SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (Dollar) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Nabahuvый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
JANTXV1N5802/TR Microchip Technology Jantxv1n5802/tr 11.4450
RFQ
 ECAD 1686 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/477 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru А, осево Станода А, осево СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 150 Jantxv1n5802/tr Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 875 MV @ 1 A 25 млн 1 мка При 50 В -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 25pf @ 10 v, 1 мг
RS1KHE3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division Rs1khe3/5at -
RFQ
 ECAD 2852 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-214AC, SMA RS1K Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,3 V @ 1 a 500 млн 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 7pf @ 4V, 1 мгха
VS-87HFL100S05 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-87HFL100S05 17.2573
RFQ
 ECAD 2125 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Актифен ШAsci, Стало Do-203ab, do-5, Stud 87HFL100 Станода Do-203ab (do-5) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VS87HFL100S05 Ear99 8541.10.0080 100 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1,2 - @ 267 A -65 ° C ~ 180 ° C. 85а -
JANTX1N3600/TR Microchip Technology Jantx1n3600/tr 4.1895
RFQ
 ECAD 5710 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/231 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй Станода DO-35 (DO-204AH) - Rohs3 DOSTISH 150-Jantx1n3600/tr Ear99 8541.10.0070 1 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 50 1 V @ 200 MMA 4 млн 100 na @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C. 200 май -
VS-VS19CDR04L Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VS19CDR04L -
RFQ
 ECAD 7468 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Прохл VS19 - 112-VS-VS19CDR04L 1
G5S06510DT Global Power Technology Co. Ltd G5S06510DT -
RFQ
 ECAD 2481 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - МАССА Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Sic (kremniewый karbid) 263 - Продан 4436-G5S06510DT 1 Верниони -весановейн> 500 май (io) 650 1,5 - @ 10 a 0 м 50 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 38а 645pf @ 0V, 1 мгха
10A02-AP Micro Commercial Co 10A02-AP 0,2463
RFQ
 ECAD 6518 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА В аспекте Чereз dыru R-6, osevoй 10A02 Станода R-6 СКАХАТА 353-10A02-AP Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1 V @ 10 A 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов 150pf @ 4V, 1 мгест
MER2DAFC_R1_00701 Panjit International Inc. MER2DAFC_R1_00701 0,4800
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds Mer2d Станода SMAF-C СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-MER2DAFC_R1_00701DKR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 2 a 35 м 1 мка, 200 -55 ° C ~ 175 ° C. 2A 25pf @ 4V, 1 мгха
1N5397GP-BP Micro Commercial Co 1N5397GP-BP 0,0950
RFQ
 ECAD 5576 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 1n5397 Станода ДО-15 СКАХАТА 353-1N5397GP-BP Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1,4 Е @ 1,5 А 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 15pf @ 4V, 1 мг
SB1A40CH_R1_00001 Panjit International Inc. SB1A40CH_R1_00001 0,0405
RFQ
 ECAD 5369 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-90, SOD-323F SB140 ШOTKIй SOD-323HE СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 290 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 620 мв 1,5 а 50 мка 40, -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а -
WNSC5D066506Q WeEn Semiconductors WNSC5D066506Q -
RFQ
 ECAD 6859 0,00000000 Weenpoluprovodonnyki - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 WNSC5 Sic (kremniewый karbid) ДО-220AC - 1740-WNSC5D066506Q Ear99 8541.10.0080 1 Верниони -весановейн> 500 май (io) 650 1,7 - @ 6 a 0 м 30 мк @ 650 -55 ° C ~ 175 ° C. 6A 201pf @ 1V, 1 мгха
CGRAT103L-HF Comchip Technology CGRAT103L-HF -
RFQ
 ECAD 4697 0,00000000 Комхип - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер 2-SMD, neTLIDERSTVA Станода 2010/DO-214AC СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 641-CGRAT103L-HFTR Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 930 мВ @ 1 a 5 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 8.2pf @ 4V, 1 мгест
JAN1N3957/TR Microchip Technology Январь 3957/tr 6.3900
RFQ
 ECAD 9095 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/228 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru А, осево Станода А, осево СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 150 января 3957/tr Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 1 a 100 мк @ 300 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A -
SR303-TP Micro Commercial Co SR303-TP 0,1168
RFQ
 ECAD 7838 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR303 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА 353-SR303-TP Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 500 м. @ 3 a 500 мк. -50 ° C ~ 125 ° C. 3A 180pf @ 4V, 1 мгха
SS33AQ Yangjie Technology SS33AQ 0,0960
RFQ
 ECAD 750 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-SS33AQTR Ear99 7500
MURS260BF Yangjie Technology Murs260bf 0,0840
RFQ
 ECAD 500 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-MURS260BFTR Ear99 5000
FR307 Yangjie Technology FR307 0,1030
RFQ
 ECAD 125 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй Станода Do-201ad - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-FR307TB Ear99 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1.3 V @ 3 a 500 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 65pf @ 4V, 1 мгест
BAS40W_R1_00001 Panjit International Inc. BAS40W_R1_00001 0,1900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 BAS40 ШOTKIй SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-BAS40W_R1_00001DKR Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 40 1 V @ 40 май 1 мка 4 25 -55 ° C ~ 150 ° С. 200 май 5pf @ 0v, 1 мгц
R31120 Microchip Technology R31120 49.0050
RFQ
 ECAD 4322 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * МАССА Актифен - DOSTISH 150-R31120 1
ST860STR SMC Diode Solutions ST860str 0,2900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 SMC Diode Solutions - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn ШOTKIй ДО-277B - 5009-St860str Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 610 мВ @ 8 a 600 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 8. 502pf @ 5V, 1 мгха
S5JH Taiwan Semiconductor Corporation S5JH 0,2267
RFQ
 ECAD 9566 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-S5JHTR Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1,15 Е @ 5 a 1,5 мкс 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 60pf @ 4V, 1 мгест
ES3D-M3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES3D-M3/57T 0,5700
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC Es3d Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 900 мВ @ 3 a 30 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 45pf @ 4V, 1 мгест
V2F22-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V2F22-M3/I. 0,1238
RFQ
 ECAD 7416 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB ШOTKIй DO-219AB (SMF) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 112-V2F22-M3/ITR Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 870 мВ @ 2 a 60 мка При 200 -40 ° C ~ 175 ° C. 2A 160pf @ 4V, 1 мгха
BY880-1200 Diotec Semiconductor By880-1200 0,3141
RFQ
 ECAD 3807 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй Станода ДО-2011 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-BY880-1200TR 8541.10.0000 1250 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1200 1.1 V @ 8 A 1,5 мкс 5 мка @ 1200 -50 ° C ~ 175 ° C. 8. -
1N5623US/TR Microchip Technology 1n5623us/tr 8.3550
RFQ
 ECAD 5723 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SQ-Melf, A Станода D-5A - Rohs3 DOSTISH 150-1n5623us/tr Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,6 V @ 3 a 500 млн 500 NA @ 1 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 15pf @ 12v, 1 мг
US2C-TP Micro Commercial Co US2C-TP 0,0783
RFQ
 ECAD 8737 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен Пефер DO-214AA, SMB US2C Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА 353-US2C-TP Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 1 V @ 2 A 50 млн 5 мк -прри 150 -50 ° C ~ 150 ° C. 2A 28pf @ 4V, 1 мгха
MURS3JBFL-TP Micro Commercial Co Murs3jbfl-tp 0,1955
RFQ
 ECAD 4766 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен Пефер DO-221AA, Plat Plat Heds SMB Murs3 Станода SMBF СКАХАТА 353-MURS3JBFL-TP Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,25 В @ 3 a 50 млн 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 55pf @ 4V, 1 мгха
BAT54LP-7B-2477 Diodes Incorporated BAT54LP-7B-2477 -
RFQ
 ECAD 7166 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Прохл Пефер 0402 (1006 МЕТРИКА) ШOTKIй X1-DFN1006-2 - 31-BAT54LP-7B-2477 1 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 30 1 V @ 100 май 5 млн 2 мка 4 25 -65 ° C ~ 125 ° C. 200 май 10pf @ 1V, 1 мгха
G3S065100P Global Power Technology Co. Ltd G3S065100P -
RFQ
 ECAD 2794 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - МАССА Актифен Чereз dыru ДО-247-2 Sic (kremniewый karbid) ДО-247AC - Продан 4436-G3S065100P 1 Верниони -весановейн> 500 май (io) 650 1,7 - @ 40 a 0 м 50 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 40a 13500pf @ 0V, 1 мгха
SE40PWGCHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Se40pwgchm3/i 0,2500
RFQ
 ECAD 2543 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, ESMP® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 SE40 Станода Слимдпак СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 112-se40pwgchm3/itr Ear99 8541.10.0080 4500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1.1 V @ 2 A 1,5 мкс 10 мка 400 -55 ° C ~ 175 ° C. 2A 14pf @ 4V, 1 мгха
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть