SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
R9G21812CSOO Powerex Inc. R9G21812CSOO -
RFQ
 ECAD 8509 0,00000000 Powerex Inc. - МАССА Управо Зaжimatth Do-200ab, b-puk Станода Do-200ab, b-puk СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1800 v 2,3 @ 1500 А 4 мкс 75 май @ 1800 1200A -
ES1JF MDD Es1jf 0,0555
RFQ
 ECAD 915 0,00000000 MDD SMAF Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds Станода SMAF СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3372-ES1JFTR Ear99 8542.39.0001 12 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 1 a 35 м 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
CRNA15-1200PT Sensata-Crydom CRNA15-1200PT -
RFQ
 ECAD 3612 0,00000000 Sensata-Crydom - Трубка Управо Чereз dыru 220-2 Иолированажа Кладка Станода ДО-220AB СКАХАТА Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1200 1.1 V @ 15 A 100 мк @ 1200 -40 ° C ~ 125 ° C. 9.5A -
MBRA130LT3G onsemi MBRA130LT3G 0,3700
RFQ
 ECAD 2094 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA MBRA130 ШOTKIй СМА СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 410 мВ @ 1 a 1 мая @ 30 -55 ° C ~ 125 ° C. 1A -
B0540W RHG Taiwan Semiconductor Corporation B0540W RHG 0,4700
RFQ
 ECAD 46 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 B0540 ШOTKIй SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 510 мВ @ 500 мая 20 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 500 май 170pf @ 0v, 1 мгест
V2FM15-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V2FM15-M3/I. 0,0759
RFQ
 ECAD 1877 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay ESMP®, TMBS® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB V2FM15 ШOTKIй DO-219AB (SMF) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 1,46 В @ 2 a 50 мк. -40 ° C ~ 175 ° C. 2A 90pf @ 4V, 1 мгха
SBLB1040HE3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBLB1040HE3/81 -
RFQ
 ECAD 8783 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Управо Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SBLB1040 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 600 мВ @ 10 a 1 май @ 40 -40 ° C ~ 125 ° C. 10 часов -
VS-25ETS12S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-25ets12S-M3 1.2360
RFQ
 ECAD 5916 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Трубка Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 25ets12 Станода TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1200 1,14 В @ 25 A 100 мк @ 1200 -40 ° С ~ 150 ° С. 25 а -
BAS40-00-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS40-00-E3-18 0,3300
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 ШOTKIй SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 10000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 40 1 V @ 40 май 5 млн 100 na @ 30 v 125 ° C (MMAKS) 200 май 5pf @ 0v, 1 мгц
1N4937GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4937GP-E3/73 0,4800
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Superectifier® Веса Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4937 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,2 - @ 1 a 200 млн 5 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
MURS260HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division MURS260HE3_A/H. 0,1518
RFQ
 ECAD 2878 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB MURS260 Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 750 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,45 - @ 2 a 75 м 5 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 2A -
UF1G A0G Taiwan Semiconductor Corporation UF1G A0G -
RFQ
 ECAD 7638 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй UF1G Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1 V @ 1 A 50 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 17pf @ 4V, 1 мгха
S36 Yangjie Technology S36 0,0660
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-S36TR Ear99 3000
MUR4L20H Taiwan Semiconductor Corporation Mur4l20h 0,2907
RFQ
 ECAD 8568 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй Mur4l20 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 890 мВ @ 4 a 25 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 175 ° C. 4 а 65pf @ 4V, 1 мгест
EGP20B-TP Micro Commercial Co EGP20B-TP -
RFQ
 ECAD 6463 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй EGP20B Станода ДО-15 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.10.0080 4000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1 V @ 2 A 50 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
SB040-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB040-E3/54 -
RFQ
 ECAD 1022 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru MPG06, OSEVOй SB040 ШOTKIй MPG06 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 м. 500 мка 40, -65 ° C ~ 125 ° C. 600 май -
SRAF5150HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF5150HC0G -
RFQ
 ECAD 7929 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Пркрэно Чereз dыru 220-2 SRAF5150 ШOTKIй ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 5 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
VS-20TQ035STRRHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20TQ035STRRHM3 -
RFQ
 ECAD 5117 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 20TQ035 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 112-VS-20TQ035STRRHM3TR Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 35 570 мВ @ 20 a 2,7 мая @ 35 -55 ° C ~ 150 ° С. 20 часов 1400pf @ 5V, 1 мгновение
1N5406 SMC Diode Solutions 1n5406 -
RFQ
 ECAD 1680 0,00000000 SMC Diode Solutions - Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru Do-201ad, Osevoй 1n540 Станода Do-201ad СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1,2 V @ 3 a 5 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 3A 30pf @ 0v, 1 мгест
US1A-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division US1A-E3/5AT 0,4300
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA US1A Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1 V @ 1 A 50 млн 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
NSR0520V2T5G onsemi NSR0520V2T5G 0,4200
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-79, SOD-523 NSR0520 ШOTKIй SOD-523 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 8000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 480 мВ @ 500 мая 75 мк -при. -55 ° C ~ 125 ° C. 500 май -
DB2J31300L Panasonic Electronic Components DB2J31300L -
RFQ
 ECAD 8143 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер SC-90, SOD-323F DB2J313 ШOTKIй Smini2-F5-B - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 30 550 м. @ 200 1,5 млн 50 мк. 125 ° C (MMAKS) 200 май 3,8pf pri 10-, 1 Mmgц
SR805 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SR805 A0G -
RFQ
 ECAD 5449 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR805 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 700 мВ @ 8 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 8. -
UES702R Microchip Technology UES702R 58.9950
RFQ
 ECAD 7186 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Стало DO-203AA, DO-4, Став UES702 Станода DO-203AA (DO-4) СКАХАТА Rohs Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 950 мВ @ 25 35 м 20 мк -пр. 100 -55 ° C ~ 175 ° C. 25 а -
30WQ06FNTRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 30wq06fntrl -
RFQ
 ECAD 2598 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 30WQ06 ШOTKIй D-PAK (DO 252AA) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 610 мВ @ 3 a 2 мая @ 60 -40 ° С ~ 150 ° С. 3.5a -
ES3DV M6G Taiwan Semiconductor Corporation ES3DV M6G -
RFQ
 ECAD 1110 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Es3d Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 900 мВ @ 3 a 20 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 45pf @ 4V, 1 мгест
AR4PJ-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division AR4PJ-M3/86A 0,4290
RFQ
 ECAD 8118 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay ESMP® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn AR4 Лавина TO-277A (SMPC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,6 - @ 4 a 140 м 10 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 2A 77pf @ 4V, 1 мгха
BAV20WS-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAV20WS-E3-18 0,3000
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-76, SOD-323 BAV20 Станода SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 1,25 Е @ 200 Ма 50 млн 100 Na @ 150 150 ° C (MMAKS) 250 май 1,5pf @ 0V, 1 мгха
JANTX1N4249 Semtech Corporation Jantx1n4249 -
RFQ
 ECAD 3803 0,00000000 Semtech Corporation ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/286 МАССА Пркрэно Чereз dыru Оос 1N4249 Станода Оос СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1,2 - @ 1 a 2 мкс 1 мка При 1000 - 1A -
SK13-13 Diodes Incorporated SK13-13 -
RFQ
 ECAD 4980 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AA, SMB SK13 ШOTKIй МАЛИ СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 550 мВ @ 1 a 500 мк. -65 ° C ~ 125 ° C. 1A 110pf @ 4V, 1 мгновение
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть