SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
SBL8L40HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBL8L40HE3/45 -
RFQ
 ECAD 3430 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Управо Чereз dыru ДО-220-2 SBL8L40 ШOTKIй ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 500 м. @ 8 a 1 май @ 40 -65 ° C ~ 125 ° C. 8. -
DSB5819/TR Microchip Technology DSB5819/tr -
RFQ
 ECAD 7965 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * Lenta и катахка (tr) Актифен - DOSTISH 150-DSB5819/tr 195
S3KB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S3KB R5G -
RFQ
 ECAD 7719 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AA, SMB S3K Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1.15 V @ 3 a 1,5 мкс 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 40pf @ 4V, 1 мгест
MUR440-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MUR440-M3/73 -
RFQ
 ECAD 6617 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй MUR440 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,28 w @ 4 a 75 м 10 мка 400 -65 ° C ~ 175 ° C. 4 а -
RGP02-14E-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-14E-E3/53 -
RFQ
 ECAD 9059 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Superectifier® Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй RGP02 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1400 1,8 Е @ 100 мая 300 млн 5 мка @ 1400 -65 ° C ~ 175 ° C. 500 май -
CTLSH05-40M621 BK Central Semiconductor Corp CTLSH05-40M621 BK -
RFQ
 ECAD 5102 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо Пефер 6-powervfdfn ШOTKIй TLM621 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0070 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 470 мВ @ 500 мая 100 мк. -65 ° С ~ 150 ° С. 500 май 50pf @ 1V, 1 мгха
2A07G Taiwan Semiconductor Corporation 2A07G 0,0712
RFQ
 ECAD 2363 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2A07 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1 V @ 2 A 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 15pf @ 4V, 1 мг
SF37GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation SF37GHR0G -
RFQ
 ECAD 2471 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SF37 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 500 1,7 - @ 3 a 35 м 5 мк -при 500 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 60pf @ 4V, 1 мгест
VS-20ETS08STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20ets08strl-M3 2.1600
RFQ
 ECAD 7412 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 20ets08 Станода TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1.1 V @ 20 a 100 мк. -40 ° С ~ 150 ° С. 20 часов -
US1B-13 Diodes Incorporated US1B-13 -
RFQ
 ECAD 8204 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA US1B Станода СМА СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1 V @ 1 A 50 млн 5 мк -4 100 -65 ° С ~ 150 ° С. 1A 20pf @ 4V, 1 мгха
S306120 Microchip Technology S306120 39.0750
RFQ
 ECAD 8486 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА S306 МАССА Актифен Стало Do-203ab, do-5, Stud S306120 Станода Do-203ab (do-5) СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1200 1,25 w @ 200 a 25 мк @ 1200 -65 ° C ~ 200 ° C. 70A -
JANTX1N5822 Microchip Technology Jantx1n5822 85,8000
RFQ
 ECAD 7099 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/620 МАССА Актифен Чereз dыru Б., Ос ШOTKIй Б., Ос - Rohs DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 500 м. @ 3 a 100 мка 40, -65 ° C ~ 125 ° C. 3A -
V30K45-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30K45-M3/i 0,4538
RFQ
 ECAD 6752 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay ESMP®, TMBS® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 8-Powertdfn V30K45 ШOTKIй Flatpak (5x6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 630 мВ @ 30 a 2 мая @ 45 -40 ° С ~ 150 ° С. 30A 4000pf @ 4V, 1 мгест
1N6940UTK3AS/TR Microchip Technology 1n6940utk3as/tr 267.4800
RFQ
 ECAD 1654 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер ThinKey ™ 3 ШOTKIй, ОБРАНА АНФОЛЯ ThinKey ™ 3 - DOSTISH 150-1N6940UTK3as/tr Ear99 8541.10.0080 100 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 15 500 м. @ 150 a 5 мая @ 15 -65 ° С ~ 150 ° С. 150a 10000pf @ 5V, 1 мгест
SSC54HE3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SSC54HE3/57T -
RFQ
 ECAD 5022 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-214AB, SMC SSC54 ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 490 мВ @ 5 a 500 мка 40, -65 ° С ~ 150 ° С. 5A -
V3PAL45-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V3pal45-m3/i 0,4800
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221BC, выплаченная плоская головка SMA V3PAL45 ШOTKIй DO-221BC (SMPA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 14 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 540 мВ @ 3 a 450 мка 45 -40 ° С ~ 150 ° С. 3A -
BYG10J-AQ-CT Diotec Semiconductor BYG10J-AQ-CT 0,2840
RFQ
 ECAD 817 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Полески Актифен Пефер DO-214AC, SMA Byg10j Лавина DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DoStiчsh и napormaцiю, dostupnuюpo зaprosue 2721-byg10j-aq-ct 8541.10.0000 30 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1,15 Е @ 1,5 А. 1,5 мкс 5 мк. -50 ° C ~ 150 ° C. 1,5а -
ES3J Good-Ark Semiconductor Es3j 0,3900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 ХOroShyй poluprovowodonyk - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 3 a 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 40pf @ 4V, 1 мгест
CD214A-FS1150 Bourns Inc. CD214A-FS1150 -
RFQ
 ECAD 5858 0,00000000 Bourns Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-214AC, SMA CD214A Станода DO-214AC (SMA) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 1 a 25 млн 5 мк -прри 150 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
GP02-20HE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP02-20HE3/73 -
RFQ
 ECAD 3539 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Superectifier® Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй GP02 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 2000 г. 3 V @ 1 A 2 мкс 5 Мка @ 2000 -65 ° C ~ 175 ° C. 250 май -
GPA805-BP Micro Commercial Co GPA805-bp -
RFQ
 ECAD 3362 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Управо Чereз dыru ДО-220-2 GPA805 Станода ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 8 A 5 мк. -65 ° С ~ 150 ° С. 8. 50pf @ 4V, 1 мгест
VS-80-5662 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80-5662 -
RFQ
 ECAD 8087 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Прохл 80-5662 - 112-VS-80-5662 1
1N6702 Microchip Technology 1N6702 23.6550
RFQ
 ECAD 8761 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Чereз dыru Оос ШOTKIй Оос - DOSTISH 150-1N6702 Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 470 мВ @ 5 a 200 мка 40, -65 ° C ~ 125 ° C. 5A -
S38 Yangjie Technology S38 0,0300
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-S38TR Ear99 3000
RP 3FV4 Sanken RP 3FV4 -
RFQ
 ECAD 9612 0,00000000 САНКЕН - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Оос Станода - СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1500 700 млн - 2A -
SS2H10-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS2H10-E3/52T 0,4800
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB SS2H10 ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 750 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 790mw @ 2 a 10 мк -пки 100 -65 ° C ~ 175 ° C. 2A -
AR1PK-M3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division AR1PK-M3/85A 0,1271
RFQ
 ECAD 7198 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay ESMP® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-220AA AR1 Лавина DO-220AA (SMP) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,6 - @ 1 a 120 млн 1 мка При 800 В -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 8,5pf @ 4V, 1 мгха
SJPA-H3V Sanken SJPA-H3V -
RFQ
 ECAD 9623 0,00000000 САНКЕН - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер 2-SMD, J-Lead SJPA-H3 ШOTKIй SJP СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) SJPA-H3V DK Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 360 мВ @ 2 a 3 мая @ 30 -40 ° C ~ 125 ° C. 2A -
E1F Yangjie Technology E1f 0,0230
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-e1ftr Ear99 3000
JAN1N5812 Microchip Technology Январь 5812 122 6100
RFQ
 ECAD 3173 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/478 МАССА Актифен Стало DO-203AA, DO-4, Став Станода DO-203AA (DO-4) - Rohs DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 950 мВ @ 20 a 35 м 10 мк -прри 50 -65 ° C ~ 175 ° C. 20 часов 300pf @ 10v, 1 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть