SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж DOSTISHATH Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
MURS1JAFL-TP Micro Commercial Co Murs1jafl-tp 0,0766
RFQ
 ECAD 9282 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds Murs1 Станода DO-221AC (SMA-FL) СКАХАТА 353-MURS1JAFL-TP Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,4 w @ 1 a 35 м 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
S3JC-HF Comchip Technology S3JC-HF 0,1091
RFQ
 ECAD 9995 0,00000000 Комхип - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC S3JC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) 641-S3JC-HFTR Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1 V @ 3 a 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 40pf @ 4V, 1 мгест
VS-HFA08TB60S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA08TB60S-M3 0,9800
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Hexfred® Трубка Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB HFA08 Станода TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VS-HFA08TB60S-M3GI Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 2.1 V @ 16 A 55 м 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 8. -
VS-ETU3006FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ETU3006FP-M3 1.7700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay FERED PT® МАССА Актифен Чereз dыru 220-2 ETU3006 Станода 220-2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VSETU3006FPM3 Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 2 V @ 30 A 45 м 30 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 30A -
DFLS260-7 Diodes Incorporated DFLS260-7 0,4800
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер PowerDi®123 DFLS260 ШOTKIй Powerdi ™ 123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 620 мВ @ 2 a 100 мк -пр. 60 -55 ° C ~ 125 ° C. 2A -
60S05-TP Micro Commercial Co 60S05-TP 0,4326
RFQ
 ECAD 9064 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй 60S05 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1200 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1 V @ 6 A 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 6A -
SS32HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS32HE3_A/I. -
RFQ
 ECAD 4331 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC SS32 ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 500 мВ @ 1 a 200 мк @ 20 -65 ° C ~ 125 ° C. 3A -
1N6479HE3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N6479HE3/96 -
RFQ
 ECAD 2730 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Superectifier® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-213AB, MELF (Стекло) 1n6479 Станода DO-213AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1N6479HE3_A/H. Ear99 8541.10.0080 1500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1.1 V @ 1 a 10 мк -пки 100 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 8pf @ 4V, 1 мгест
1N4003-N-2-4-AP Micro Commercial Co 1N4003-N-2-4-AP -
RFQ
 ECAD 2692 0,00000000 МИКРОМЕР СО - ЛЕЙНТА и КОРОБЕККА (ТУБЕРКУЛЕГ) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4003 Станода DO-41 - Rohs3 1 (neograniчennnый) 1N4003-N-2-4-APMS Ear99 8541.10.0080 5000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1 V @ 1 A 5 мка При 200 - 1A -
A170RD Powerex Inc. A170rd -
RFQ
 ECAD 1259 0,00000000 Powerex Inc. - МАССА Актифен ШAsci, Стало DO-205AA, DO-8, Stud A170 Ставень, обратно DO-205AA (DO-8) СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1,3 - @ 100 a 20 май @ 400 -40 ° C ~ 200 ° C. 100 а -
MPG06D-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MPG06D-E3/54 0,4000
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru MPG06, OSEVOй MPG06 Станода MPG06 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1.1 V @ 1 a 600 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
SR503HR0G Taiwan Semiconductor Corporation SR503HR0G -
RFQ
 ECAD 9487 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR503 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 550 м. @ 5 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 5A -
WB35SD160ALZ WeEn Semiconductors WB35SD160ALZ 0,6908
RFQ
 ECAD 7815 0,00000000 Weenpoluprovodonnyki - МАССА Актифен Пефер Умират WB35 Станода Пластина СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1600 v 1,2 - @ 35 A 50 мк @ 1600 150 ° С 35A -
EGP50GHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP50GHE3/54 -
RFQ
 ECAD 5627 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй EGP50 Станода GP20 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1400 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,25 - @ 5 a 50 млн 5 мка 400 -65 ° С ~ 150 ° С. 5A 75pf @ 4v, 1 мгха
BYM13-20HE3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYM13-20HE3/96 -
RFQ
 ECAD 4034 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-213AB, MELF BYM13 ШOTKIй GL41 (DO-213AB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH BYM13-20HE3_A/H. Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 500 мВ @ 1 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 1A 110pf @ 4V, 1 мгновение
SF25G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF25G A0G -
RFQ
 ECAD 8497 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - ЛЕЙНТА и КОРОБЕККА (ТУБЕРКУЛЕГ) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй SF25 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1,3 V @ 2 a 35 м 5 мка @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 20pf @ 4V, 1 мгха
SS2P3LHE3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS2P3LHE3/84A -
RFQ
 ECAD 1153 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q100, ESMP® Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-220AA SS2P3 ШOTKIй DO-220AA (SMP) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 500 мВ @ 2 a 200 мка прри 30 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
CMSH2-60 TR13 PBFREE Central Semiconductor Corp CMSH2-60 TR13 PBFREE 1.1300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB CMSH2 ШOTKIй МАЛИ СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 2 a 500 мк. -65 ° С ~ 150 ° С. 2A 120pf @ 4V, 1 мгха
MBR2045CT Fairchild Semiconductor MBR2045CT 0,5900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Fairchild Semiconductor * МАССА Актифен СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-MBR2045CT-600039 Ear99 0000.00.0000 1
BAT46WT Yangjie Technology BAT46WT 0,0250
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-bat46wttr Ear99 3000
SRA356GP-TP Micro Commercial Co SRA356GP-TP -
RFQ
 ECAD 2619 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер Сра SRA356 Станода Сра - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1 V @ 35 A 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 35A 300PF @ 4V, 1 мгест
S1B-13-F Diodes Incorporated S1B-13-F 0,2500
RFQ
 ECAD 298 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA S1b Станода СМА СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1.1 V @ 1 a 3 мкс 5 мк -4 100 -65 ° С ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
SET130204 Semtech Corporation SET130204 -
RFQ
 ECAD 7917 0,00000000 Semtech Corporation - МАССА Пркрэно Припанана Модул Set130 Станода - СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,5 - @ 9 a 150 млн 1 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 15A -
VS-96-1050-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-96-1050-N3 -
RFQ
 ECAD 5864 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Трубка Актифен VS-96 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 112-VS-96-1050-N3 Ear99 8541.10.0080 25
RHRP860-F102 onsemi RHRP860-F102 -
RFQ
 ECAD 1052 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо Чereз dыru ДО-220-2 RHRP860 Станода ДО-220-2 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 2.1 V @ 8 a 35 м 100 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 8. -
SS14L RHG Taiwan Semiconductor Corporation SS14L RHG -
RFQ
 ECAD 1866 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS14 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 мВ @ 1 a 400 мкр 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 1A -
SS10100FL_R1_00001 Panjit International Inc. SS10100FL_R1_00001 0,3700
RFQ
 ECAD 87 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123F SS10100 ШOTKIй SOD-123fl СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 800 мВ @ 1 a 30 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
RSX201L-30TE25 Rohm Semiconductor RSX201L-30TE25 0,1595
RFQ
 ECAD 2411 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер DO-214AC, SMA RSX201 ШOTKIй PMDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 440 мВ @ 2 a 150 мкр 30 150 ° C (MMAKS) 2A -
SS24L M2G Taiwan Semiconductor Corporation SS24L M2G -
RFQ
 ECAD 8648 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS24 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 500 мВ @ 2 a 400 мкр 40, -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
UF4001 BK Central Semiconductor Corp UF4001 BK -
RFQ
 ECAD 5218 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй UF4001 Станода DO-41 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1 V @ 1 A 50 млн 10 мк -прри 50 -65 ° С ~ 150 ° С. 1A 20pf @ 4V, 1 мгха
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднесуточный объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть