SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн NoMerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
P2000MTL Diotec Semiconductor P2000MTL 1.0553
RFQ
 ECAD 3655 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru P600, OSEVOй Станода P600 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-p2000mtltr 8541.10.0000 1500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 20 a 1,5 мкс 10 мк. -50 ° C ~ 175 ° C. 20 часов -
1N4448TR_S00Z onsemi 1N4448TR_S00Z -
RFQ
 ECAD 1134 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1N4448 Станода DO-35 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 10000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 100 1 V @ 100 май 4 млн 5 мка прри 75 -55 ° C ~ 175 ° C. 200 май 2pf @ 0v, 1 мгест
GP10JHM3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10JHM3/73 -
RFQ
 ECAD 2511 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй GP10 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 1 a 3 мкс 5 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 8pf @ 4V, 1 мгест
VS-40HF140M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40HF140M 15.8598
RFQ
 ECAD 8772 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Актифен ШAsci, Стало Do-203ab, do-5, Stud 40HF140 Станода Do-203ab (do-5) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VS40HF140M Ear99 8541.10.0080 100 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1400 1,3 - @ 125 A -65 ° C ~ 160 ° C. 40a -
VS-20TQ035PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20TQ035PBF -
RFQ
 ECAD 4229 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Трубка Пркрэно Чereз dыru ДО-220-2 20TQ035 ШOTKIй ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 35 570 мВ @ 20 a 2,7 мая @ 35 -55 ° C ~ 150 ° С. 20 часов -
1N5819-TP Micro Commercial Co 1N5819-TP 0,3100
RFQ
 ECAD 40 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n5819 ШOTKIй DO-41 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 600 мВ @ 1 a 10 млн 1 май @ 40 -55 ° C ~ 125 ° C. 1A 110pf @ 4V, 1 мгновение
CURC305-G Comchip Technology CURC305-G 0,2175
RFQ
 ECAD 6093 0,00000000 Комхип - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC CURC305 Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 3 a 75 м 5 мк. 150 ° C (MMAKS) 3A -
B520C-13-F Diodes Incorporated B520C-13-F 0,5500
RFQ
 ECAD 59 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC B520 ШOTKIй SMC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 550 м. @ 5 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 300PF @ 4V, 1 мгест
BYC10DX-600,127 WeEn Semiconductors BYC10DX-600,127 0,9700
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Weenpoluprovodonnyki - Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-2 Full Pack, Иолированажа Кладка Byc10 Станода 220FP СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 500 2,5 - @ 10 a 18 млн 200 мк. 150 ° C (MMAKS) 10 часов -
80EPF02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 80EPF02 -
RFQ
 ECAD 6601 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Трубка Управо Чereз dыru 247-3 80EPF02 Станода ДО-247AC СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,25 - @ 80 a 190 млн 100 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 80A -
FR70G02 GeneSiC Semiconductor FR70G02 21.1300
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Genesnыйpoluprovovodonyk - МАССА Актифен ШAsci, Стало Do-203ab, do-5, Stud Станода До 5 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 1242-1039 Ear99 8541.10.0080 100 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,4 В @ 70 a 200 млн 25 мк. -40 ° C ~ 125 ° C. 70A -
SRP300D-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SRP300D-E3/54 -
RFQ
 ECAD 9763 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SRP300 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1400 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1.3 V @ 3 a 150 млн 10 мк. -50 ° C ~ 125 ° C. 3A 28pf @ 4V, 1 мгха
RFN1L6STE25 Rohm Semiconductor Rfn1l6ste25 0,1409
RFQ
 ECAD 9980 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер DO-214AC, SMA RFN1L6 Станода PMDS - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,45 Е @ 800 Ма 35 м 1 мка При 600 150 ° C (MMAKS) 800 май -
SK55CH Taiwan Semiconductor Corporation SK55CH -
RFQ
 ECAD 5579 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SK55CHTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 750 м. @ 5 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
MBR745 SMC Diode Solutions MBR745 0,6700
RFQ
 ECAD 8222 0,00000000 SMC Diode Solutions - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 ШOTKIй ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1655-1087 Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 570 мВ @ 7,5 а 1 май @ 45 -55 ° C ~ 150 ° С. 7,5а 400pf @ 5V, 1 мгновение
DFLS230L-7 Diodes Incorporated DFLS230L-7 0,6100
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер PowerDi®123 DFLS230 ШOTKIй Powerdi ™ 123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 420 м. @ 2 a 1 мая @ 30 -40 ° C ~ 125 ° C. 2A 76pf @ 10V, 1 мгха
R5001415XXZT Powerex Inc. R5001415XXZT 136.9300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Powerex Inc. - Симка Актифен Стало DO-205AA, DO-8, Stud R5001415 Станода DO-205AA (DO-8) СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1400 7 мкс 30 май @ 1400 -65 ° C ~ 200 ° C. 150a -
BAT64B5000 Infineon Technologies BAT64B5000 -
RFQ
 ECAD 7800 0,00000000 Infineon Technologies Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 ШOTKIй PG-SOT23-3-3 СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 40 750 м. 5 млн 2 мка При 30в 150 ° С 120 май 4pf @ 1V, 1 мгест
8AF05RPP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 8AF05RPP -
RFQ
 ECAD 7695 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Управо ШAsci, Стало B-47 8AF05 Станода B-47 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH *8AF05RPP Ear99 8541.10.0080 100 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 7 май @ 50 -65 ° C ~ 195 ° C. 50 часов -
VS-8ETU12-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8etu12-M3 0,6325
RFQ
 ECAD 6061 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay FERED PT® Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 8etu12 Станода ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1200 2,55 В @ 8 A 144 м 55 мк -прри 1200 -55 ° C ~ 175 ° C. 8. -
JANTXV1N6638 MACOM Technology Solutions Jantxv1n6638 12.1200
RFQ
 ECAD 81 0,00000000 Macom Technology Solutions ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500 /578 и 609 МАССА Пркрэно Пефер SQ-Melf, d Станода D-5d СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0070 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 125 1,1 - @ 200 Ма 4,5 млн 100 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 300 май -
EGF1DHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Egf1dhe3_a/i -
RFQ
 ECAD 2699 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-214BA EGF1 Станода DO-214BA (GF1) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0080 6500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1 V @ 1 A 50 млн 2 мка При 200 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
GP10-4007E-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10-4007E-M3/54 -
RFQ
 ECAD 2180 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Superectifier® Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй GP10 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 1 a 3 мкс 5 мк -пр. 1000 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 8pf @ 4V, 1 мгест
1N4934GPE-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4934GPE-E3/54 0,1754
RFQ
 ECAD 6623 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Superectifier® Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4934 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,2 - @ 1 a 200 млн 5 мк -4 100 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
JANTXV1N4150UR-1 Microchip Technology JantXV1N4150UR-1 4.1550
RFQ
 ECAD 9150 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/231 МАССА Актифен Пефер DO-213AA 1N4150 Станода DO-213AA СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 1 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 50 1 V @ 200 MMA 4 млн 100 na @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C. 200 май -
RGP02-17E-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-17E-M3/54 -
RFQ
 ECAD 6255 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй RGP02 Станода DO-204AL (DO-41) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 5500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1700 В. 1,8 Е @ 100 мая 300 млн 5 мка @ 1700 -65 ° C ~ 175 ° C. 500 май 5pf @ 4V, 1 мгест
APT30DQ100KG Microchip Technology APT30DQ100KG 1.0800
RFQ
 ECAD 420 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 APT30DQ100 Станода DO-220 [K] СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 3 V @ 30 A 295 м 100 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 30A -
SFAS804GH Taiwan Semiconductor Corporation SFAS804GH -
RFQ
 ECAD 4722 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SFAS804 Станода TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 8 a 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 8. 80pf @ 4V, 1 мгха
MBRF2050HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2050HC0G -
RFQ
 ECAD 2461 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Пркрэно Чereз dыru 220-2 MBRF2050 ШOTKIй ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 820 м. @ 20 a 200 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 20 часов -
MA22D2300L Panasonic Electronic Components MA22D2300L -
RFQ
 ECAD 3963 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOD-123F MA22D23 ШOTKIй Mini2-f1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 25 В 530 мВ @ 1 a 40 мк. 150 ° C (MMAKS) 1A 45pf @ 10v, 1 мгха
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть