SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
HER602-AP Micro Commercial Co HER602-AP -
RFQ
 ECAD 6856 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru R-6, osevoй HER602 Станода R-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 450 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1.1 V @ 6 a 50 млн 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 6A 100pf @ 4V, 1 мгха
SMBD1015LT1 onsemi SMBD1015LT1 0,0200
RFQ
 ECAD 27 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000
SS1P5L-E3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS1P5L-E3/85A -
RFQ
 ECAD 3175 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay ESMP® Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-220AA SS1P5 ШOTKIй DO-220AA (SMP) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 590 мВ @ 1 a 100 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
BA159GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation BA159GHB0G -
RFQ
 ECAD 5239 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Пркрэно Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй BA159 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,2 - @ 1 a 250 млн 5 мк -при 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
TSSD10L45SW Taiwan Semiconductor Corporation TSSD10L45SW 0,8453
RFQ
 ECAD 6938 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 TSSD10 ШOTKIй 252, (D-PAK) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-TSSD10L45SWTR Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 550 м. @ 10 a 50 мк 45 -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов 1290pf @ 4V, 1 мгновение
JANTX1N6642 Microchip Technology Jantx1n6642 7 9900
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/578 МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1N6642 Станода DO-35 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 75 1,2 Е @ 100 мая 20 млн 500 NA @ 75 V -65 ° C ~ 175 ° C. 300 май 5pf @ 0v, 1 мгц
MBRS120T3 onsemi MBRS120T3 -
RFQ
 ECAD 6090 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-214AA, SMB MBRS120 ШOTKIй МАЛИ СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 600 мВ @ 1 a 1 мая @ 20 1A -
MUR460IM_AY_00001 Panjit International Inc. Mur460im_ay_00001 0,5200
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Panjit International Inc. - Веса Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй MUR460 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,28 w @ 4 a 50 млн 5 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 4 а -
AIDK10S65C5ATMA1 Infineon Technologies AIDK10S65C5ATMA1 5.4200
RFQ
 ECAD 7703 0,00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Coolsic ™ Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB AIDK10 Sic (kremniewый karbid) PG-TO263-2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 Верниони -весановейн> 500 май (io) 650 1,7 - @ 10 a 0 м 60 мка @ 650 -40 ° C ~ 175 ° C. 10 часов 303pf @ 1V, 1 мгест
LSIC2SD065D08A Littelfuse Inc. LSIC2SD065D08A -
RFQ
 ECAD 8742 0,00000000 Littelfuse Inc. Gen2 Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru ДО-220-2 Sic (kremniewый karbid) ДО-220AC СКАХАТА Neprigodnnый Ear99 8541.10.0080 800 Верниони -весановейн> 500 май (io) 650 1,5 - @ 23 а 0 м - 8. -
VS-MBRB735PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRB735PBF -
RFQ
 ECAD 6160 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Трубка Пркрэно Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRB7 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 35 840 мВ @ 15 A 100 мк @ 35 -65 ° С ~ 150 ° С. 7,5а -
SR503-T Diodes Incorporated SR503-T -
RFQ
 ECAD 8466 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR503 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1200 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 550 м. @ 5 a 1 мая @ 30 -65 ° С ~ 150 ° С. 5A -
TES6DH-TP Micro Commercial Co TES6DH-TP 0,4291
RFQ
 ECAD 3885 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn TES6 Станода ДО-277 СКАХАТА 353-TES6DH-TP Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 940 мВ @ 6 a 25 млн 2 мка При 200 -65 ° C ~ 175 ° C. 6A 140pf @ 4V, 1 мгха
NSB8KT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division NSB8KT-E3/45 0,5059
RFQ
 ECAD 9111 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Трубка Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB NSB8 Станода TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1.1 V @ 8 A 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 8. 55pf @ 4V, 1 мгха
MBR130LSFT1H onsemi MBR130LSFT1H -
RFQ
 ECAD 4414 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо Пефер SOD-123F MBR130 ШOTKIй SOD-123fl - Rohs3 Продан DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 380 - @ 1 a 1 мая @ 30 -55 ° C ~ 125 ° C. 1A -
1N1199B Microchip Technology 1n1199b 75 5700
RFQ
 ECAD 5664 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Стало DO-203AA, DO-4, Став 1n1199 Станода DO-4 (DO-203AA) СКАХАТА Rohs DOSTISH 1n1199bms Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1,2 - @ 30 a 10 мк -прри 50 -65 ° C ~ 200 ° C. 12A -
RF305BM6SFHTL Rohm Semiconductor RF305BM6SFHTL 0,9600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 RF305 Станода 252 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 3 a 30 млн 10 мк. 150 ° C (MMAKS) 3A -
ES2C-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES2C-M3/5BT 0,1379
RFQ
 ECAD 3407 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB Es2c Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3200 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 900 мВ @ 2 a 30 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 18pf @ 4V, 1 мгха
1SS355WTE-17 Rohm Semiconductor 1SS355WTE-17 -
RFQ
 ECAD 9779 0,00000000 ROHM Semiconductor * МАССА Управо 1SS355 - Rohs3 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 1
JANTXV1N6911UTK2CS Microchip Technology Jantxv1n6911utk2cs -
RFQ
 ECAD 6495 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/723 МАССА Актифен Пефер ThinKey ™ 2 Sic (kremniewый karbid) ThinKey ™ 2 - Rohs DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Верниони -весановейн> 500 май (io) 30 540 мВ @ 25 A 1,2 мая @ 30 -65 ° С ~ 150 ° С. 25 а
MBR3100VP-G1 Diodes Incorporated MBR3100VP-G1 -
RFQ
 ECAD 4869 0,00000000 Дидж - МАССА Управо Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй ШOTKIй ДО-2011 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 мВ @ 3 a 500 мк -пки 100 -65 ° С ~ 150 ° С. 3A -
MBRH20035RL GeneSiC Semiconductor MBRH20035RL -
RFQ
 ECAD 8217 0,00000000 Genesnыйpoluprovovodonyk - МАССА Управо ШASCI D-67 ШOOTKIй, ОБРАНА АНФОЛЯ D-67 - 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 35 600 м. @ 200 a 3 мая @ 200 200a -
ES1G SURGE Es1g 0,1400
RFQ
 ECAD 245 0,00000000 Вес - Симка Актифен Пефер DO-214AC, SMA Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2616-ES1G 3A001 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 1 a 35 м 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 8pf @ 4V, 1 мгест
SF808GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF808GHC0G -
RFQ
 ECAD 2174 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 SF808 Станода ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 8 a 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 8. 50pf @ 4V, 1 мгест
PMEG2010ET,215 Nexperia USA Inc. PMEG2010et, 215 0,4300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 PMEG2010 ШOTKIй TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 500 мВ @ 1 a 200 мк @ 20 150 ° C (MMAKS) 1A 80pf @ 1V, 1 мгест
SBR2U150SA-13 Diodes Incorporated SBR2U150SA-13 0,6700
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 Дидж SBR® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA SBR2U150 Yperrarher СМА СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 150 800 мВ @ 2 a 75 мк -при 150 -65 ° C ~ 175 ° C. 2A -
BYC8X-600P,127 NXP USA Inc. BYC8X-600P, 127 -
RFQ
 ECAD 6393 0,00000000 NXP USA Inc. - МАССА Актифен Чereз dыru 220-2 Станода DO-220F СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,9 В @ 8 a 18 млн 20 мк. 175 ° C (MMAKS) 8. -
RS1ML Taiwan Semiconductor Corporation RS1ML 0,4700
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RS1M Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,3 - @ 800 мая 500 млн 5 мк -при 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 800 май 10pf @ 4V, 1 мгест
EGP51A-E3/C Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP51A-E3/C. 0,8118
RFQ
 ECAD 3016 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Superectifier® Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй EGP51 Станода Do-201ad СКАХАТА Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1400 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 960 мВ @ 5 a 50 млн 5 мка прри 50 -65 ° C ~ 175 ° C. 5A 117pf @ 4V, 1 мгха
SS26 Fairchild Semiconductor SS26 -
RFQ
 ECAD 9105 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Пефер DO-214AA, SMB SS26 ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 2 a 400 мк. -65 ° C ~ 125 ° C. 2A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть