SIC
close

Vыprahytegeli (74344)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
SK26Q-LTP Micro Commercial Co SK26Q-LTP 0,3900
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 МИКРОМЕР СО Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB ШOTKIй DO-214AA (SMB) - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 2 a 100 мк -пр. 60 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 95pf @ 4V, 1 мгест
MURS360BF Yangjie Technology MURS360BF 0,1010
RFQ
 ECAD 500 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-MURS360BFTR Ear99 5000
SS38B Yangjie Technology SS38B 0,0540
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-SS38btr Ear99 3000
MURS320BF Yangjie Technology MURS320BF 0,1520
RFQ
 ECAD 500 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-MURS320BFTR Ear99 5000
BZT52C33SQ Yangjie Technology BZT52C33SQ 0,0270
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-BZT52C33SQTR Ear99 3000
MBR1060CDS Yangjie Technology MBR1060CDS 0,2050
RFQ
 ECAD 250 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен MBR106 - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-MBR1060CDSTR Ear99 2500
SL26 Yangjie Technology SL26 0,0470
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-Sl26tr Ear99 3000
BZX84C33WQ Yangjie Technology BZX84C33WQ 0,0280
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-BZX84C33WQTR Ear99 3000
MURB1620CT Yangjie Technology Murb1620ct 0,3950
RFQ
 ECAD 100 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Станода D2Pak - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-Murb1620CTTR Ear99 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 16A 950 мВ @ 8 a 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
MF120DU12FJ Yangjie Technology MF120DU12FJ 20.4720
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Yangjie Technology - МАССА Актифен ШASCI SOT-227-4 Станода SOT-227 - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-MF120DU12FJ Ear99 25 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 2 neзaviymый 1200 60A 2.15 V @ 60 A 90 млн 500 мк. -40 ° С ~ 150 ° С.
MBRL20200CT-BP Micro Commercial Co MBRL20200CT-BP 0,5128
RFQ
 ECAD 4564 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен Чereз dыru 220-3 MBRL20200 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА 353-MBRL20200CT-BP Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 20 часов 880mw @ 10 a 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
V20DM153CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20DM153CHM3/I. 0,6015
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер ДО 263-3, ВАРИАНТ D²PAK (2 головы + вкладка) ШOTKIй TO-263AC (SMPD) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 112-V20DM153CHM3/ITR Ear99 8541.10.0080 2000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 150 10 часов 980 мВ @ 10 a 100 мк. -40 ° C ~ 175 ° C.
MBRBL20150CT-TP Micro Commercial Co MBRBL20150CT-TP 0,7653
RFQ
 ECAD 1361 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRBL20150 ШOTKIй D2Pak СКАХАТА 353-MBRBL20150CT-TP Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 150 20 часов 840 мВ @ 10 a 50 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
BAS16T116 Rohm Semiconductor BAS16T116 -
RFQ
 ECAD 9143 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS16 Станода SSD3 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-BAS16T116TR Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 80 1,2 Е @ 100 мая 4 млн 100 Na @ 70 150 ° С 100 май 3,5pf @ 6V, 1 мгновение
UF302G_R2_00001 Panjit International Inc. UF302G_R2_00001 0,3700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй UF302 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 3757-UF302G_R2_00001CT Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1 V @ 3 a 50 млн 1 мка, 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 75pf @ 4v, 1 мгха
MBR40100CTH-BP Micro Commercial Co MBR40100CTH-BP 0,8659
RFQ
 ECAD 5031 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен Чereз dыru 220-3 MBR40100 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА 353-MBR40100CTH-BP Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) - 100 40a 850 м. @ 20 a 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 175 ° C.
DAN217-TP Micro Commercial Co Dan217-TP 0,0363
RFQ
 ECAD 7555 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 ДАН217 Станода SOT-23 СКАХАТА 353-DAN217-TP Ear99 8541.10.0070 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 -й 80 100 май 1,2 Е @ 100 мая 4 млн 100 Na @ 70 -40 ° С ~ 150 ° С.
RB075BGE40STL Rohm Semiconductor RB075BGE40STL 1.5500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 RB075 ШOTKIй 252GE СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 750 м. @ 5 a 5 мка 40, 150 ° С 5A -
SK1020D2 Diotec Semiconductor SK1020D2 0,5691
RFQ
 ECAD 1806 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Трубка Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-SK1020D2 8541.10.0000 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 550 м. @ 10 a 120 мк. -50 ° C ~ 150 ° C. 10 часов -
S4D02120E SMC Diode Solutions S4D02120E 1.7700
RFQ
 ECAD 1508 0,00000000 SMC Diode Solutions - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 S4D0212 Sic (kremniewый karbid) Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2500 Верниони -весановейн> 500 май (io) 1200 1,8 В @ 2 a 0 м 10 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 2A 116pf @ 0V, 1 мгест
VS-30CTH02STRRHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTH02STRRHM3 2.6100
RFQ
 ECAD 5138 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, Fred PT® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 30cth02 Станода TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 15A 1,05 В @ 15 A 30 млн 10 мк. -55 ° C ~ 175 ° C.
PMEG4005CT-QR Nexperia USA Inc. PMEG4005CT-QR 0,0843
RFQ
 ECAD 8236 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 ШOTKIй TO-236AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1727-PMEG4005CT-QRTR Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 40 500 май 470 мВ @ 500 мая 13 млн 100 мка 40, 150 ° С
MF400K06F3 Yangjie Technology MF400K06F3 22.3790
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Yangjie Technology - МАССА Актифен ШASCI F3 Модуль Станода F3 - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-MF400K06F3 Ear99 10 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 600 200a 1,25 w @ 200 a 130 млн 1 мая @ 600 -40 ° С ~ 150 ° С.
MBR3035PT Fairchild Semiconductor MBR3035PT -
RFQ
 ECAD 9503 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 ШOTKIй 12 с СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 35 30A 760 мВ @ 30 a 1 май @ 35 -65 ° С ~ 150 ° С.
BAS40-06HYFHT116 Rohm Semiconductor BAS40-06HYFHT116 0,5000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 ШOTKIй SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 1 пар 40 120 май (DC) 1 V @ 40 май 10 мка 40, 150 ° С
BZT52C5V1Q Yangjie Technology BZT52C5V1Q 0,0240
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-BZT52C5V1QTR Ear99 3000
SM5404 Diotec Semiconductor SM5404 0,1081
RFQ
 ECAD 7483 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-213AB, MELF Станода Melf do-213ab СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-SM5404TR 8541.10.0000 5000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1,2 V @ 3 a 1,5 мкс 5 мка 400 -50 ° C ~ 175 ° C. 3A -
NRTS6100TFSTWG onsemi NRTS6100TFSTWG 0,2249
RFQ
 ECAD 9932 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 8-powerwdfn ШOTKIй 8-WDFN (3,3x3,3) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 680 мВ @ 6 a 50 мк -4 100 -55 ° C ~ 175 ° C. 6A 782pf @ 1V, 1 мг
B340LB-M3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division B340LB-M3/52T 0,1460
RFQ
 ECAD 8991 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB B340 ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 750 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 450 мВ @ 3 a 400 мкр 40, -65 ° С ~ 150 ° С. 3A -
SF31G-BP Micro Commercial Co SF31G-BP 0,1454
RFQ
 ECAD 9253 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SF31 Станода Do-201ad СКАХАТА 353-SF31G-BP Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 950 мВ @ 3 a 35 м 5 мка прри 50 -65 ° С ~ 150 ° С. 3A 50pf @ 4V, 1 мгест
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть