SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Верный Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
ER204_R2_00001 Panjit International Inc. ER204_R2_00001 0,0756
RFQ
 ECAD 3840 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй ER204 Станода ДО-15 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-ER204_R2_00001CT Ear99 8541.10.0080 60 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,25 - @ 2 a 35 м 1 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 22pf @ 4v, 1 мг
EGP20DHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP20DHE3/54 -
RFQ
 ECAD 7271 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Superectifier® Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй EGP20 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 4000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 2 a 50 млн 5 мка При 200 -65 ° С ~ 150 ° С. 2A 70pf @ 4V, 1 мгха
KYZ25A4 Diotec Semiconductor KYZ25A4 1.7713
RFQ
 ECAD 500 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен Чereз dыru DO-208AA Станода DO-208 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-KZ25A4 8541.10.0000 500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1.1 V @ 25 A 1,5 мкс 100 мк 400 -50 ° C ~ 175 ° C. 25 а -
VS-VSKE56/12 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKE56/12 35,5210
RFQ
 ECAD 8444 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Актифен ШASCI Add-a-pak (3) VSKE56 Станода Add-a-pak® СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VSVSKE5612 Ear99 8541.10.0080 10 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1200 10 май @ 1200 -40 ° С ~ 150 ° С. 60A -
R7S00808XX Powerex Inc. R7S00808XX -
RFQ
 ECAD 7201 0,00000000 Powerex Inc. - МАССА Актифен Зaжimatth DO-200AA, A-Puk R7S00808 Станода DO-200AA, R62 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1,8 @ 1500 А 10 мкс 50 май @ 800 В 800A -
DSEP8-06A IXYS DSEP8-06A 2.1500
RFQ
 ECAD 46 0,00000000 Ixys Hiperfred ™ Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 DSEP8 Станода ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 2.1 V @ 10 a 35 м 60 мк -пр. 600 -55 ° C ~ 175 ° C. 10 часов -
JANTXV1N6625US/TR Microchip Technology Jantxv1n6625us/tr 21.0750
RFQ
 ECAD 8606 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/585 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SQ-Melf, A Станода D-5A СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 150 Jantxv1n6625us/tr Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1100 1,75 - @ 1 a 60 млн 1 мка @ 1100 -65 ° С ~ 150 ° С. 1A -
JANTXV1N5811/TR Microchip Technology Jantxv1n5811/tr 15.5400
RFQ
 ECAD 9409 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/477 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Б., Ос Станода Б., Ос СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 150 Jantxv1n5811/tr Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 875 MV @ 4 A 30 млн 5 мк -прри 150 -65 ° C ~ 175 ° C. 3A 65pf @ 10V, 1 мгха
ST20100 SMC Diode Solutions ST20100 0,9000
RFQ
 ECAD 542 0,00000000 SMC Diode Solutions - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 ШOTKIй ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 750 м. @ 20 a 1 мая @ 100 -55 ° C ~ 150 ° С. - -
MBRB1090-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1090-M3/4W 0,7447
RFQ
 ECAD 9711 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Трубка Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRB1090 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 800 м. @ 10 A 100 мк -пки 100 -65 ° С ~ 150 ° С. 10 часов -
SK59BHR5G Taiwan Semiconductor Corporation SK59BHR5G -
RFQ
 ECAD 8969 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AA, SMB SK59 ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 850 м. @ 5 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
ACGRAT103L-HF Comchip Technology ACGRAT103L-HF 0,3600
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Комхип Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 2010 (5025 МЕТРИКА) Acgrat103 Станода 2010 ГОД СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 930 мВ @ 1 a 5 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 8.2pf @ 4V, 1 мгест
BZT52B16Q Yangjie Technology BZT52B16Q 0,0260
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-BZT52B16QTR Ear99 3000
R1800 Rectron USA R1800 0,0490
RFQ
 ECAD 7994 0,00000000 Rectron USA - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй Станода DO-41 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2516-R1800TR Ear99 8541.10.0080 20 000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1800 v 1,3 V @ 1 a 5 мка @ 1800 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A -
NTE6163 NTE Electronics, Inc NTE6163 -
RFQ
 ECAD 7696 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Стало DO-203AA, DO-8, Stud Станода Дол СКАХАТА Rohs3 2368-NTE6163 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1400 1.1 V @ 200 a 5 май @ 1400 -65 ° C ~ 190 ° C. 150a -
GKR26/12 GeneSiC Semiconductor GKR26/12 -
RFQ
 ECAD 3728 0,00000000 Genesnыйpoluprovovodonyk - МАССА Управо ШAsci, Стало DO-203AA, DO-4, Став Станода До 4 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 5 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1200 1,55 В @ 60 a 4 мая @ 1200 -40 ° C ~ 180 ° C. 25 а -
SICR101200 SMC Diode Solutions SICR101200 8,2000
RFQ
 ECAD 8479 0,00000000 SMC Diode Solutions - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 Sic (kremniewый karbid) ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1655-1955 Ear99 8541.10.0080 50 Верниони -весановейн> 500 май (io) 1200 1,8 В @ 10 a 0 м 100 мк @ 1200 -55 ° C ~ 175 ° C. 10 часов 640pf @ 0v, 1 мгха
SR340-HF Comchip Technology SR340-HF 0,1602
RFQ
 ECAD 1864 0,00000000 Комхип - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй ШOTKIй DO-27 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 641-SR340-HFTB Ear99 8541.10.0080 1200 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 500 м. @ 3 a 500 мка 40, -50 ° C ~ 150 ° C. 3A 250pf @ 4V, 1 мгест
SK53LHE3-TP Micro Commercial Co SK53LHE3-TP 0,1643
RFQ
 ECAD 4283 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен Пефер DO-214AB, SMC SK53 ШOTKIй SMC (DO-214AB) СКАХАТА 353-SK53LHE3-TP Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 550 м. @ 5 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 200pf @ 4V, 1 мгха
HS5KH Taiwan Semiconductor Corporation HS5KH 0,2928
RFQ
 ECAD 7734 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-HS5KHTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,7 - @ 5 a 75 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 50pf @ 4V, 1 мгест
JANS1N6864US Microchip Technology Jans1n6864us -
RFQ
 ECAD 5994 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/620 МАССА Актифен Пефер SQ-Melf, б ШOTKIй B, SQ-Melf - Rohs DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 80 700 мВ @ 3 a 150 мкр. -65 ° C ~ 125 ° C. 3A -
GS1MFL-TP Micro Commercial Co GS1MFL-TP 0,3400
RFQ
 ECAD 8942 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds GS1M Станода DO-221AC (SMA-FL) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1 V @ 1 A 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
UF4005 Fairchild Semiconductor UF4005 0,0900
RFQ
 ECAD 80 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй UF400 Станода DO-41 СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 3386 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 1 a 75 м 5 мк. -50 ° C ~ 175 ° C. 1A -
SR102H Taiwan Semiconductor Corporation SR102H -
RFQ
 ECAD 4300 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй ШOTKIй DO-204AL (DO-41) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SR102HTR Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 550 мВ @ 1 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 1A -
GS1DE-TP Micro Commercial Co GS1DE-TP -
RFQ
 ECAD 9552 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-214AC, SMA GS1D Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 6000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 2 мкс 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
V12PM153HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V12pm153hm3/h 0,8500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn ШOTKIй TO-277A (SMPC) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 850 м. @ 12 A 150 мкр 150 -40 ° C ~ 175 ° C. 3.7a 820pf @ 4V, 1 мгновение
S1KHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1khe3_a/i 0,4200
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA S1K Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 12pf @ 4V, 1 мгновение
SK1080D1 Diotec Semiconductor SK1080D1 0,2794
RFQ
 ECAD 4719 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 ШOTKIй 252-3, Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-SK1080D1TR 8541.10.0000 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 80 830 м. @ 10 A 200 мка пр. 80 В -50 ° C ~ 150 ° C. 10 часов -
SK35/TR13 Microsemi Corporation SK35/TR13 -
RFQ
 ECAD 3052 0,00000000 Microsemi Corporation * Lenta и катахка (tr) Актифен SK35 - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000
PDS3200Q-13 Diodes Incorporated PDS3200Q-13 1,7000
RFQ
 ECAD 703 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Powerdi ™ 5 PDS3200 ШOTKIй Powerdi ™ 5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 880 мВ @ 6 a 10 мк. -65 ° С ~ 150 ° С. 3A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть