SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж DOSTISHATH Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
RA203220XX Powerex Inc. RA203220xx 392.6700
RFQ
 ECAD 5442 0,00000000 Powerex Inc. - МАССА Актифен ШASCI DO-200AD RA203220 Станода POW-R-DISC СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 3200 В. 1,45 Е @ 3000 А 25 мкс 200 мая @ 3200 2000a -
MBRF1090HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1090HC0G -
RFQ
 ECAD 3036 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Пркрэно Чereз dыru 220-2 MBRF1090 ШOTKIй ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 850 мВ @ 10 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов -
S504100TS Microchip Technology S504100ST 158.8200
RFQ
 ECAD 8630 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Стало Do-205ab, do-9, Stud Станода DO-205AB (DO-9) - DOSTISH 150-S504100ST Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1,25 В @ 1000 А 75 мк -пр. 1000 -65 ° C ~ 200 ° C. 300A -
UES1301 Solid State Inc. UES1301 3.9330
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Solid State Inc. - МАССА Актифен Чereз dыru Оос Станода Оос СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-US1301 Ear99 8541.10.0080 10 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 925 мВ @ 6 a 30 млн 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 175 ° C. 6A -
GPP60BHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GPP60BHE3/54 -
RFQ
 ECAD 9507 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru P600, OSEVOй GPP60 Станода P600 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1.1 V @ 6 a 5,5 мкс 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 175 ° C. 6A -
VS-50PFR140 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-50PFR140 5.4246
RFQ
 ECAD 9920 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Актифен ШAsci, Стало Do-203ab, do-5, Stud 50pfr140 Ставень, обратно Do-203ab (do-5) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VS50PFR140 Ear99 8541.10.0080 100 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1400 1,5 В @ 125 А -55 ° C ~ 160 ° C. 50 часов -
US2JA-TP Micro Commercial Co US2JA-TP 0,4900
RFQ
 ECAD 9385 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA US2J Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 2 a 75 м 5 мк. -50 ° C ~ 150 ° C. 2A 28pf @ 4V, 1 мгха
S8MC R6G Taiwan Semiconductor Corporation S8MC R6G -
RFQ
 ECAD 5712 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-S8MCR6GTR Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 985 MV @ 8 A 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 8. 48pf @ 4V, 1 мгха
BAS86-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS86-GS18 0,4100
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BAS86 ШOTKIй SOD-80 Минимум СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 10000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 50 900 мВ @ 100 мая 5 млн 5 мка 40, 125 ° C (MMAKS) 200 май 8pf @ 1V, 1 мгест
D820N24TXPSA1 Infineon Technologies D820N24TXPSA1 -
RFQ
 ECAD 9467 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Управо ШASCI DO-200AA, A-Puk D820N24 Станода - СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.10.0080 12 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 2400 1,25 В @ 750 a 40 май @ 2400 -40 ° C ~ 180 ° C. 820A -
SK54 SMC Diode Solutions SK54 0,4100
RFQ
 ECAD 410 0,00000000 SMC Diode Solutions - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC SK54 ШOTKIй SMC (DO-214AB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 650 мВ @ 5 a 1 май @ 40 -55 ° C ~ 150 ° С. - 150pf @ 4V, 1 мгест
ER3DB-TP Micro Commercial Co ER3DB-TP 0,4200
RFQ
 ECAD 43 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB Er3d Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 3 a 35 м 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 45pf @ 4V, 1 мгест
1N5822-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5822-E3/73 0,4400
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Веса Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй 1n5822 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 525 м. @ 3 a 2 мая @ 40 -65 ° C ~ 125 ° C. 3A -
SMS190 Diotec Semiconductor SMS190 0,1201
RFQ
 ECAD 5571 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-213AB, MELF ШOTKIй Melf do-213ab СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-SMS190TR 8541.10.0000 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 790mw @ 1 a 500 мкр. -50 ° C ~ 150 ° C. 1A -
SS14-61HE3J_B/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS14-61HE3J_B/H. -
RFQ
 ECAD 2297 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA SS14 ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 500 мВ @ 1 a 200 мка 40, -65 ° С ~ 150 ° С. 1A -
VS-60APF02-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-60APF02-M3 6.5711
RFQ
 ECAD 3805 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 60APF02 Станода ДО-247AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VS-60APF02-M3GI Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,3 V @ 60 A 180 млн 100 мк. -40 ° С ~ 150 ° С. 60A -
SR345-BP Micro Commercial Co SR345-BP 0,1555
RFQ
 ECAD 9516 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR345 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА 353-Sr345-bp Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 500 м. @ 3 a 500 мкр 45 -50 ° C ~ 125 ° C. 3A 180pf @ 4V, 1 мгха
HER108G Taiwan Semiconductor Corporation HER108G 0,0981
RFQ
 ECAD 4016 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй HER108 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,7 - @ 1 a 75 м 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
G4S12020D Global Power Technology Co. Ltd G4S12020D -
RFQ
 ECAD 4037 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - МАССА Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Sic (kremniewый karbid) 263 - Продан 4436-G4S12020D 1 Верниони -весановейн> 500 май (io) 1200 1,7 - @ 20 a 0 м 50 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 75а 2600pf @ 0V, 1 мгновение
DSB1I40SA IXYS DSB1I40SA -
RFQ
 ECAD 2386 0,00000000 Ixys - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA DSB1I40 ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 480 мВ @ 1 a 100 мка 40, -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
SS310LHRUG Taiwan Semiconductor Corporation SS310lhrug -
RFQ
 ECAD 8029 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS310 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 мВ @ 3 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
SF3001PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SF3001PT C0G -
RFQ
 ECAD 9617 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 SF3001 Станода TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 950 мВ @ 15 A 35 м 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 30A 175pf @ 4V, 1 мгновение
SR340 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd SR340 0,3800
RFQ
 ECAD 6675 0,00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Веса Актифен Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй ШOTKIй Do-201ad (do-27) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 мВ @ 3 a 200 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 3A 180pf @ 4V, 1 мгха
GS2DQ Yangjie Technology GS2DQ 0,0570
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-GS2DQTR Ear99 3000
RB160A90T-32 Rohm Semiconductor RB160A90T-32 -
RFQ
 ECAD 8923 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru DO-41 MINI, OSEVOй RB160 ШOTKIй Мср СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 730 мВ @ 1 a 100 мк. 150 ° C (MMAKS) 1A -
EGP10BEHM3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP10BEHM3/73 -
RFQ
 ECAD 5284 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Superectifier® Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй EGP10 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 950 мВ @ 1 a 50 млн 5 мк -4 100 -65 ° С ~ 150 ° С. 1A 22pf @ 4v, 1 мг
75HQ035 Solid State Inc. 75HQ035 9.6670
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Solid State Inc. - МАССА Актифен Стало Do-203ab, do-5, Stud ШOTKIй До 5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-75HQ035 Ear99 8541.10.0080 10 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 35 710 мВ @ 75 a 5 май @ 35 -65 ° C ~ 175 ° C. 75а 2600pf @ 5V, 1 мгновение
R716 Microchip Technology R716 55 6500
RFQ
 ECAD 6066 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Чereз dыru TO-204AA, TO-3 R716 Станода До 204 года. (DO-3) СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,4 w @ 15 a 200 млн 1 мая @ 600 -65 ° С ~ 150 ° С. 15A -
S21100 Microchip Technology S21100 33 4500
RFQ
 ECAD 7273 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА S21 МАССА Актифен Стало DO-203AA, DO-4, Став S21100 Станода DO-4 (DO-203AA) СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1,2 - @ 30 a 10 мк. -65 ° C ~ 200 ° C. 22A -
GL34A-TP Micro Commercial Co GL34A-TP -
RFQ
 ECAD 1598 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 GL34A Станода Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 2500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1,2 Е @ 500 Ма 5 мка прри 50 -65 ° C ~ 175 ° C. 500 май -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть