SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - обража тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
VS-SD1100C30C Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD1100C30C 96.7858
RFQ
 ECAD 6374 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Актифен Стало DO-200AA, A-Puk SD1100 Станода B-43, хokkeйnый puk СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VSSD1100C30C Ear99 8541.10.0080 12 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 3000 1,44 Е @ 1500 А -40 ° С ~ 150 ° С. 1100A -
VS-88-5074 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-88-5074 -
RFQ
 ECAD 7397 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Прохл 88-5074 - 112-VS-88-5074 1
AS1A Diodes Incorporated As1a -
RFQ
 ECAD 8170 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Прохл Пефер DO-214AC, SMA Станода СМА - 31-AS1A 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1.1 V @ 1 a 1,3 мкс 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
BAV21WS MDD BAV21WS 0,0585
RFQ
 ECAD 315 0,00000000 MDD SOD-323 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-76, SOD-323 BAV21 Станода SOD-323 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3372-BAV21WSTR Ear99 8542.39.0001 12 000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 250 1,25 Е @ 200 Ма 50 млн 100 na @ 250 -55 ° C ~ 150 ° С. 250 май 5pf @ 0v, 1 мгц
GP02-40HE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP02-40HE3/73 -
RFQ
 ECAD 7484 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Superectifier® Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй GP02 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 4000 3 V @ 1 A 2 мкс 5 мка 4000 -65 ° C ~ 175 ° C. 250 май -
EGP10DE-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP10DE-M3/73 -
RFQ
 ECAD 6296 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй EGP10 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 1 a 50 млн 5 мка При 200 -65 ° С ~ 150 ° С. 1A 22pf @ 4v, 1 мг
SS12E-TP Micro Commercial Co SS12E-TP -
RFQ
 ECAD 3536 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Веса Управо Пефер DO-214AC, SMA SS12 ШOTKIй СМГ СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 600 мВ @ 1 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 110pf @ 4V, 1 мгновение
HS1GL RFG Taiwan Semiconductor Corporation HS1GL RFG -
RFQ
 ECAD 1724 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB HS1G Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 1 a 50 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 20pf @ 4V, 1 мгха
MBR860D_R2_00001 Panjit International Inc. MBR860D_R2_00001 0 3078
RFQ
 ECAD 4652 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBR860 ШOTKIй 263 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 75,200 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 750 мВ @ 8 a 50 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 8. -
85HF100 Solid State Inc. 85HF100 3.9330
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Solid State Inc. - МАССА Актифен Стало Do-203ab, do-5, Stud Станода До 5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-85HF100 Ear99 8541.10.0080 10 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1,3 - @ 85 A 200 мк -пр. 1000 -65 ° С ~ 150 ° С. 85а -
1N5420 Microchip Technology 1n5420 7 9800
RFQ
 ECAD 356 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Чereз dыru Б., Ос 1n5420 Станода Б., Ос СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2266-1N5420 Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,5 - @ 9 a 400 млн 1 мка При 600 -65 ° C ~ 175 ° C. 3A -
KP2500-30 Yangjie Technology KP2500-30 105 0000
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Yangjie Technology - МАССА Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-KP2500-30 Ear99 3
1N1402 Solid State Inc. 1n1402 15,5000
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Solid State Inc. - Коробка Актифен Стало DO-205AA, DO-8, Stud Станода Дол - Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-1N1402 Ear99 8541.10.0080 10 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 500 1,2 - @ 200 a 50 мк. -65 ° C ~ 200 ° C. 100 а -
V1P22HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V1P22HM3/H. 0,3900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Microsmp ШOTKIй Microsmp (do-219AD) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 4500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 880mw @ 1 a 15 мк. -40 ° C ~ 175 ° C. 1A 50pf @ 4V, 1 мгест
SB1250 Diotec Semiconductor SB1250 0,4566
RFQ
 ECAD 1475 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Оос ШOTKIй Оос СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-SB1250TR 8541.10.0000 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 680 мВ @ 12 a 500 мк. -50 ° C ~ 150 ° C. 12A -
1N2024R Solid State Inc. 1n2024r 2,5000
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Solid State Inc. - Коробка Актифен Стало Do-203ab, do-5, Stud Ставень, обратно До 5 - Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-1N2024R Ear99 8541.10.0080 10 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 350 1,19 В @ 90 a 10 мк @ 350 -65 ° C ~ 200 ° C. 40a -
RB068LAM-60TFTR Rohm Semiconductor RB068lam-60TFTR 0,5300
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 RB068 ШOTKIй PMDTM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 680 мВ @ 2 a 2 мка рри 60 В 150 ° C (MMAKS) 2A -
1N3744 Solid State Inc. 1N3744 21.0000
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Solid State Inc. - Коробка Актифен Стало Do-205ab, do-9, Stud Станода DO-9 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-1N3744 Ear99 8541.10.0080 10 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1400 1,3 В @ 300 А 75 мка @ 1400 -65 ° C ~ 190 ° C. 275A -
1N5818HB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1n5818hb0g -
RFQ
 ECAD 9685 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n5818 ШOTKIй DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 550 мВ @ 1 a 1 мая @ 30 -55 ° C ~ 125 ° C. 1A 55pf @ 4V, 1 мгха
PCDP20120G1_T0_00001 Panjit International Inc. PCDP20120G1_T0_00001 21.4700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Panjit International Inc. - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 PCDP20120 Sic (kremniewый karbid) ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 3757-PCDP20120G1_T0_00001 Ear99 8541.10.0080 50 Верниони -весановейн> 500 май (io) 1200 1,7 - @ 20 a 0 м 180 мк -прри 1200 -55 ° C ~ 175 ° C. 20 часов 1040pf @ 1V, 1 мгновение
S1M-F SMC Diode Solutions S1M-F -
RFQ
 ECAD 7394 0,00000000 SMC Diode Solutions - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-214AC, SMA S1M Станода SMA (DO-214AC) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 1 a 2,5 мкс 5 мк -пр. 1000 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
MBRB16H35-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB16H35-E3/81 -
RFQ
 ECAD 1391 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Управо Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRB16 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 35 660 мВ @ 16 a 100 мк @ 35 -65 ° C ~ 175 ° C. 16A -
1N5393-AQ Diotec Semiconductor 1n5393-aq 0,1252
RFQ
 ECAD 4158 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй Станода Do15/do204ac СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-1N5393-AQTR 8541.10.0000 4000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1,3 Е @ 1,5 А. 1,5 мкс 5 мка При 200 -50 ° C ~ 175 ° C. 1,5а -
1N4001GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4001GHR0G -
RFQ
 ECAD 9167 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4001 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1 V @ 1 A 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
PDS5100H-13 Diodes Incorporated PDS5100H-13 1.3200
RFQ
 ECAD 1130 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Powerdi ™ 5 PDS5100 ШOTKIй Powerdi ™ 5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 710 мВ @ 5 a 3,5 мка 3 100 -65 ° C ~ 175 ° C. 5A -
SB3100EB-G Comchip Technology SB3100EB-G 0,3400
RFQ
 ECAD 6009 0,00000000 Комхип - МАССА Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SB3100 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 мВ @ 3 a 500 мк -пки 100 -65 ° С ~ 150 ° С. 3A 250pf @ 4V, 1 мгест
SR010HA0G Taiwan Semiconductor Corporation SR010HA0G -
RFQ
 ECAD 4500 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SR010 ШOTKIй DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 м. 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 500 май 65pf @ 4V, 1 мгест
BAS16X Yangjie Technology BAS16X 0,0130
RFQ
 ECAD 800 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-79, SOD-523 BAS16 Станода SOD-523 - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-BAS16XTR Ear99 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 75 1 V @ 50 май 6 м 1 мка При 75 -55 ° C ~ 150 ° С. 200 май 2pf @ 0v, 1 мгест
JANTX1N6674 Microchip Technology Jantx1n6674 -
RFQ
 ECAD 2006 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/617 МАССА Актифен Чereз dыru 254-3, до 254AA (пр. Станода 254 - Rohs DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 500 1,55 В @ 20 a 35 м 50 мка 400 - 15A 150pf @ 10 v, 1 мгха
RH 1ZV Sanken RH 1ZV -
RFQ
 ECAD 3644 0,00000000 САНКЕН - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru Оос RH 1 Станода - СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1,3 - @ 600 мая 4 мкс 5 мка При 200 -40 ° С ~ 150 ° С. 600 май -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть