управо 1
EV8715-L-00A Monolithic Power Systems Inc. EV8715-L-00a 25.2500
RFQ
ECAD 7574 0,00000000 Monolithic Power Systems Inc. - Коробка Актифен 5 n 21 В. - DC/DC, UйDiote -Vniз СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 1589-EV8715-L-00a 1 500 kgц 4 а 1,2 В. MP8715 Доска (ы) Полнопен 1, Н.Е. БАК
SCP-LT8609S-IEVALZ Analog Devices Inc. SCP-LT8609S-IEVALZ 58.8500
RFQ
ECAD 5026 0,00000000 Analog Devices Inc. SCP МАССА Актифен 5,5 В ~ 42 В. - DC/DC, UйDiote -Vniз СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8504.40.9580 1 2 мг 2A -5V LT8609S Доска (ы) Полнопен 1, Н.Е. БАК
DCD300P280T500A40 Vicor Corporation DCD300P280T500A40 1.0000
RFQ
ECAD 6174 0,00000000 Vicor Corporation VI Chip® DCM® Коробка Актифен DCD300P 200 В ~ 420 В. DC/DC, UйDiote -Vniз СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 1102-5417 Ear99 8473.30.1180 1 - 17.86a 28 DCM300P280X500A40 Доска (ы) 500 Вт Полнопен 1, Иолирована БАК
TPS65030EVM-162 Texas Instruments TPS65030EVM-162 50.4500
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Тел - МАССА Управо TPS650 3 n 5,25. DC/DC, ваш СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1180 1 1 мг 200 май, 100 май, 60 май, 22 мая 1,5, 1,8 В, 3,3 В, 5 TPS65030 Доска (ы) Полнопен 4, Н.Е. БАК
AEK-POW-L5964V1 STMicroelectronics AEK-POW-L5964V1 85 8500
RFQ
ECAD 18 0,00000000 Stmicroelectronics - МАССА Актифен Aek-pow 6- ~ 14 В. DC/DC, UйDiote -Vniз СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1180 1 - 3а, 3а 3,3 В ~ 11 В. L5964 Доска (ы) Полнопен 2, Н.Е. БАК
ISL91107IRN-EVZ Renesas Electronics America Inc ISL91107IRN-EVZ 29 6200
RFQ
ECAD 6393 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - МАССА Актифен ISL91107 1,8 В ~ 5,5 В. Dc/dc, шagerх иливни СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1180 1 2,5 мг 2A 3,3 В. ISL91107ir Доска (ы) Полнопен 1, Н.Е. Buck-boost
MIC2208YML-EV Microchip Technology MIC2208YML-EV -
RFQ
ECAD 5823 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Коробка Пркрэно 2,7 В ~ 5,5 В. DC/DC, UйDiote -Vniз СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1180 1 1 мг 3A 1,8 В. MIC2208 Доска (ы) Полнопен 1, Н.Е. БАК
IRDC3037A Infineon Technologies IRDC3037A -
RFQ
ECAD 6872 0,00000000 Infineon Technologies - Коробка Управо 4 В ~ 25 В. DC/DC, UйDiote -Vniз СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH *IRDC3037A Ear99 8542.39.0001 1 400 kgц - - IRU3037A Доска (ы) Полнопен 1, Н.Е. БАК
LM5025EVAL/NOPB Texas Instruments LM5025EVAL/NOPB -
RFQ
ECAD 9241 0,00000000 Тел - МАССА Управо LM5025 36 В ~ 72 В. DC/DC, UйDiote -Vniз СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1180 1 230 кг 30 часов 3,3 В. LM5025 Доска (ы) Полнопен 1, Н.Е. БАК
EV8869S-L-00A Monolithic Power Systems Inc. Ev8869s-l-00a 25.2500
RFQ
ECAD 7506 0,00000000 Monolithic Power Systems Inc. - Коробка В аспекте 2,85 В ~ 18 - DC/DC, UйDiote -Vniз СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 1589-EV8869S-L-00a 1 - 12A 1V MP8869S Доска (ы) Полнопен 1, Н.Е. БАК
TEA1833DB1361UL NXP USA Inc. Tea1833db1361ul 338.5100
RFQ
ECAD 7629 0,00000000 NXP USA Inc. - МАССА Актифен Ч1833 90 ~ 264 ВИД Ac/dc, првинажа Сророна СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 935307541598 Ear99 8504.40.9510 1 - - 19.5V Ч1833 Доска (ы) 45 Вт Полнопен 1, Н.Е. LeTASHIй
EVB_RT8008GB Richtek USA Inc. Evb_rt8008gb 43 7500
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Richtek USA Inc. - МАССА Актифен RT8008 2,5 В ~ 5,5. DC/DC, UйDiote -Vniз СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH -EVB_RT8008GB 3B992 8534.00.0020 1 1,5 мг 600 май 1,2 В. RT8008 Доска (ы) Полнопен 1, Н.Е. БАК
OM13577,598 NXP USA Inc. OM13577 598 -
RFQ
ECAD 3730 0,00000000 NXP USA Inc. - Коробка Управо 2,5 В ~ 5,25. Dc/dc, шagerх СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1180 1 3 мг 500 май PCA9410A Доска (ы) Полнопен 1, Н.Е. SPOSOBSTWOWATH ROOSTU
ADP5037CP-EVALZ Analog Devices Inc. ADP5037CP-Evalz 63 5400
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Analog Devices Inc. - МАССА Актифен ADP5037 2,3 В ~ 5,5 В. DC/DC, ваш СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1180 1 3 мг 800 май, 800 май, 300 май, 300 матов - ADP5037 Доска (ы) Полнопен 4, Н.Е. БАК
STEVAL-VP26K02F STMicroelectronics Steval-Vp26k02f 46.7100
RFQ
ECAD 7 0,00000000 Stmicroelectronics - МАССА Актифен Степень 50 ~ 290 Vac Ac/dc, првинажа Сророна СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.40.9540 1 - 700 май, 200 мая 6 В, 12 В. Viper267kdtr Доска (ы) 9,6 Полнопен 2, Иолирована LeTASHIй
LMR64010XMFDEMO/NOPB Texas Instruments LMR64010XMFDEMO/NOPB 24.0000
RFQ
ECAD 8 0,00000000 Тел Simple Switcher® Коробка Актифен LMR64010 2,7 В. Dc/dc, шagerх СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 9030.90.6600 1 1,6 мг 125 май 24 LMR64010 Доска (ы) Полнопен 1, Н.Е. SPOSOBSTWOWATH ROOSTU
PI3740-00-EVAL2 Vicor Corporation PI3740-00-eval2 53 3400
RFQ
ECAD 1057 0,00000000 Vicor Corporation - МАССА Актифен PI3740 8 В ~ 60 В. Dc/dc, шagerх иливни - Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8504.40.9580 1 1 мг 7.42A 10 В ~ 50 В. PI3740-00 Доска (ы) Полнопен 1, Н.Е. Buck-boost
BD7F100HFN-EVK-003 Rohm Semiconductor BD7F100HFN-EVK-003 112,5000
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor - Коробка Актифен BD7F100 24 - DC/DC, UйDiote -Vniз СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.40.9580 1 400 kgц 165MA, 165MA ± 15 В. BD7F100 Доска (ы) Полнопен 2, Иолирована LeTASHIй
LM536033EVM Texas Instruments LM536033EVM 58,8000
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Тел - МАССА Актифен LM536033 3,9 В ~ 36 В. DC/DC, UйDiote -Vniз СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 296-46735 Ear99 8473.30.1180 1 2,1 мг 3A 3,3 В. LM536033 Доска (ы) Полнопен 1, Н.Е. БАК
NCP3101BUCK2GEVB onsemi NCP3101BUCK2GEVB -
RFQ
ECAD 6788 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо NCP3101 DC/DC, UйDiote -Vniз СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH NCP3101BUCK2GEVBOS Ear99 9030.82.0000 1 - 6A 1,5 В. NCP3101 Доска (ы) Полнопен 1, Н.Е. БАК
ADM00414 Microchip Technology ADM00414 -
RFQ
ECAD 8310 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Коробка Управо 6 В ~ 24 В. DC/DC, UйDiote -Vniз СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1180 1 1 мг 1A MCP16321 Доска (ы) Полнопен 1, Н.Е. БАК
TPS65233EVM Texas Instruments TPS6523333VM 58,8000
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Тел - Коробка Актифен TPS65233 4,5 В ~ 16 В. Dc/dc, шagerх СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1180 1 500 kgц - - TPS65233 Доска (ы) Полнопен 1, Н.Е. SPOSOBSTWOWATH ROOSTU
DC650A Analog Devices Inc. DC650A 170.9900
RFQ
ECAD 7060 0,00000000 Analog Devices Inc. - Коробка Актифен DC650 3 В ~ 80 В. DC/DC, UйDiote -Vniз СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH -2735-DC650A Ear99 8473.30.1180 1 - 50 май 1,22 В ~ 60 В. LT3010 Доска (ы) Полнопен 1, Н.Е. БАК
DCD48AP280T320A50 Vicor Corporation DCD48AP280T320A50 -
RFQ
ECAD 1006 0,00000000 Vicor Corporation VI Chip® DCM® Коробка Управо DCD48AP 36 В ~ 75 В. DC/DC, UйDiote -Vniз СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1180 1 - 11.43a 28 DCM48AP280X320A50 Доска (ы) 320 Вт Полнопен 1, Иолирована БАК
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе