SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
ES2GAL Taiwan Semiconductor Corporation Es2gal 0,4200
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds Es2g Станода ТОНКИЯ СМА - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH -2068-ES2GALDKR Ear99 8541.10.0080 14 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 2 a 35 м 1 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 16pf @ 4V, 1 мгест
S220Q Yangjie Technology S220Q 0,0540
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-S220QTR Ear99 3000
JANTXV1N5419/TR Microchip Technology Jantxv1n5419/tr 11.3850
RFQ
 ECAD 5952 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/411 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Б., Ос Станода Б., Ос СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 150-Jantxv1n5419/tr Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 500 1,5 - @ 9 a 150 млн 1 мка При 500 -65 ° C ~ 175 ° C. 3A -
PMEG2010EPK,315 Nexperia USA Inc. PMEG2010EPK, 315 0,4200
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 2-xdfn PMEG2010 ШOTKIй DFN1608D-2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 8000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 415 мВ @ 1 a 4 млн 600 мк. 150 ° C (MMAKS) 1A 65pf @ 1V, 1 мгест
MBR1645/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR1645/45 -
RFQ
 ECAD 2248 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Трубка Управо Чereз dыru 220-3 MBR16 ШOTKIй 220-3 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 630 мВ @ 16 a 200 мк @ 45 -65 ° С ~ 150 ° С. 16A -
UF4006-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UF4006-E3/53 0,1726
RFQ
 ECAD 2294 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй UF4006 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,7 - @ 1 a 75 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 17pf @ 4V, 1 мгха
SS25HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS25HE3_A/H. 0,5400
RFQ
 ECAD 3163 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB SS25 ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 750 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 700 мВ @ 2 a 400 мк -при 50 -65 ° С ~ 150 ° С. 2A -
FFSH4065A onsemi FFSH4065A 17.1500
RFQ
 ECAD 650 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-247-2 FFSH4065 Sic (kremniewый karbid) ДО-247-2 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.10.0080 30 Верниони -весановейн> 500 май (io) 650 0 м 200 мка @ 650 -55 ° C ~ 175 ° C. 48. 1989pf @ 1v, 100 kgц
CR8U-02FP Central Semiconductor Corp CR8U-02FP -
RFQ
 ECAD 5689 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Трубка Управо Чereз dыru 220-2 Станода DO-220FP-2 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 975 MV @ 8 A 30 млн 5 мка При 200 -65 ° С ~ 150 ° С. 8. 80pf @ 4V, 1 мгха
FR12K05 GeneSiC Semiconductor FR12K05 6.9975
RFQ
 ECAD 5931 0,00000000 Genesnыйpoluprovovodonyk - МАССА Актифен ШAsci, Стало DO-203AA, DO-4, Став Станода До 4 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) FR12K05GN Ear99 8541.10.0080 250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 800 м. @ 12 A 500 млн 25 мк. -65 ° С ~ 150 ° С. 12A -
R5030818FSWA Powerex Inc. R5030818FSWA -
RFQ
 ECAD 7237 0,00000000 Powerex Inc. - МАССА Актифен ШAsci, Стало DO-205AA, DO-8, Stud R5030818 Ставень, обратно DO-205AA (DO-8) СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1,65 Е @ 470 А 1,5 мкс 45 май @ 800 -40 ° С ~ 150 ° С. 175a -
STTH30ST06GY-TR STMicroelectronics STTH30ST06GY-TR -
RFQ
 ECAD 2230 0,00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 Lenta и катахка (tr) Управо Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB STTH30 Станода D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 3,6 В @ 30 a 50 млн 50 мк. -40 ° C ~ 175 ° C. 30A -
SFAF506GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF506GHC0G -
RFQ
 ECAD 5639 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 SFAF506 Станода ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1.3 V @ 5 a 35 м 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 70pf @ 4V, 1 мгха
BAV19WS-TP Micro Commercial Co BAV19WS-TP 0,2000
RFQ
 ECAD 29 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-76, SOD-323 BAV19 Станода SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 100 1,25 Е @ 200 Ма 50 млн 100 na @ 100 v -65 ° С ~ 150 ° С. 200 май 1,5pf @ 0V, 1 мгха
MUR3010PT Harris Corporation Mur3010pt 3.9600
RFQ
 ECAD 109 0,00000000 ХArrISCORPORAHINE - МАССА Актифен Чereз dыru 218-3 Станода 218 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 - 30A -
CD1206-B240 Bourns Inc. CD1206-B240 -
RFQ
 ECAD 4374 0,00000000 Bourns Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Яп, я CD1206 ШOTKIй 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 500 мВ @ 2 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 2A -
RS3M V7G Taiwan Semiconductor Corporation RS3M V7G -
RFQ
 ECAD 8890 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC RS3M Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 500 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
S5A-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S5A-M3/9AT 0,1549
RFQ
 ECAD 2906 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC S5A Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1,15 Е @ 5 a 2,5 мкс 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 40pf @ 4V, 1 мгест
JANS1N5415US Microchip Technology Jans1n5415us 70.5900
RFQ
 ECAD 5174 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/411 МАССА Актифен Пефер SQ-Melf, б Станода B, SQ-Melf - Rohs DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1,5 - @ 9 a 150 млн -65 ° C ~ 175 ° C. 3A -
1N4447 Microchip Technology 1N4447 1.1850
RFQ
 ECAD 1658 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1N4447 Станода DO-35 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1n4447ms Ear99 8541.10.0070 1 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 75 1 V @ 20 мая 4 млн 25 Na @ 20 V -65 ° С ~ 150 ° С. 200 май -
PU4 SURGE PU4 0,1400
RFQ
 ECAD 250 0,00000000 Вес Пейта Симка Актифен Пефер SOD-123H Станода SOD-123HS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2616-Pu4 3A001 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1,3 V @ 1 a 35 м 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 7pf @ 4V, 1 мгха
DB2G32600L1 Panasonic Electronic Components DB2G32600L1 -
RFQ
 ECAD 6163 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер 0402 (1005 МЕТРИКА) DB2G326 ШOTKIй 0402 (1005 МЕТРИКА) СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 440 мВ @ 1 a 10 млн 900 мкр 30 150 ° C (MMAKS) 1A 32pf @ 10V, 1 мгха
1N3262R Powerex Inc. 1n3262r -
RFQ
 ECAD 5810 0,00000000 Powerex Inc. - МАССА Актифен ШAsci, Стало Do-205ab, do-9, Stud 1N3262 Ставень, обратно DO-205AB (DO-9) СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 150 12 май @ 150 -65 ° C ~ 175 ° C. 160a -
VS-8ETH06STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8eth06strl-M3 0,5067
RFQ
 ECAD 1349 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay FERED PT® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 8eth06 Станода TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 2,4 - @ 8 a 25 млн 50 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 8. -
1PS76SB70,135 Nexperia USA Inc. 1PS76SB70,135 0,3500
RFQ
 ECAD 325 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-76, SOD-323 1PS76SB70 ШOTKIй SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 10000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 70 1 V @ 15 мая 10 мк. 150 ° C (MMAKS) 70 май 2pf @ 0v, 1 мгест
B340AXS-13 Diodes Incorporated B340AXS-13 0,3500
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA Flat Heds B340 ШOTKIй SMA-FS СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 500 м. @ 3 a 200 мка 40, -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 285pf @ 4V, 1 мгест
SS34B Yangjie Technology SS34B 0,0500
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-SS34btr Ear99 3000
JANTXV1N649UR-1/TR Microchip Technology JantXV1N649UR-1/Tr -
RFQ
 ECAD 1097 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/240 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-213AA Станода DO-213AA - Rohs3 DOSTISH 150-jantxv1n649ur-1/tr Ear99 8541.10.0070 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1 V @ 400 мая -65 ° C ~ 175 ° C. 400 май -
MBR10H50-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR10H50-E3/45 -
RFQ
 ECAD 4917 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Трубка Управо Чereз dыru ДО-220-2 MBR10 ШOTKIй ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 710 мВ @ 10 a 100 мк -прри 50 -65 ° C ~ 175 ° C. 10 часов -
NRVTS560EMFST1G onsemi NRVTS560EMFST1G 0,5600
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 8-powertdfn, 5лидо NRVTS560 ШOTKIй 5-DFN (5x6) (8-sofl) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 610 мВ @ 5 a 30 мк -пр. 60 В -55 ° C ~ 175 ° C. 5A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть