SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
SS34C MDD SS34C 0,2975
RFQ
 ECAD 54 0,00000000 MDD SMC Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер ШOTKIй СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 мВ @ 3 a 500 мка 40, 3A 450pf @ 4V, 1 мгновение
VS-20MQ100NTRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20MQ100NTRPBF 0,9200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA 20mq100 ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 910 мВ @ 2 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 2.1a 38pf @ 10v, 1 мгха
VS-10ETF02STRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10ETF02Strrpbf -
RFQ
 ECAD 6657 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 10etf02 Станода TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Vs10etf02strrpbf Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,2 - @ 10 a 200 млн 100 мк. -40 ° С ~ 150 ° С. 10 часов -
1N4006-N-2-1-BP Micro Commercial Co 1N4006-N-2-1-BP -
RFQ
 ECAD 5877 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4006 Станода DO-41 - Rohs3 1 (neograniчennnый) 1N4006-N-2-1-BPMS Ear99 8541.10.0080 5000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1 V @ 1 A 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
MBRX0560-TP Micro Commercial Co MBRX0560-TP -
RFQ
 ECAD 7547 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SC-76, SOD-323 MBRX0560 ШOTKIй SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 м. @ 500 мая 300 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 500 май -
2A01-TP Micro Commercial Co 2A01-TP -
RFQ
 ECAD 3780 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2A01 Станода ДО-15 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 4000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1 V @ 2 A 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 20pf @ 4V, 1 мгха
ES1AE-TP Micro Commercial Co ES1AE-TP -
RFQ
 ECAD 8532 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA Es1a Станода DO-214AC (SMAE) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 6000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 975 MV @ 1 A 5 мка прри 50 -50 ° C ~ 150 ° C. 1A 45pf @ 4V, 1 мгест
1N5818-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5818-E3/54 0,4200
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n5818 ШOTKIй DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 550 мВ @ 1 a 1 мая @ 30 -65 ° C ~ 125 ° C. 1A 110pf @ 4V, 1 мгновение
CDBQC00340-HF Comchip Technology CDBQC00340-HF -
RFQ
 ECAD 7581 0,00000000 Комхип - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 0402 (1006 МЕТРИКА) ШOTKIй 0402c/sod-923f СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 641-CDBQC00340-HFTR Ear99 8541.10.0070 5000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 40 370 мВ @ 1ma 1 мка 40, 125 ° С 30 май 1,5pf @ 1V, 1 мг
SD103CWS Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd SD103CWS 0,1500
RFQ
 ECAD 5506 0,00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-76, SOD-323 ШOTKIй SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 600 мВ @ 200 5 мка прри 10в -55 ° C ~ 125 ° C. 350 май 50pf @ 0v, 1 мгест
SMS3100 Diotec Semiconductor SMS3100 0,2122
RFQ
 ECAD 2749 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-213AB, MELF ШOTKIй Melf do-213ab СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-SMS3100TR 8541.10.0000 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 790mw @ 3 a 500 мк -пки 100 -50 ° C ~ 150 ° C. 3A -
SBR1A40S3-7 Diodes Incorporated SBR1A40S3-7 0,4200
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 Дидж SBR® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-76, SOD-323 SBR1A40 Yperrarher SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 мВ @ 1 a 100 мка 40, -65 ° С ~ 150 ° С. 1A -
1N3645 Semtech Corporation 1N3645 -
RFQ
 ECAD 9494 0,00000000 Semtech Corporation - МАССА Пркрэно Чereз dыru Оос Станода Оос СКАХАТА Neprigodnnый 1N3645S Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 2000 г. 5 w @ 250 мая 2,5 мкс 1 мка @ 2000 -65 ° C ~ 175 ° C. 600 май 8pf @ 5V, 1 мгха
HS5A Taiwan Semiconductor Corporation HS5A 0,6870
RFQ
 ECAD 2222 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-HS5ATR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1 V @ 5 A 50 млн 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 80pf @ 4V, 1 мгха
SE20DTLGHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE20DTLGHM3/I. 1.8600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер ДО 263-3, ВАРИАНТ D²PAK (2 головы + вкладка) Станода Smpd СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1 V @ 20 a 330 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 175 ° C. 3.8a 160pf @ 4V, 1 мгха
GS1BE-TP Micro Commercial Co GS1BE-TP -
RFQ
 ECAD 1385 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-214AC, SMA GS1B Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 6000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 2 мкс 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
NSR10F40NXT5G onsemi NSR10F40NXT5G 0,5300
RFQ
 ECAD 6732 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 2-xdfn NSR10 ШOTKIй 2-DSN (1,4x0,6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 490 мВ @ 1 a 100 мка 40, 150 ° C (MMAKS) 1A -
ES1A-M3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES1A-M3/61T 0,3600
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA ES1 Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 920 мВ @ 1 a 25 млн 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
BYS12-90-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYS12-90-E3/TR 0,4600
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA BYS12 ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 750 мВ @ 1 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а -
GF1G-6493HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division GF1G-6493HE3_A/H. -
RFQ
 ECAD 4471 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-214BA Станода DO-214BA (GF1) - Rohs3 1 (neograniчennnый) 112-GF1G-6493HE3_A/HTR Ear99 8541.10.0080 1000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1.1 V @ 1 a 2 мкс 5 мка 400 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
SRA2060 Taiwan Semiconductor Corporation SRA2060 -
RFQ
 ECAD 2293 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 ШOTKIй ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SRA2060 Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 м. @ 20 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 20 часов -
MUR2505R GeneSiC Semiconductor MUR2505R 10.1910
RFQ
 ECAD 1004 0,00000000 Genesnыйpoluprovovodonyk - МАССА Актифен ШAsci, Стало DO-203AA, DO-4, Став MUR2505 Ставень, обратно До 4 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) MUR2505RGN Ear99 8541.10.0080 250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1 V @ 25 A 75 м 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 25 а -
C3D06065E-TR Wolfspeed, Inc. C3D06065E-tr 2.0821
RFQ
 ECAD 8446 0,00000000 Wolfspeed, Inc. Z-rec® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 C3D06065 Sic (kremniewый karbid) 252-2 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 1697-C3D06065E-TR Ear99 8541.10.0080 2500 Верниони -весановейн> 500 май (io) 650 1,7 - @ 6 a 0 м 40 мк -при 650 -55 ° C ~ 175 ° C. 20 часов 295pf @ 0v, 1 мгха
SR504-BP Micro Commercial Co SR504-BP 0,1829
RFQ
 ECAD 9861 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR504 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА 353-SR504-BP Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 м. @ 5 a 1 май @ 40 -50 ° C ~ 150 ° C. 5A 200pf @ 4V, 1 мгха
JAN1N5807URS/TR Microchip Technology Jan1n5807urs/tr 17.6250
RFQ
 ECAD 3370 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА MIL-PRF-19500/477 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SQ-Melf, б Станода B, SQ-Melf - 150 января 100 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 875 MV @ 4 A 30 млн 5 мка прри 50 -65 ° C ~ 175 ° C. 3A 60pf @ 10 v, 1 мгновение
MBR5200VPTR-G1 Diodes Incorporated MBR5200VPTR-G1 -
RFQ
 ECAD 7040 0,00000000 Дидж - Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй ШOTKIй DO-27 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 5 a 500 мк. -65 ° С ~ 150 ° С. 5A -
STTH1202FP STMicroelectronics STTH1202FP -
RFQ
 ECAD 7719 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо Чereз dыru 220-2 STTH120 Станода DO-220FPAC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1.1 V @ 12 A 35 м 10 мк. 175 ° C (MMAKS) 12A -
HER158-AP Micro Commercial Co HER158-AP -
RFQ
 ECAD 6132 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй HER158 Станода ДО-15 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,7 - @ 1,5 а 75 м 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 125 ° C. 1,5а 30pf @ 4V, 1 мгест
SBA240AL_R1_00001 Panjit International Inc. SBA240AL_R1_00001 0,3900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123F SBA240 ШOTKIй SOD-123fl СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-SBA240AL_R1_00001DKR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 530 мВ @ 2 a 100 мка 40, -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
MBR315AFC_R1_00001 Panjit International Inc. MBR315AFC_R1_00001 0,4300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds MBR315 ШOTKIй SMAF-C СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 900 мВ @ 3 a 50 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 10pf @ 4V, 1 мгест
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть