SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
DL4001-TP Micro Commercial Co DL4001-TP -
RFQ
 ECAD 3303 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-213AB, MELF DL4001 Станода Пособие СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1.1 V @ 1 a 5 мка прри 50 -65 ° С ~ 150 ° С. 1A -
SBRT25U60SLP-13 Diodes Incorporated SBRT25U60SLP-13 0,9400
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 Дидж Трентсбр Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 8-Powertdfn SBRT25 Yperrarher PowerDI5060-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 60 550 м. @ 25 A 400 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 25 а -
1N6764 Microchip Technology 1n6764 199 5300
RFQ
 ECAD 1203 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/642 МАССА Актифен Чereз dыru 254-3, до 254AA (пр. 1n6764 Станода 254 СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 1,05 В @ 12 A 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 12A 300pf @ 5V, 1 мгест
S1BLHMQG Taiwan Semiconductor Corporation S1blhmqg -
RFQ
 ECAD 6232 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S1b Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
SBR6035R Microchip Technology SBR6035R 126.8400
RFQ
 ECAD 5368 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Стало Do-203ab, do-5, Stud ШOTKIй До 5 - Rohs DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 35 600 мВ @ 60 a -65 ° С ~ 150 ° С. 60A -
LFUSCD10120A Littelfuse Inc. LFUSCD10120A -
RFQ
 ECAD 2715 0,00000000 Littelfuse Inc. - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 Sic (kremniewый karbid) ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 500 Верниони -весановейн> 500 май (io) 1200 1,7 - @ 10 a 0 м 250 мк. 175 ° C (MMAKS) 10 часов 500pf @ 1V, 1 мгест
PMEG4002ELD/S500315 NXP USA Inc. PMEG4002ELD/S500315 0,0500
RFQ
 ECAD 40 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.10.0070 6836
GF1MHE3/5CA Vishay General Semiconductor - Diodes Division GF1MHE3/5CA -
RFQ
 ECAD 8768 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Superectifier® Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-214BA GF1 Станода DO-214BA (GF1) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 6500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1,2 - @ 1 a 2 мкс 5 мк -пр. 1000 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A -
IDH10G65C5ZXKSA2 Infineon Technologies IDH10G65C5ZXKSA2 -
RFQ
 ECAD 6478 0,00000000 Infineon Technologies * Трубка Актифен IDH10G65 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001673846 Ear99 8541.10.0080 500
VSSAF5N50-M3/6B Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSSAF5N50-M3/6B 0,4800
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay TMBS®, Slimsma ™ Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds SAF5N50 ШOTKIй DO-221AC (Slimsma) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 14 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 410 мВ 2,5 а 1,4 мая @ 50 -40 ° С ~ 150 ° С. 3A 850pf @ 4V, 1 мгест
BAV19W-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BAV19W-G RHG 0,0347
RFQ
 ECAD 5229 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 BAV19 Станода SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 100 1,25 Е @ 200 Ма 50 млн 100 na @ 100 v -65 ° С ~ 150 ° С. 200 май 5pf @ 0v, 1 мгц
SK39/TR13 Microsemi Corporation SK39/TR13 -
RFQ
 ECAD 2486 0,00000000 Microsemi Corporation * Lenta и катахка (tr) Актифен SK39 - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000
SFA801GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFA801GHC0G -
RFQ
 ECAD 7261 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 SFA801 Станода ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 975 MV @ 8 A 35 м 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 8. 100pf @ 4V, 1 мгха
1N6263W-7 Diodes Incorporated 1N6263W-7 -
RFQ
 ECAD 6452 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер SOD-123 1n6263 ШOTKIй SOD-123 - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 60 1 V @ 15 мая 1 млн 200 na @ 50 v -55 ° C ~ 125 ° C. 15 май 2.2pf @ 0V, 1 мгест
CMDD6001 TR PBFREE Central Semiconductor Corp Cmdd6001 tr pbfree 0,7000
RFQ
 ECAD 37 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-76, SOD-323 Cmdd6001 Станода SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 75 1,1 - @ 100mma 3 мкс 500 п. @ 75 -65 ° С ~ 150 ° С. 250 май 2pf @ 0v, 1 мгест
NRVTSM260ET1G onsemi NRVTSM260ET1G -
RFQ
 ECAD 6402 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-216AA NRVTSM2 ШOTKIй Powermite СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 650 мВ @ 2 a 12 мк -пр. 60 В -55 ° C ~ 175 ° C. 2A -
UF4002 BK Central Semiconductor Corp UF4002 BK -
RFQ
 ECAD 7768 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй UF4002 Станода DO-41 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1 V @ 1 A 50 млн 10 мк -пки 100 -65 ° С ~ 150 ° С. 1A 20pf @ 4V, 1 мгха
SB250 Diotec Semiconductor SB250 0,1051
RFQ
 ECAD 7880 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй ШOTKIй Do15/do204ac СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-SB250TR 8541.10.0000 4000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 700 мВ @ 2 a 500 мк. -50 ° C ~ 150 ° C. 2A -
SRT14 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SRT14 A0G -
RFQ
 ECAD 2348 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Т-18, Ос SRT14 ШOTKIй TS-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 мВ @ 1 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 1A -
2A06G-T Diodes Incorporated 2A06G-T 0,2100
RFQ
 ECAD 196 0,00000000 Дидж * Веса Актифен 2A06 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 4000
EGP30A onsemi EGP30A 0,7700
RFQ
 ECAD 38 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй EGP30 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 950 мВ @ 3 a 50 млн 5 мка прри 50 -65 ° С ~ 150 ° С. 3A 95pf @ 4V, 1 мгест
MBRD5H100T4G onsemi MBRD5H100T4G 1.2300
RFQ
 ECAD 4927 0,00000000 OnSemi SwitchMode ™ Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 MBRD5 ШOTKIй Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 710 мВ @ 5 a 3,5 мка 3 100 -65 ° C ~ 175 ° C. 5A -
UF5402 Diotec Semiconductor UF5402 0,1173
RFQ
 ECAD 3819 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй Станода ДО-2011 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 2796-UF5402TR 8541.10.0000 1700 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1 V @ 3 a 50 млн 5 мка При 200 -50 ° C ~ 175 ° C. 3A -
1N5408P-FR Diodes Incorporated 1n5408p-fr -
RFQ
 ECAD 9442 0,00000000 Дидж - МАССА Управо Чereз dыru Do-201ad, Osevoй 1n5408 Станода Do-201ad - 31-1n5408p-fr Управо 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1 V @ 3 a 10 мк. -65 ° С ~ 150 ° С. 3A 25pf @ 4V, 1 мгха
CDBF0145-HF Comchip Technology CDBF0145-HF 0,0864
RFQ
 ECAD 7155 0,00000000 Комхип - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 1005 (2512 МЕТРИКА) CDBF0145 ШOTKIй 1005/SOD-323F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 4000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 45 550 м. 1 мка рри 10в 125 ° C (MMAKS) 100 май 9pf @ 10V, 1 мгха
VS-30BQ040-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30BQ040-M3/9AT 0,9500
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC 30BQ040 ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 530 мВ @ 3 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 230pf @ 5V, 1 мгест
PG4007_R2_00001 Panjit International Inc. PG4007_R2_00001 0,1700
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй PG4007 Станода DO-41 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 1 a 1 мка При 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
ACDBA1100LR-HF Comchip Technology ACDBA1100LR-HF 2.1400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Комхип Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA ACDBA1100 ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 750 мВ @ 1 a 500 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 120pf @ 4V, 1 мгха
SBR12E45LH1-13 Diodes Incorporated SBR12E45LH1-13 -
RFQ
 ECAD 9456 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер Powerdi ™ 5sp SBR12 Yperrarher PowerDi5sp ™ СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 45 520 м. @ 12 A 300 мкр 45 -65 ° С ~ 150 ° С. 12A -
V8PA15HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V8PA15HM3/I. 0,5600
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221BC, выплаченная плоская головка SMA V8PA15 ШOTKIй DO-221BC (SMPA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 14 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 1,2 - @ 8 a 500 мк. -40 ° С ~ 150 ° С. 8. 510pf @ 4V, 1 мгест
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть