SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (Dollar) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Nabahuvый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
BAS70W-QF Nexperia USA Inc. BAS70W-QF 0,0434
RFQ
 ECAD 6801 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 ШOTKIй SOT-323 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1727-BAS70W-QFTR Ear99 8541.10.0070 10000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 70 1 V @ 15 мая 10 мк. 150 ° С 70 май 2pf @ 0v, 1 мгест
GP30DHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP30DHE3/54 -
RFQ
 ECAD 8818 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru Do-201ad, Osevoй GP30 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1400 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1.1 V @ 3 a 5 мкс 5 мка При 200 -65 ° C ~ 175 ° C. 3A -
SS36AQ Yangjie Technology SS36AQ 0,1050
RFQ
 ECAD 500 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-SS36AQTR Ear99 5000
GPD2006C-TP Micro Commercial Co GPD2006C-TP 0,7500
RFQ
 ECAD 7320 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 GPD2006 Станода DPAK (DO 252) СКАХАТА 353-GPD2006C-TP Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 20 a 5 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 20 часов -
BAS20,235 Nexperia USA Inc. BAS20,235 0,1500
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 Bas20 Станода TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 10000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 150 1,25 Е @ 200 Ма 50 млн 100 Na @ 150 150 ° C (MMAKS) 200 май 5pf @ 0v, 1 мгц
SA263 Diotec Semiconductor SA263 0,2003
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-213AB, MELF Станода Melf do-213ab СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-SA263TR 8541.10.0000 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1600 v 1,8 В @ 2 a 500 млн 5 мка @ 1600 -50 ° C ~ 175 ° C. 2A -
SGL34-60 Diotec Semiconductor SGL34-60 0,0829
RFQ
 ECAD 9998 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-213AA ШOTKIй DO-213AA, мини-серрид СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-SGL34-60TR 8541.10.0000 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 600 мВ @ 500 мая 500 мк. -50 ° C ~ 150 ° C. 500 май -
MUR305S R6G Taiwan Semiconductor Corporation MUR305S R6G -
RFQ
 ECAD 7393 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-MUR305SR6GTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 875 MV @ 3 A 25 млн 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 175 ° C. 3A -
ES1DFSH Taiwan Semiconductor Corporation Es1dfsh 0,1131
RFQ
 ECAD 6860 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 Станода SOD-128 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-ES1DFSHTR Ear99 8541.10.0080 14 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 1 a 35 м 1 мка, 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 18pf @ 4V, 1 мгха
1N5711UB/TR Microchip Technology 1N5711UB/tr 23.5500
RFQ
 ECAD 1878 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 3-SMD, neTLIDERSTVA ШOTKIй Ub - 100 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 50 1 V @ 15 мая 200 na @ 50 v -65 ° С ~ 150 ° С. 33 май 2pf @ 0v, 1 мгест
RS1BLH Taiwan Semiconductor Corporation Rs1blh 0,1815
RFQ
 ECAD 2059 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-RS1blhtr Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,3 - @ 800 мая 150 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
SR1200-AP Micro Commercial Co SR1200-AP 0,0484
RFQ
 ECAD 1289 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SR1200 ШOTKIй DO-41 СКАХАТА 353-SR1200-AP Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 900 мВ @ 1 a 200 мк @ 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
TUAS3DH Taiwan Semiconductor Corporation Tuas3dh 0,1776
RFQ
 ECAD 6722 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn Tuas3 Станода TO-277A (SMPC4.6U) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801 Tuas3dhtr Ear99 8541.10.0080 6000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1.1 V @ 3 a 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 27pf @ 4V, 1 мгха
PMEG3005EGW-QX Nexperia USA Inc. PMEG3005EGW-QX 0,0628
RFQ
 ECAD 9066 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 PMEG3005 ШOTKIй SOD-123 СКАХАТА 1727-PMEG3005EGW-QXTR Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 430 мВ @ 500 150 мкр 30 150 ° С 500 май 55pf @ 1V, 1 мгест
SD101BWS-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD101BWS-E3-18 0,3500
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-76, SOD-323 SD101 ШOTKIй SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 10000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 50 950 мВ @ 15 мая 1 млн 200 na @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C. 30 май 2.1pf @ 0V, 1 мгест
BAT54-QVL Nexperia USA Inc. BAT54-QVL 0,0232
RFQ
 ECAD 5121 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 ШOTKIй TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 10000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 30 800 мВ @ 100 мая 5 млн 2 мка 4 25 150 ° С 200 май 10pf @ 1V, 1 мгха
SJPA-H3 Sanken SJPA-H3 -
RFQ
 ECAD 3423 0,00000000 САНКЕН - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 2-SMD, J-Lead SJPA ШOTKIй SMD - ROHS COMPRINT 1261-SJPA-H3TR Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 360 мВ @ 2 a 3 мая @ 30 -40 ° C ~ 125 ° C. 2A -
CDBC3150LR-HF Comchip Technology CDBC3150LR-HF 0,2683
RFQ
 ECAD 1559 0,00000000 Комхип - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC CDBC3150 ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 820 мВ @ 3 a 500 мк. -50 ° C ~ 175 ° C. 3A 250pf @ 4V, 1 мгест
W0642WC160 IXYS W0642WC160 -
RFQ
 ECAD 1909 0,00000000 Ixys - Коробка Пркрэно Зaжimatth Do-200ab, a-puk W0642 Станода W1 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 238-W0642WC160 Ear99 8541.10.0080 24 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1600 v 2.37 V @ 1900 A 15 мкс 15 май @ 1600 -40 ° C ~ 180 ° C. 642а -
RB751V-40Q Yangjie Technology RB751V-40Q 0,0220
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен RB751 - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-RB751V-40QTR Ear99 3000
SK58AFL-TP Micro Commercial Co SK58AFL-TP 0,0922
RFQ
 ECAD 2348 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds SK58 ШOTKIй DO-221AC (SMA-FL) СКАХАТА 353-SK58AFL-TP Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 80 850 м. @ 5 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 170pf @ 4V, 1 мгха
MBRD1545-TP Micro Commercial Co MBRD1545-TP 0,4186
RFQ
 ECAD 1538 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 MBRD1545 ШOTKIй DPAK (DO 252) СКАХАТА 353-MBRD1545-TP Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 630 мВ @ 15 A 100 мка 45 -55 ° C ~ 150 ° С. 15A -
SIDC08D60C8X7SA1 Infineon Technologies SIDC08D60C8X7SA1 -
RFQ
 ECAD 5224 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Актифен Пефер Умират SIDC08 Станода Умират - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1,95 В @ 30 a 27 мк -40 ° C ~ 175 ° C. 30A -
HRW0202ATR-E Renesas Electronics America Inc HRW0202ATR-E 0,1000
RFQ
 ECAD 82 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.10.0070 3000
HER156GH Taiwan Semiconductor Corporation HER156GH 0,1203
RFQ
 ECAD 5096 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-HER156GHTR Ear99 8541.10.0080 3500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 1,5 а 75 м 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 20pf @ 4V, 1 мгха
XBF10A40S-G Torex Semiconductor Ltd XBF10A40S-G -
RFQ
 ECAD 7171 0,00000000 Torex Semiconductor Ltd - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds XBF10A40 Станода SMAF СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,25 - @ 1 a 35 м 1 мка 400 150 ° С 1A 15pf @ 4V, 1 мг
S1M-13-F-52 Diodes Incorporated S1M-13-F-52 0,0446
RFQ
 ECAD 4453 0,00000000 Дидж - МАССА Актифен Пефер DO-214AC, SMA S1M Станода СМА СКАХАТА 31-S1M-13-F-52 Ear99 8541.10.0080 5000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 1 a 1,3 мкс 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
R4000GPS-AP Micro Commercial Co R4000GPS-AP 0,1600
RFQ
 ECAD 5666 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй R4000 Станода DO-41 СКАХАТА 353-R4000GPS-AP Ear99 8541.10.0070 1 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 4000 3,5 В @ 500 мая 1,2 мкс 5 мка 4000 -55 ° C ~ 150 ° С. 200 май -
SF13-BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. SF13-Bulk 0,2100
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 EIC Semiconductor Inc. - Симка Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй Станода DO-41 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DoStiчsh и napormaцiю, dostupnuюpo зaprosue 2439-SF13-Bulk 8541.10.0000 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 1 a 35 м 5 мк -прри 150 -65 ° С ~ 150 ° С. 1A 50pf @ 4V, 1 мгест
SK310BHE3-LTP Micro Commercial Co SK310BHE3-LTP 0,5800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 МИКРОМЕР СО Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB SK310 ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 353-SK310BHE3-LTPTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 мВ @ 3 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 125pf @ 0v, 1 мгест
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть